Electronic surface and dielectric interface states on GaN and AlGaN

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 31, Issue 5, 2013, Pages

  Eller, Brianna S ^a   Yang, Jialing ^a   Nemanich, Robert J ^a  

^a ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BONDING CONFIGURATIONS; DENSITY OF INTERFACE STATE; DIELECTRIC INTERFACE; GATE-LEAKAGE CURRENT; HIGH-POWER ELECTRONIC DEVICES; MODELING AND MEASUREMENT; POLARIZATION CHARGES; SURFACE AND INTERFACE STATE;

BONDING; ELECTRIC CURRENT MEASUREMENT; ELECTRIC POWER SYSTEMS; ELECTRONIC STATES; HETEROJUNCTIONS; INTERFACE STATES; METAL CLEANING; POLARIZATION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84885092977     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.4807904     Document Type: Review

References (306)

1. U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002). 10.1109/JPROC.2002.1021567
2. W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2528 (2003). 10.1109/TED.2003.819248
3. Y. Niiyama, S. Ootomo, J. Li, T. Nomura, S. Kato, and T. P. Chow, Semicond. Sci. Technol. 25, 125006 (2010). 10.1088/0268-1242/25/12/125006
4. S. J. Pearton and F. Ren, Adv. Mater. 12, 1571 (2000). 10.1002/1521-4095(200011)12:21<1571::AID-ADMA1571>3.0.CO;2-T
5. G. Meneghesso, G. Verzellesi, F. Danesin, F. Rampazzo, F. Zanon, A. Tazzoli, M. Meneghini, and E. Zanoni, IEEE Trans. Device Mater. Rel. 8, 332 (2008). 10.1109/TDMR.2008.923743
6. J. A. del Alamo and J. Joh, Microelectron. Reliab. 49, 1200 (2009). 10.1016/j.microrel.2009.07.003
7. D. Marcon, J. Viaene, P. Favia, H. Bender, X. Kang, S. Lenci, S. Stoffels, and S. Decoutere, Microelectron. Reliab. 52, 2188 (2012). 10.1016/j.microrel.2012.06.052
8. J. Wuerfl, Microelectron. Reliab. 51, 1710 (2011). 10.1016/j.microrel. 2011.07.017
9. S. Mizuno, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 5125 (2002). 10.1143/JJAP.41.5125
10. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 72, 542 (1998). 10.1063/1.120752
11. S. Oyama, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 190, 322 (2002). 10.1016/S0169-4332(01)00902-3
12. H. Hasegawa and S. Oyama, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1647 (2002). 10.1116/1.1491539
13. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, S. S. Lau, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998). 10.1063/1.368270
14. C. F. Shih, K. T. Hung, C. Y. Hsiao, S. C. Shu, and W. M. Li, J. Alloys Compd. 480, 541 (2009). 10.1016/j.jallcom.2009.01.141
15. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999). 10.1063/1.125559
16. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000). 10.1063/1.1319972
17. E. J. Miller, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 535 (2004). 10.1063/1.1644029
18. S. Karmalkar D. M. Sathaiya, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 82, 3976 (2003). 10.1063/1.1579852
19. B. Lambert, Microelectron. Reliab. 52, 2184 (2012). 10.1016/j.microrel. 2012.06.100
20. H. Zhang, E. J. Miller, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 99, 023703 (2006). 10.1063/1.2159547
21. A. Fonserè, Appl. Phys. Lett. 101, 093505 (2012). 10.1063/1.4748115
22. L.-Y. Yang, Y. Hao, X.-H. Ma, J.-C. Zhang, C.-Y. Pan, J.-G. Ma, K. Zhang, and P. Ma, Chin. Phys. B 20, 117302 (2011). 10.1088/1674-1056/20/11/117302
23. Z. H. Liu, G. I. Ng, S. Arulkumaran, Y. K. T. Maung, and H. Zhou, Appl. Phys. Lett. 98, 163501 (2011). 10.1063/1.3573794
24. S. Sudharsanan and S. Karmalkar, J. Appl. Phys. 107, 064501 (2010). 10.1063/1.3340826
25. X. A. Cao, E. B. Stokes, P. M. Sandvik, S. F. LeBoeuf, J. Kretchmer, and D. Walker, IEEE Electron Device Lett. 23, 535 (2002). 10.1109/LED.2002.802601
26. E. Arslan, S. Altindal, S. Özçelik, and E. Ozbay, J. Appl. Phys. 105, 023705 (2009). 10.1063/1.3068202
27. D.-W. Yan, Z.-M. Zhu, J.-M. Cheng, X.-F. Gu, and H. Lu, Chin. Phys. Lett. 29, 087204 (2012). 10.1088/0256-307X/29/8/087204
28. D. Yan, H. Lu, D. Cao, D. Chen, R. Zhang, and Y. Zheng, Appl. Phys. Lett. 97, 153503 (2010). 10.1063/1.3499364
29. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, D. A. Wood, G. Hill, and C. R. Whitehouse, Appl. Phys. Lett. 80, 3207 (2002). 10.1063/1.1473701
30. A. Mimouni, T. Fernández, J. Rodriguez-Tellez, A. Tazon, H. Baudrand, and M. Boussuis, Electr. Electron. Eng. 2, 397 (2012). 10.5923/j.eee.20120206.09
31. X. M. Shen, D. G. Zhao, Z. S. Liu, Z. F. Hu, H. Yang, and J. W. Liang, Solid-State Electron. 49, 847 (2005). 10.1016/j.sse.2005.02.003
32. V. Lebedev, G. Cherkashinin, G. Ecke, I. Cimalla, and O. Ambacher, J. Appl. Phys. 101, 033705 (2007). 10.1063/1.2433139
33. W. Xu, H. Rao, and G. Bosman, Appl. Phys. Lett. 100, 223504 (2012). 10.1063/1.4724207
34. S. W. Kaun, M. H. Wong, S. DasGupta, S. Choi, R. Chung, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Express 4, 024101 (2011). 10.1143/APEX.4.024101
35. S. Ganguly, A. Konar, Z. Hu, H. Xing, and D. Jena, Appl. Phys. Lett. 101, 253519 (2012). 10.1063/1.4773244
36. G. Xie, E. Xu, B. Zhang, and W. T. Ng, Microelectron. Reliab. 52, 964 (2012). 10.1016/j.microrel.2011.11.022
37. M. M. Bajo, C. Hodges, M. J. Uren, and M. Kubali, Appl. Phys. Lett. 101, 033508 (2012). 10.1063/1.4737904
