Electrical characteristics of proton-irradiated Sc2O3 passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 9, 2003, Pages 1428-1430

  Luo, B ^a   Kim, Jihyun ^a   Ren, F ^a   Gillespie, J K ^b   Fitch, R C ^b   Sewell, J ^b   Dettmer, R ^b   Via, G D ^b   Crespo, A ^b   Jenkins, T J ^b   Gila, B P ^a   Onstine, A H ^a   Allums, K K ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a   Dwivedi, R ^c   Fogarty, T N ^c   Wilkins, R ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b AIR FORCE RESEARCH LABORATORY   (United States)

^c PRAIRIE VIEW A AND M UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; IONIZING RADIATION; PROTON IRRADIATION; SCANDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

BAND ENERGY;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 0037416652     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1559631     Document Type: Article

References (31)

1. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
2. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999).
3. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999).
4. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
5. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron. Devices 48, 465 (2001).
6. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
7. T. G. G. Maffeis, M. C. Simmonds, S. A. Clark, F. Peiro, P. Haines, and P. J. Parbrook, J. Phys. D 33, L115 (2000).
8. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
9. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
10. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, J. Zhang, A. Tarakji, A. Kumar, J. Yang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 22, 53 (2001).
11. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Phys. Status Solidi A 188, 219 (2001).
12. A. Koudymov, X. Hu, K. Simin, G. Simin, M. Ali, J. Yang, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 23, 449 (2002).
13. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. A. Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett. 36, 2043 (2000).
14. D. Mistele, T. Rotter, Z. Bougrioua, K. S. Röver, F. Fedler, H. Klausing, J. Stemmer, O. K. Semchinova, J. Aderhold, and J. Graul, Phys. Status Solidi A 188, 255 (2001).
15. J. W. Johnson, B. P. Gila, B. Luo, K. P. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, C. C. Chuo, and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 148, G303 (2001).
16. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 23, 458 (2002).
17. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett. 37, 130 (2001).
18. W. Lu, V. Kumar, R. Schwindt, E. Piner, and I. Adesida, Solid-State Electron. 46, 1441 (2002).
19. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, G. Hill, and R. J. Airey, J. Phys. D 35, 595 (2002).
20. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
21. S. Keller, Y.-F. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. J. Xu, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 552 (2001).
22. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2001).
23. J. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. Via, A. Crespo, T. Jenkins, B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 23, 505 (2002).
24. B. Luo, J. W. Johnson, B. P. Gila, C. R. Abernathy, F. Ren, S. J. Pearton, A. G. Baca, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, and P. P. Chow, Solid-State Electron. 46, 467 (2002).
25. B. J. Ansell, I. Harrison, and C. T. Foxon, Phys. Status Solidi A 188, 279 (2001).
26. S. J. Cai, Y. S. Tang, R. Li, Y. Y. Wei, L. Wong, Y. L. Chen, K. L. Wang, M. Chen, R. D. Schrimpf, J. C. Keay, and K. F. Galloway, IEEE Trans. Electron Devices 47, 304 (2000).
27. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 79, 2196 (2001).
28. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. A. Abernathy, S. J. Pearton, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, D. Schoenfeld, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett. 80, 604 (2002).
29. S. A. Vituserich, N. Klein, A. E. Belyaev, S. V. Danylyuk, M. V. Petrycherch, R. V. Kmokova, A. M. Kurakin, A. E. Rengovich, V. Tilak, J. Smart, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 719, F5.4.1 (2002).
30. W. A. Harrison, Electronic Structure and Properties of Solids (Freeman, San Francisco, 1980).
31. G. H. Kinchin and R. S. Pease, Rep. Prog. Phys. 18, 1 (1955).