Si3N4/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 17, 2001, Pages 2832-2834

  Hu, X ^a   Koudymov, A ^a   Simin, G ^a   Yang, J ^a   Asif Khan, M ^a   Tarakji, A ^b   Shur, M S ^b   Gaska, R ^b  

^a University of South Carolina   (United States)

^b SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035934801     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1412591     Document Type: Article

References (15)

1. S. Sheppard, W. L. Pribble, D. T. Emerson, Z. Ring, R. P. Smith, S. T. Allen, and J. W. Palmour, 58th Device Research Conference, 19-21 June 2000, Denver, CO, DRC Digest, p. 37.
2. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999).
3. C. Nguyen, N. X. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1380 (1999).
4. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999).
5. R. Dietrich, A. Wieszt, A. Vescan, H. Leier, J. M. Redwing, Karim S. Boutros, K. Kornitzer, R. Freitag, T. Ebner, and K. Thonke, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 5, 1 (2000).
6. S. Binari, K. Ikosssi, J. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. Dietrich, D. Koleske, A. Wickenden, and R. Henry, IEEE Trans. Elec. Dev. 48, 465 (2001).
7. M. Asif Khan, X. Hu, G. Simin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
8. M. Asif Khan, X. Hu, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
9. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, J. Zhang, A. Tarakji, A. Kumar, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 22, 53 (2001).
10. G. Simin, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Phys. Status Solidi A 188, 2 (2001).
11. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, and M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001).
12. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
13. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
14. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2651 (2001).
15. E. Chumbes, J. Smart, T. Prunty, and J. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 416 (2001).