38. M. Baeumler, J. Electron. Mater. 39, 756 (2010). 10.1007/s11664-010-1120- 9
39. M. Ťapajna, S. W. Kaun, M. H. Wong, F. Gao, T. Palacios, U. K. Mishra, J. S. Speck, and M. Kuball, Appl. Phys. Lett. 99, 223501 (2011). 10.1063/1.3663573
40. C.-Y. Hu and T. Hashizume, J. Appl. Phys. 111, 084504 (2012). 10.1063/1.4704393
41. P. Makaram, J. Joh, J. A. del Alamo, T. Palacios, and C. V. Thompson, Appl. Phys. Lett. 96, 233509 (2010). 10.1063/1.3446869
42. M. R. Johnson, J. Vac. Sci. Technol. B 30, 062204 (2012). 10.1116/1.4766303
43. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo, and T. Hashizume, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1844 (2003). 10.1116/1.1589520
44. H. Hasegawa and H. Ohno, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1130 (1986). 10.1116/1.583556
45. T. Hashizume, J. Kotani, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 84, 4884 (2004). 10.1063/1.1762980
46. K. H. Lee, P. C. Chang, S. J. Chang, and Y. K. Su, Solid-State Electron. 72, 38 (2012). 10.1016/j.sse.2012.02.009
47. C. J. Kirkpatrick, B. Lee, R. Suri, X. Yang, and V. Misra, IEEE Electron Device Lett. 33, 1240 (2012). 10.1109/LED.2012.2203782
48. L. Pang, Y. Lian, D.-S. Kim, J.-H. Lee, and K. Kim, IEEE Trans. Electron Devices 59, 2650 (2012). 10.1109/TED.2012.2208463
49. F. Husna, M. Lachab, M. Sultana, V. Adivarahan, Q. Fareed, and M. Asif Khan, IEEE Trans. Electron Devices 59, 2424 (2012). 10.1109/TED.2012.2204888
50. M. Lachab, M. Sultana, H. Fatima, V. Adivarahan, Q. Fareed, and M. A. Khan, Semicond. Sci. Technol. 27, 125001 (2012). 10.1088/0268-1242/27/12/125001
51. T. Huang, X. Zhu, K. M. Wong, and K. M. Lau, IEEE Electron Device Lett. 33, 212 (2012). 10.1109/LED.2011.2176909
52. Y. C. Chang, W. H. Chang, Y. H. Chang, J. Kwo, Y. S. Lin, S. H. Hsu, J. M. Hong, C. C. Tsai, and M. Hong, Microelectron. Eng. 87, 2042 (2010). 10.1016/j.mee.2010.02.013
53. E. Miyazaki, Y. Goda, S. Kishimoto, and T. Mizutani, Solid-State Electron. 62, 152 (2011). 10.1016/j.sse.2011.04.017
54. Y. C. Chang, M. L. Huang, Y. H. Chang, Y. J. Lee, H. C. Chiu, J. Kwo, and M. Hong, Microelectron. Eng. 88, 1207 (2011). 10.1016/j.mee.2011.03.098
55. Z. W. Bi, Y. Hao, Q. Feng, T. T. Jiang, Y. R. Cao, J. C. Zhang, W. Mao, L. Lu, and Y. Zhang, Sci. Chin. Phys. Mech. Astron. 54, 2170 (2011). 10.1007/s11433-011-4539-y
56. H. Hahn, A. Alam, M. Heuken, H. Kalisch, and A. Vescan, Semicond. Sci. Technol. 27, 062001 (2012). 10.1088/0268-1242/27/6/062001
57. T. Hashizume, S. Anantathanasarn, N. Negoro, E. Sano, H. Hasegawa, K. Kumakura, and T. Makimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L777 (2004). 10.1143/JJAP.43.L777
58. J. J. Freedsman, T. Kubo, S. L. Selvaraj, and T. Egawa, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 04DF03 (2011). 10.1143/JJAP.50.04DF03
59. H.-A. Shih, M. Kudo, M. Akabori, and T.-K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 02BF01 (2012). 10.1143/JJAP.51.02BF01
60. H.-C. Chiu, C.-W. Yang, C.-H. Chen, J. S. Fu, and F.-T. Chien, Appl. Phys. Lett. 99, 153508 (2011). 10.1063/1.3651331
61. K. D. Chabak, IEEE Electron Device Lett. 32, 1677 (2011). 10.1109/LED.2011.2167952
62. M. Ťapajna, N. Killat, U. Chowdhury, J. L. Jimenez, and M. Kuball, Microelectron. Reliab. 52, 29 (2012). 10.1016/j.microrel.2011.09.009
63. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001). 10.1109/16.906451
64. J. A. Bardwell, S. Haffouz, W. R. McKinnon, C. Storey, H. Tang, G. I. Sproule, D. Roth, and R. Wang, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H46 (2007). 10.1149/1.2402479
65. A. Koudymov, M. S. Shur, G. Simin, K. Chu, P. C. Chao, C. Lee, J. Jimenez, and A. Balistreri, IEEE Trans. Electron Devices 55, 712 (2008). 10.1109/TED.2007.915092
66. M. Morardi and P. Valizadeh, IEEE Trans. Device Mater. Rel. 10, 287 (2010). 10.1109/TDMR.2010.2046739
67. F. Gao, D. Chen, B. Lu, H. L. Tuller, C. V. Thompson, S. Keller, U. K. Mishra, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 33, 1378 (2012). 10.1109/LED.2012.2206556
68. M. Tajima and T. Hashizume, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 061001 (2011). 10.1143/JJAP.50.061001
69. G. Meneghesso, G. Verzellesi, R. Pierobon, F. Rampazzo, A. Chini, U. K. Mishra, C. Canali, and E. Zanoni, IEEE Trans. Electron Devices 51, 1554 (2004). 10.1109/TED.2004.835025
70. A. M. Wells, M. J. Uren, R. S. Balmer, K. P. Hilton, T. Martin, and M. Missous, Solid-State Electron. 49, 279 (2005). 10.1016/j.sse.2004.10.003
71. J. Joh and J. A. del Alamo, IEEE Trans. Electron Devices 58, 132 (2011). 10.1109/TED.2010.2087339
72. F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.-L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, and C. Gaquière, Solid-State Electron. 72, 15 (2012). 10.1016/j.sse.2011.12.002
73. S. DasGupta L. B. Biedermann, M. Sun, R. Kaplar, M. Marinella, K. R. Zavadil, S. Atcitty, and T. Palacios, Appl. Phys. Lett. 101, 243506 (2012). 10.1063/1.4772503
74. W. Zhang, Y. Zhang, W. Mao, X.-H. Ma, J.-C. Zhang, and Y. Hao, IEEE Electron Device Lett. 34, 45 (2013). 10.1109/LED.2012.2227235
