Gate leakage current mechanisms in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 10, 2000, Pages 5951-5958

  Miller, E J ^a   Dang, X Z ^a   Yu, E T ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001668519     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1319972     Document Type: Article

References (18)

1. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Wang, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 73, 1089 (1998).
2. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
3. E. T. Yu, X. Z. Dang, L. S. Yu. D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, G. J. Sullivan, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 73, 1880 (1998).
4. X. Z. Dang, R. J. Welty, D. Qiao, P. M. Asbeck, S. S. Lau, E. T. Yu, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Electron. Lett. 35, 602 (1999).
5. G. Hanington, Y. M. Hsin, Q. Z. Liu, P. M. Asbeck, S. S. Lau, M. A. Khan, J. W. Yang, and Q. Chen. Electron. Lett. 34, 194 (1998).
6. M. H. Somerville, J. A. del Alamo, and P. Saunier, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1883 (1998).
7. A. J. Sierakowski and L. S. Eastman, J. Appl. Phys. 86, 3398 (1999).
8. W. R. Frensley, IEEE Trans. Electron Devices 28, 962 (1981).
9. M. H. Somerville and J. A. del Alamo, IEEE IEDM 96, 35 (1996).
10. S. R. Bahl, J. A. del Alamo, J. Dickmann, and S. Schildberg, IEEE Trans. Electron Devices 42, 15 (1995).
11. TMA MEDICI version, 1999.2.0: Two-dimensional device simulation program, Avant! Corp., Fremont, CA (1999).
12. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
13. C. W. Wang, J. Y. Liao, C. L. Chen, W. K. Lin, Y. K. Su, and M. Yokoyama, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1545 (1999).
14. G. L. Snider, computer program ID Poisson/Schrödinger: A band diagram calculator, University of Notre Dame, Notre Dame, IN (1995).
15. S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald, Appl. Phys. Lett. 66, 1249 (1995).
16. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, and S. S. Lau, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998).
17. A. M. Witowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, M. L. Sadowski, and P. Wyder, Appl. Phys. Lett. 75, 4154 (1999).
18. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, J. Appl. Phys. 87, 801 (1999).