Effects of threading dislocation density on the gate leakage of AlGaN/GaN heterostructures for high electron mobility transistors

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 2, 2011, Pages

  Kaun, Stephen W ^a   Wong, Man Hoi ^a   Dasgupta, Sansaptak ^a   Choi, Soojeong ^a   Chung, Roy ^a   Mishra, Umesh K ^a   Speck, James S ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES; GA-RICH CONDITIONS; GATE LEAKAGES; HETEROSTRUCTURES; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCHOTTKY CONTACTS; SCHOTTKY DIODES; SEMI-INSULATING GAN; THREADING DISLOCATION DENSITIES;

ELECTRON MOBILITY; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SILICON CARBIDE; SINGLE CRYSTALS;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 79951589442     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.024101     Document Type: Article

References (23)

1. T. Palacios, A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 781.
2. J. S. Moon, D. Wong, M. Hu, P. Hashimoto, M. Antcliffe, C. McGuire, M. Micovic, and P. Willadson: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 834.
3. C. Poblenz, P. Waltereit, S. Rajan, U. K. Mishra, J. S. Speck, P. Chin, I. Smorchkova, and B. Heying: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 1562.
4. B. Moran, F. Wu, A. E. Romanov, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck: J. Cryst. Growth 273 (2004) 38.
5. A. L. Corrion, C. Poblenz, F. Wu, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 103 (2008) 093529.
6. A. Corrion, C. Poblenz, P. Waltereit, T. Palacios, S. Rajan, U. K. Mishra, and J. S. Speck: IEICE Trans. Electron E89-C (2006) 906.
7. B. S. Simpkins, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 94 (2003) 1448.
8. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, X. L. Sun, L. J. Brillson, P. Waltereit, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 94 (2003) 7611.
9. J. J. M. Law, E. T. Yu, G. Koblmuller, F. Wu, and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 102111.
10. J. Northrup: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 2288.
11. C. H. Seagar, A. F. Wright, J. Yu, and W. Goetz: J. Appl. Phys. 92 (2002) 6553.
12. A. Armstrong, A. Arehart, D. Green, U. K. Mishra, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 98 (2005) 053704.
13. G. Koblmüller, R. M. Chu, A. Raman, U. K. Mishra, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 107 (2010) 043527.
14. D. S. Green, U. K. Mishra, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 95 (2004) 8456.
15. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 88 (2000) 1855.
16. C. Poblenz, P. Waltereit, and J. S. Speck: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 1379.
17. G. Koblmüller, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 161904.
18. Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 27 (2006) 713.
19. Y. J. Sun, O. Brandt, T. Y. Liu, A. Trampert, K. H. Ploog, J. Bläsing, and A. Krost: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 4928.
20. P. Waltereit, S. H. Lim, M. McLaurin, and J. S. Speck: Phys. Status Solidi A 194 (2002) 524.
21. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Ramsteiner, M. Reiche, M. Qi, and K. H. Ploog: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3660.
22. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 85 (1999) 6470.
23. D. C. Look and J. R. Sizelove: Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 1237.