75. C. Zhou, Q. Jiang, S. Huang, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 33, 1132 (2012). 10.1109/LED.2012.2200874
76. M. Faqir, M. Bouya, N. Malbert, N. Labat, D. Carisetti, B. Lambert, G. Verzellesi, and F. Fantini, Microelectron. Reliab. 50, 1520 (2010). 10.1016/j.microrel.2010.07.020
77. P. B. Klein, J. A. Freitas, S. C. Binari, and A. E. Wickenden, Appl. Phys. Lett. 75, 4016 (1999). 10.1063/1.125523
78. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett. 79, 3527 (2001). 10.1063/1.1418452
79. M. J. Uren, J. Möreke, and M. Kuball, IEEE Trans. Electron Devices 59, 3327 (2012). 10.1109/TED.2012.2216535
80. T. B. Fehlberg, J. S. Milne, G. A. Umana-Membreno, S. Keller, U. K. Mishra, B. D. Nener, and G. Parish, IEEE Trans. Electron Devices 58, 2589 (2011). 10.1109/TED.2011.2154333
81. E. A. Douglas, Microelectron. Reliab. 51, 207 (2011). 10.1016/j.microrel.2010.09.024
82. L. Liu, J. Vac. Sci. Technol. B 29, 060603 (2011). 10.1116/1.3660396
83. M. Esposto, V. Di Lecce, M. Bonaiuti, and A. Chini, J. Electron. Mater. 42, 15 (2013). 10.1007/s11664-012-2268-2
84. M. Fagerlind and N. Rorsman, J. Appl. Phys. 112, 014511 (2012). 10.1063/1.4730782
85. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000). 10.1109/55.843146
86. M. F. Romero, M. M. Sanz, I. Tanarro, A. Jiménez, and E. Muñoz, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 495202 (2010). 10.1088/0022-3727/43/49/ 495202
87. R. C. Fitch, J. Vac. Sci. Technol. B 29, 061204 (2011). 10.1116/1.3656390
88. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, and K. Maezawa, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2015 (2003). 10.1109/TED.2003.816549
89. M. Higashiwaki, Y. Pei, R. Chu, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 58, 1681 (2011). 10.1109/TED.2011.2131653
90. T. Hashizume, S. Ootomo, T. Inagaki, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1828 (2003). 10.1116/1.1585077
91. T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003). 10.1063/1.1616648
92. J. J. Kim, G. M. Yang, K.-H. Shim, and J. W. Yang, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 096501 (2011). 10.1143/JJAP.50.096501
93. F. Gao, B. Lu, L. Li, S. Kuan, J. S. Speck, C. V. Thompson, and T. Palacios, Appl. Phys. Lett. 99, 223506 (2011). 10.1063/1.3665065
94. E. T. Yu, X. Z. Dang, P. M. Asbeck, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1742 (1999). 10.1116/1.590818
95. O. Ambacher, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999). 10.1063/1.369664
96. V. A. Savastenko and A. U. Sheleg, Phys. Status Solidi A 48, K135 (1978). 10.1002/pssa.2210480253
97. Y. Takagi, M. Ahart, T. Azuhata, T. Sota, K. Suzuki, and S. Nakamura, Physica B 219/220, 547 (1996). 10.1016/0921-4526(95)00807-1
98. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grezegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996). 10.1063/1.361236
99. R. B. Schwartz, K. Khachaturyan, and E. R. Webber, Appl. Phys. Lett. 70, 1122 (1997). 10.1063/1.118503
100. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, and G. Fischerauer, Appl. Phys. Lett. 72, 2400 (1998). 10.1063/1.121368
101. K. Tsubouchi and N. Mikoshiba, IEEE Trans. Sonics Ultrason. 32, 634 (1985). 10.1109/T-SU.1985.31647
102. L. E. McNeil, M. Grimsditch, and R. H. French, J. Am. Ceram. Soc. 76, 1132 (1993). 10.1111/j.1151-2916.1993.tb03730.x
103. K. Kim, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev, B 53, 16310 (1996). 10.1103/PhysRevB.53.16310
104. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997). 10.1063/1.366114
105. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997). 10.1103/PhysRevB.56.R10024
106. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 63, 193201 (2001). 10.1103/PhysRevB.63.193201
107. Y. Duan, J. Li, S.-S. Li, and J.-B. Xia, J. Appl. Phys. 103, 023705 (2008). 10.1063/1.2831486
108. K. Shimada, A. Zenpuku, K. Fukiwara, K. Hazu, S. F. Chichibu, M. Hata, H. Sazawa, T. Takada, and T. Sota, J. Appl. Phys. 110, 074114 (2011). 10.1063/1.3651154
109. W. S. Yan, Appl. Phys. Lett. 94, 042106 (2009). 10.1063/1.3072597
110. J. Lähnemann, Phys. Rev. B 86, 081302(R) (2012). 10.1103/PhysRevB.86.081302
111. J. Yang, B. S. Eller, C. Zhu, C. England, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 112, 053710 (2012). 10.1063/1.4749268
112. H. W. Jang, J.-H. Lee, and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 3955 (2002). 10.1063/1.1481782
113. M. Hong, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000). 10.1116/1.591402
114. Y. Q. Wu, T. Shen, P. D. Ye, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 90, 143504 (2007). 10.1063/1.2719228
115. W. J. Mecouch, B. P. Wagner, Z. J. Reitmeier, R. F. Davis, C. Pandarinath, B. J. Rodriguez, and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 72 (2005). 10.1116/1.1830497
116. U. Karrer, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 2012 (2000). 10.1063/1.1313275
117. P. Lorenz, T. Haensel, R. Gutt, R. J. Koch, J. A. Schaefer, and S. Krischok, Phys. Status Solidi B 247, 1658 (2010). 10.1002/pssb.200983691
118. V. M. Polyakov, F. S. Tautz, S. Sloboshanin, J. A. Schaefer, A. S. Usikoy, and B. Ja. Ber, Semicond. Sci. Technol. 13, 1396 (1998). 10.1088/0268-1242/13/12/011
119. I. Tamm, Physik. Zeits. Sowjetunion 1, 733 (1932).
120. W. Shockley, Phys. Rev. 56, 317 (1939). 10.1103/PhysRev.56.317
121. J. Fritsch, O. F. Sankey, K. E. Schmidt, and J. B. Page, Phys. Rev. B 57, 15360 (1998). 10.1103/PhysRevB.57.15360
122. J. E. Northrop, R. Di Felice, and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 55, 13878 (1997). 10.1103/PhysRevB.55.13878
123. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997). 10.1103/PhysRevLett.79.3934
124. R. H. French, J. Am. Ceram. Soc. 73, 477 (1990). 10.1111/j.1151-2916. 1990.tb06541.x
125. W. Schottky, Phys. Z 41, 570 (1940).
126. N. F. Mott, Math. Proc. Cambridge 34, 568 (1938). 10.1017/ S0305004100020570
127. J. Bardeen, Phys. Rev. 71, 717 (1947). 10.1103/PhysRev.71.717
128. V. Heine, Phys. Rev. 138, A1689 (1965). 10.1103/PhysRev.138.A1689
129. F. Flores and C. Tejedor, J. Phys. France 38, 949 (1977). 10.1051/jphys:01977003808094900
130. C. Tejedor and F. Flores, J. Phys. C. Solid State Phys. 11, L19 (1977). 10.1088/0022-3719/11/1/005
131. J. Tersoff, Phys. Rev. B 30, 4874 (1984). 10.1103/PhysRevB.30.4874
132. W. Mönch, Appl. Surf. Sci. 92, 367 (1996). 10.1016/0169-4332(95) 00257-X
133. W. E. Spicer, P. W. Chye, P. R. Skeath, C. Y. Su, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1422 (1979). 10.1116/1.570215
134. W. E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, and C. Y. Su, J. Vac. Sci. Technol. 17, 1019 (1980). 10.1116/1.570583
135. H. Hasegawa and T. Sawada, Thin Solid Films 103, 119 (1983). 10.1016/0040-6090(83)90430-3
136. H. Hasegawa, Y. Koyama, and T. Hashizume, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2634 (1999). 10.1143/JJAP.38.2634
137. J. M. Andrews and J. C. Phillips, Phys. Rev. Lett. 35, 56 (1975). 10.1103/PhysRevLett.35.56
138. L. J. Brillson, Phys. Rev. Lett. 40, 260 (1978). 10.1103/PhysRevLett.40. 260
139. R. L. Anderson, Solid-State Electron. 5, 341 (1962). 10.1016/0038- 1101(62)90115-6
140. J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 52, 465 (1984). 10.1103/PhysRevLett.52.465
141. J. Robertson and B. Falabretti, J. Appl. Phys. 100, 014111 (2006). 10.1063/1.2213170
142. M. Cardona and N. E. Christensen, Phys. Rev. B 35, 6182 (1987). 10.1103/PhysRevB.35.6182
143. W. Mönch, J. Appl. Phys. 80, 5076 (1996). 10.1063/1.363486
144. A. Baldereschi, Phys. Rev. B 7, 5212 (1973). 10.1103/PhysRevB.7.5212
145. A. Franciosi and C. G. Van de Walle, Surf. Sci. Rep. 25, 1 (1996). 10.1016/0167-5729(95)00008-9
146. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, Appl. Phys. Lett. 70, 2577 (1997). 10.1063/1.118924
147. G. C. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev. B 35, 8154 (1987). 10.1103/PhysRevB.35.8154
148. S. H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 72, 2011 (1998). 10.1063/1.121249
149. Y.-H. Li, A. Walsh, S. Chen, W.-J. Yin, J.-H. Yang, J. Li, J. L. F. Da Silva, X. G. Gong, and S. H. Wei, Appl. Phys. Lett. 94, 212109 (2009). 10.1063/1.3143626
150. T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, and S. Sakai, Appl. Surf. Sci. 190, 326 (2002). 10.1016/S0169-4332(01)00904-7
151. K. Shiojima, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 74, 1936 (1999). 10.1063/1.123733
152. K. A. Rickert, A. B. Ellis, J. K. Kim, J.-L. Lee, F. J. Himpsel, F. Dwikusuma, and T. F. Kuech, J. Appl. Phys. 92, 6671 (2002). 10.1063/1.1518129
153. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000). 10.1116/1.591472
154. J. Zhang, C. Yang, S. Wu, Y. Liu, M. Zhang, H. Chen, W. Zhang, and Y. Li, Semicond. Sci. Technol. 25, 035011 (2010). 10.1088/0268-1242/25/3/035011
155. T. Nakayama and M. Murayama, J. Cryst. Growth 214/215, 299 (2000). 10.1016/S0022-0248(00)00096-8
156. H. S. Craft, R. Collazo, M. D. Losego, S. Mita, Z. Sitar, and J.-P. Maria, Appl. Phys. Lett. 92, 082907 (2008). 10.1063/1.2887878
157. T. S. Lay, M. Hong, J. Kwo, J. P. Mannaerts, W. H. Hung, and D. J. Huang, Solid-State Electron. 45, 1679 (2001). 10.1016/S0038-1101(01)00175-7
158. L. G. Gao, B. Xu, H. X. Guo, Y. D. Xia, J. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 94, 252901 (2009). 10.1063/1.3159473
159. J. J. Chen, M. Hlad, A. P. Gerger, B. P. Gila, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, J. Electron. Mater. 36, 368 (2007). 10.1007/s11664-006-0037-9
160. V. D. Wheeler, Ph.D. dissertation, North Carolina State University, 2010.
161. J.-J. Chen, B. P. Gila, M. Hlad, A. Gerger, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 88, 142115 (2006). 10.1063/1.2194314
162. C. Liu, E. F. Chor, L. S. Tan, and Y. Dong, Appl. Phys. Lett. 88, 222113 (2006). 10.1063/1.2209178
163. H. S. Craft, Ph.D. dissertation, University of North Carolina, 2010.
164. S.-K. Hong, T. Hanada, H. Makino, Y. Chen, H.-J. Ko, T. Yao, A. Tanaka, H. Sasaki, and S. Sato, Appl. Phys. Lett. 78, 3349 (2001). 10.1063/1.1372339
165. H. F. Liu, G. X. Hu, H. Gong, K. Y. Zang, and S. J. Chua, J. Vac. Sci. Technol. A 26, 1462 (2008). 10.1116/1.2990853
166. Y. I. Alivov, B. Xiao, S. Akarca-Biyikli, Q. Fan, H. Morkoç, D. Johnstone, O. Lopatiuk-Tirpak, L. Chernyak, and W. Litton, J. Phys. Condens. Matter 20, 085201 (2008). 10.1088/0953-8984/20/8/085201
167. B. Kramm, A. Laufer, D. Reppin, A. Kronenberger, P. Hering, A. Polity, and B. K. Meyer, Appl. Phys. Lett. 100, 094102 (2012). 10.1063/1.3685719
168. G. Martin, S. Strite, A. Botchkarev, A. Agarwal, A. Rockett, H. Morkoç, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Appl. Phys. Lett. 65, 610 (1994). 10.1063/1.112247
169. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996). 10.1063/1.116355
170. M. R. Coan, J. H. Woo, D. Johnson, I. R. Gatabi, and H. R. Harris, J. Appl. Phys. 112, 024508 (2012). 10.1063/1.4737583
171. R. Suri, Ph.D. dissertation, North Carolina State University, 2010.
172. M. Esposto, S. Krishnamoorthy, D. N. Nath, S. Bajaj, T. H. Hung, and S. Rajan, Appl. Phys. Lett. 99, 133503 (2011). 10.1063/1.3645616
173. W. Wei, Z. Qin, S. Fan, Z. Li, K. Shi, Q. Zhu, and G. Zhang, Nanoscale Res. Lett. 7, 562 (2012). 10.1186/1556-276X-7-562
174. T. E. Cook, C. C. Fulton, W. J. Mecouch, R. F. Davis, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 7155 (2003). 10.1063/1.1625579
175. C. Liu, E. F. Chor, and L. S. Tan, Appl. Phys. Lett. 88, 173504 (2006). 10.1063/1.2198507
176. H. S. Craft, R. Collazo, M. D. Losego, S. Mita, Z. Sitar, and J.-P. Maria, J. Appl. Phys. 102, 074104 (2007). 10.1063/1.2785022
177. J. J. Chen, B. P. Gila, M. Hlad, A. Gerger, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 88, 042113 (2006). 10.1063/1.2170140
178. T. E. Cook, C. C. Fulton, W. J. Mecouch, R. F. Davis, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 3949 (2003). 10.1063/1.1601314
179. M. Kumar, B. Roul, T. N. Bhat, M. K. Rajpalke, A. T. Kalghatgi and S. B. Krupanidhi, Thin Solid Films 520, 4911 (2012). 10.1016/j.tsf.2011.10.051
180. R. Nakasaki, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Physica E 7, 953 (2000). 10.1016/S1386-9477(00)00095-3
181. T. E. Cook, C. C. Fulton, W. J. Mecouch, K. M. Tracy, R. F. Davis, E. H. Hurt, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 93, 3995 (2003). 10.1063/1.1559424
182. I. Costina and R. Franchy, Appl. Phys. Lett. 78, 4139 (2001). 10.1063/1.1380403
183. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, K. Cherkaoui, and P. K. Hurley, Appl. Phys. Lett. 96, 052103 (2010). 10.1063/1.3294328
184. X. Xu, X. Liu, Y. Guo, J. Wang, H. Song, S. Yang, H. Wei, Q. Zhu, and Z. Wang, J. Appl. Phys. 107, 104510 (2010). 10.1063/1.3408777
185. P. D. C. King, T. D. Veal, P. H. Jefferson, C. F. McConville, T. Wang, P. J. Parbrook, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 90, 132105 (2007). 10.1063/1.2716994
186. C.-L. Wu, C.-H. Shen, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 88, 032105 (2006). 10.1063/1.2165195
187. A. L. Yang, Appl. Phys. Lett. 94, 052101 (2009). 10.1063/1.3075060
188. T. D. Veal, Appl. Phys. Lett. 93, 202108 (2008). 10.1063/1.3032911
189. G. Heidelberger, Ph.D. dissertation, Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen, 2009.
190. Y. Chiou and C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 58, 3869 (2011). 10.1109/TED.2011.2163721
191. Y.-L. Chiou, C.-S. Lee, and C.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 97, 032107 (2010). 10.1063/1.3467056
192. N. V. Edwards, M. D. Bremser, T. W. Weeks, R. S. Kern, R. F. Davis, and D. E. Aspnes, Appl. Phys. Lett. 69, 2065 (1996). 10.1063/1.116881
193. T. Hashizume, S. Ootomo, R. Nakasaki, S. Oyama, and M. Kihara, Appl. Phys. Lett. 76, 2880 (2000). 10.1063/1.126504
194. F. Gonzalez-Posada, J. A. Bardwell, S. Moisa, S. Haffouz, H. Tang, A. F. Brana, and E. Munoz, Appl. Surf. Sci. 253, 6185 (2007). 10.1016/j.apsusc.2007. 01.016
195. J. Hedman and N. Mårtensson, Phys. Scr. 22, 176 (1980). 10.1088/0031-8949/22/2/015
196. L. L. Smith, S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 25, 805 (1996). 10.1007/BF02666640
197. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998). 10.1063/1.368814
198. J. J. Uhlrich, L. C. Grabow, M. Mavrikakis, and T. F. Kuech, J. Electron. Mater. 37, 439 (2008). 10.1007/s11664-007-0348-5
199. S. D. Wolter, B. P. Luther, D. L. Waltmyer, C. Onneby, S. E. Mohney, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 2156 (1997). 10.1063/1.118944
200. K. Prabhakaran, T. G. Andersson, and K. Nozawa, Appl. Phys. Lett. 69, 3212 (1996). 10.1063/1.117964
201. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996). 10.1063/1.362924
202. P. Sivasubramani, Phys. Status Solidi (RRL) 6, 22 (2012). 10.1002/pssr.201105417
203. L. Plucinski, L. Colakerol, S. Bernardis, Y. Zhang, S. Wang, C. O'Donnell, K. E. Smith, I. Friel, and T. D. Moustakas, Surf. Sci. 600, 116 (2006). 10.1016/j.susc.2005.10.021
204. Y. J. Lin, C. S. Lee, and C. T. Lee, J. Appl. Phys. 93, 5321 (2003). 10.1063/1.1563821
205. J. O. Song, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 80, 3129 (2002). 10.1063/1.1475773
206. G. L. Martinez, M. R. Curiel, B. J. Skromme, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 29, 325 (2000). 10.1007/s11664-000-0072-x
207. M. Diale, F. D. Auret, N. G. Van der Berg, R. Q. Odendaal, and W. D. Roos, Appl. Surf. Sci. 246, 279 (2005). 10.1016/j.apsusc.2004.11.024
208. N. Nepal, N. Y. Garces, D. J. Meyer, J. K. Hite, M. A. Mastro, and C. R. Eddy, Appl. Phys. Express 4, 055802 (2011). 10.1143/APEX.4.055802
209. F. Machuca, Z. Liu, Y. Sun, P. Pianetta, W. E. Spicer, and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 1784 (2002). 10.1116/1.1503782
210. Z. Liu, Y. Sun, F. Machuca, P. Pianetta, W. E. Spicer, and R. F. W. Pease, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1953 (2003). 10.1116/1.1593644
211. T. Hashizume, R. Nakasaki, S. Ootomo, S. Oyama, and H. Hasegawa, Mater. Sci. Eng. B 80, 309 (2001). 10.1016/S0921-5107(00)00647-4
212. Y. Koyama, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Solid State Electron. 43, 1483 (1999). 10.1016/S0038-1101(99)00093-3
213. D. Li, M. Sumiya, S. Fuke, D. Yang, D. Que, Y. Suzuki, and Y. Fukuda, J. Appl. Phys. 90 4219 (2001). 10.1063/1.1402966
214. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998). 10.1063/1.121293
215. Y. Jung, J. Ahn, K. H. Baik, D. Kim, S. J. Pearton, F. Ren, and J. Kim, J. Electrochem. Soc. 159, H117 (2012). 10.1149/2.039202jes
216. K. M. Tracy, W. J. Mecouch, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 3163 (2003). 10.1063/1.1596369
217. L. C. Grabow, J. J. Uhlrich, T. F. Kuech, and M. Mavrikakis, Surf. Sci. 603, 387 (2009). 10.1016/j.susc.2008.11.029
218. R. W. Hunt, Physica B 185, 415 (1993). 10.1016/0921-4526(93)90271-7
219. Y.-H. Lai, C.-T. Yeh, J.-M. Hwang, H.-L. Hwang, C.-T. Chen, and W.-H. Hung, J. Phys. Chem. B 105, 10029 (2001). 10.1021/jp011728k
220. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997). 10.1063/1.363912
221. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998). 10.1116/1.590151
222. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, and R. Kaplan, J. Appl. Phys. 73, 3108 (1993). 10.1063/1.352999
223. V. M. Bermudez, R. Kaplan, M. Asif Khan, and J. N. Kuznia, Phys. Rev. B 48, 2436 (1993). 10.1103/PhysRevB.48.2436
224. V. M. Bermudez, T. M. Jung, K. Doverspike, and A. E. Wickenden, J. Appl. Phys. 79, 110 (1996). 10.1063/1.360917
225. V. M. Bermudez, D. D. Koleske, and A. E. Wickenden, Appl. Surf. Sci. 126, 69 (1998). 10.1016/S0169-4332(97)00582-5
226. Ch. Schulz, S. Kuhr, H. Geffers, Th. Schmidt, J. I. Flege, T. Aschenbrenner, D. Hommel, and J. Falta, J. Vac. Sci. Technol. A 29, 011013 (2011). 10.1116/1.3520117
227. K. N. Lee, S. M. Donovan, B. Gila, M. Overberg, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, and R. G. Wilson, J. Electrochem. Soc. 147, 3087 (2000). 10.1149/1.1393860
228. T. Hashizume and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 234, 387 (2004). 10.1016/j.apsusc.2004.05.091
229. T. Inagaki, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 216, 519 (2003). 10.1016/S0169-4332(03)00482-3
230. Z. Jin, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. 190, 361 (2002). 10.1016/S0169-4332(01)00853-4
231. D. J. Meyer, J. R. Flemish, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 89, 223523 (2006). 10.1063/1.2400100
232. Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, C. Gaquiere, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, and M. Germain, Solid-State Electron. 49, 1589 (2005). 10.1016/j.sse.2005.06.025
233. S. Hoshi, T. Marui, M. Itoh, Y. Sano, and S. Seki, IEICE Trans Electron. E89C, 1052 (2006). 10.1093/ietele/e89-c.7.1052
234. J. Kim, H. Choi, M. Ha, H. Song, C. Roh, J. Lee, J. Park, and C. Hahn, Jpn. J. Appl. Phys. 49 04DF05 (2010). 10.1143/JJAP.49.04DF05
235. A. Hierro, S. A. Ringel, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 77, 1499 (2000). 10.1063/1.1290042
236. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 75, 4452 (1995). 10.1103/PhysRevLett.75.4452
237. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 31, 1258 (1992). 10.1143/JJAP.31.1258
238. M. S. Brandt, N. M. Johnson, R. J. Molnar, R. Singh, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 64, 2264 (1994). 10.1063/1.111639
239. W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 67, 2666 (1995). 10.1063/1.114330
240. S. M. George, Chem. Rev. 110, 111 (2010). 10.1021/cr900056b
241. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005). 10.1063/1.1940727
242. M. Milojevic, C. L. Hinkle, F. S. Aguirre-Tostado, H. C. Kim, E. M. Vogel, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 93, 252905 (2008). 10.1063/1.3054348
243. M. Milojevic, F. S. Aguirre-Tostado, C. L. Hinkle, H. C. Kim, E. M. Vogel, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 93, 202902 (2008). 10.1063/1.3033404
244. Y. Cao, X. Li, A. Li, H. Li, and D. Wu, Appl. Surf. Sci. 263, 497 (2012). 10.1016/j.apsusc.2012.09.092
245. C. L. Hinkle, Appl. Phys. Lett. 92, 071901 (2008). 10.1063/1.2883956
246. X. Liu, R. Yeluri, J. Lu, and U. K. Mishra, J. Electron. Mater. 42, 33 (2013). 10.1007/s11664-012-2246-8
247. A. N. Hattori, F. Kawamura, M. Yoshimura, Y. Kitaoka, Y. Mori, K. Hattori, H. Daimon, and K. Endo, Surf. Sci. 604, 1247 (2010). 10.1016/j.susc.2010.04.004
248. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001). 10.1063/1.1412591
249. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, and K. Maezawa, Phys. Status Solidi A 194, 447 (2002). 10.1002/1521-396X(200212)194:2<447::AID- PSSA447>3.0.CO;2-7
250. C. Bae, C. Krug, G. Lucovsky, A. Chakraborty, and U. Mishra, J. Appl. Phys. 96, 2674 (2004). 10.1063/1.1772884
251. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, G. Hill, and R. J. Airey, J. Phys. D: Appl. Phys. 35, 595 (2002). 10.1088/0022-3727/35/7/304
252. H. Kim, R. M. Thompson, V. Tilak, T. R. Prunty, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 24, 421 (2003). 10.1109/LED.2003.813375
253. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Cryst. Growth 189/190, 706 (1998). 10.1016/S0022-0248(98)00265-6
254. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998). 10.1063/1.122009
255. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and Y. Sano, Appl. Phys. Lett. 84, 613 (2004). 10.1063/1.1642276
256. K. Balachander, S. Arulkumaran, T. Egawa, Y. Sano, and K. Baskar, Mater. Sci. Eng. B 119, 36 (2005). 10.1016/j.mseb.2005.01.005
257. K. Balachander, S. Arulkumaran, Y. Sano, T. Egawa, and K. Baskar, Phys. Status Solidi A 202, R32 (2005). 10.1002/pssa.200410002
258. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 045208 (2001). 10.1103/PhysRevB.64.045208
259. D. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 89, 252104 (2006). 10.1063/1.2408657
260. D. J. Chen, Y. Q. Tao, C. Chen, Z. L. Xie, Z. Y. Zhai, X. S. Wu, P. Han, R. Zhang, and Y. D. Zheng, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 1896 (2007). 10.1116/1.2803728
261. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 88, 1983 (2000). 10.1063/1.1303722
262. S. Huang, Q. Jiang, S. Yang, C. Zhou, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 33, 516 (2012). 10.1109/LED.2012.2185921
263. C. J. Kao, J. K. Sheu, W. C. Lai, M. L. Lee, M. C. Chen, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 85, 1430 (2004). 10.1063/1.1784038
264. C. J. Kao, M. C. Chen, C. J. Tun, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, M. L. Lee, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 98, 064506 (2005). 10.1063/1.2058173
265. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 446 (2002). 10.1063/1.1436279
266. C.-T. Lee, H.-W. Chen, and H.-Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4304 (2003). 10.1063/1.1584520
267. K. Y. Park, H. I. Cho, J. H. Lee, S. B. Bae, C. M. Jeon, J. L. Lee, D. Y. Kim, C. S. Lee, and J. H. Lee, Phys. Status Solidi C 0, 2351 (2003). 10.1002/pssc.200303437
268. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005). 10.1063/1.1861122
269. Y. C. Chang, Appl. Phys. Lett. 93, 053504 (2008). 10.1063/1.2969282
270. Y. Yue, Y. Hao, J. Zhang, J. Ni, W. Mao, Q. Feng, and L. Liu, IEEE Electron Device Lett. 29, 838 (2008). 10.1109/LED.2008.2000949
271. Y. C. Chang, H. C. Chiu, Y. J. Lee, M. L. Huang, K. Y. Lee, M. Hong, Y. N. Chiu, J. Kwo, and Y. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 90, 232904 (2007). 10.1063/1.2746057
272. W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa, and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 23, 649 (2002). 10.1109/LED.2002.805000
273. E. P. Gusev, J. C. Cabral, M. Copel, C. D'Emic, and M. Gribelyuk, Microelectron. Eng. 69, 145 (2003). 10.1016/S0167-9317(03)00291-0
274. X. H. Xu, M. Wang, Y. Hou, S. R. Zhao, H. Wang, D. Wang, and S. X. Shang, Cryst. Res. Technol. 37, 431 (2002). 10.1002/1521-4079(200205)37:5<431::AID- CRAT431>3.0.CO;2-D
275. K. Balachander, S. Arulkumaran, H. Ishikawa, K. Baskar, and T. Egawa, Phys. Status Solidi A 202, R16 (2005). 10.1002/pssa.200409084
276. C.-C. Hu, M.-S. Lin, T.-Y. Wu, F. Adriyanto, P.-W. Sze, C.-L. Wu, and Y.-H. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 59, 121 (2012). 10.1109/TED.2011. 2171690
277. A. M. Herrero, B. P. Gila, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, V. Craciun, K. Siebein, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 89, 092117 (2006). 10.1063/1.2270058
278. X. Weng, W. Tian, D. G. Schlom, and E. C. Dickey, Appl. Phys. Lett. 96, 241901 (2010). 10.1063/1.3454924
279. J. S. Jur, V. D. Wheeler, D. J. Lichtenwalner, J. P. Maria, and M. A. L. Johnson, Appl. Phys. Lett. 98, 042902 (2011). 10.1063/1.3541883
280. X. Wang, O. I. Saadat, B. Xi, X. Lou, R. J. Molnar, T. Palacios, and R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 101, 232109 (2012). 10.1063/1.4770071
281. R. Mehandru, Appl. Phys. Lett. 82, 2530 (2003). 10.1063/1.1567051
282. B. Luo, Appl. Phys. Lett. 82, 1428 (2003). 10.1063/1.1559631
283. B. Luo, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002). 10.1063/1.1455692
284. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, B. P. Gila, M. Hlad, A. P. Gergerb, C. R. Abernathyb, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 154, H115 (2007). 10.1149/1.2405865
285. B. P. Gila, Solid-State Electron. 50, 1016 (2006). 10.1016/j.sse.2006.04. 001
286. H. C. Chiu, C. W. Lin, C. H. Chen, C. W. Yang, C. K. Lin, J. S. Fu, L. B. Chang, R. M. Lin, and K. P. Hsueh, J. Electrochem. Soc. 157, H160 (2010). 10.1149/1.3264622
287. S. Yang, S. Huang, H. Chen, C. Zhou, Q. Zhou, M. Schnee, Q.-T. Zhao, J. Schubert, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 33, 979 (2012). 10.1109/LED.2012.2195291
288. B. P. Gila, Phys. Status Solidi (a) 188, 239 (2001). 10.1002/1521- 396X(200111)188:1%3C239::AID-PSSA239%3E3.0.CO;2-D
289. A. Das, L. Chang, and R. Lin, AIP Adv. 2, 032159 (2012). 10.1063/1.4750481
290. W. H. Chang, J. Cryst. Growth 311, 2183 (2009). 10.1016/j.jcrysgro.2008. 10.079
291. J. W. Johnson, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000). 10.1063/1.1326041
292. J. W. Johnson, J. Electrochem. Soc. 148, G303 (2001). 10.1149/1.1368110
293. M. Hong, J. Kwo, T. D. Lin, and M. L. Huang, MRS Bull. 34, 514 (2009). 10.1557/mrs2009.139
294. Y. D. Wu, T. D. Lin, T. H. Chiang, Y. C. Chang, H. C. Chiu, Y. J. Lee, M. Hong, C. A. Lin, and J. Kwo, J. Vac. Sci. Technol. B 28, C3H10 (2010). 10.1116/1.3271141
295. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998). 10.1063/1.122927
296. C.-T. Lee, Y.-L. Chiou, and C.-S. Lee, IEEE Electron Device Lett. 31, 1220 (2010). 10.1109/LED.2010.2066543
297. G. Vanko, M. Vallo, J. Bruncko, and T. Lalinský, Vacuum 86, 672 (2012). 10.1016/j.vacuum.2011.07.028
298. W. Wang, J. Derluyn, M. Germain, M. Leys, S. Degroote, D. Schreurs, and G. Borghs, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L224 (2006). 10.1143/JJAP.45.L224
299. D. Deen, D. Storm, D. Meyer, D. Scott, R. Bass, S. Binari, and T. Gougousi, Physica Status Solidi C 8, 2420 (2011). 10.1002/pssc.201001071
300. C. Lin, H. Chiu, C. Lin, and J. S. Fu, Microelectron. Reliab. 51, 381 (2011). 10.1016/j.microrel.2010.08.009
301. H. Kim, M. Schuette, H. Jung, J. H. Song, J. Lee, and W. Lu, J. C. Mabon, Appl. Phys. Lett. 89, 053516 (2006). 10.1063/1.2234569
302. M. Z. Peng, Y. K. Zheng, K. Wei, and X. Y. Liu, Microelectron Eng. 87, 2638 (2010). 10.1016/j.mee.2010.07.039
303. H. Zhou, G. I. Ng, Z. H. Liu, and S. Arulkumaran, Appl. Phys. Express. 4, 104102 (2011). 10.1143/APEX.4.104102
304. K.-W. Kim, S.-D. Jung, D.-S. Kim, K.-S. Im, H.-S. Kang, J.-H. Lee, Y. Bae, D.-H. Kwon, and S. Cristoloveanu, Microelectron. Eng. 88, 1225 (2011). 10.1016/j.mee.2011.03.116
305. A. P. Edwards, J. A. Mittereder, S. C. Binari, D. S. Katzer, D. F. Storm, and J. A. Roussos, IEEE Electron Device Lett. 26, 225 (2005). 10.1109/LED.2005.844694
306. Y.-S. Lin, Y.-W. Lain, and S. S. H. Hsu, IEEE Electron Device Lett. 31, 102 (2010). 10.1109/LED.2009.2036576