Improved transport properties of the two-dimensional electron gas in AlGaNGaN heterostructures by AlN surface passivation layer

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 25, 2006, Pages

  Chen, D J ^a   Tao, Y Q ^a   Chen, C ^a   Zhang, R ^a   Zheng, Y D ^a   Wang, M J ^b   Shen, B ^b   Li, Z H ^c   Jiao, G ^c   Chen, T S ^c  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

^c NANJING ELECTRONIC DEVICES INSTITUTE   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON GAS; PASSIVATION; SILICA; TRANSPORT PROPERTIES;

ALGANGAN HETEROSTRUCTURES; PASSIVATION LAYERS; SURFACE PASSIVATION;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 33845928175     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2408657     Document Type: Article

References (16)

1. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 1634 (2001).
2. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 121 (2000).
3. L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikman, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 25, 7 (2004).
4. X. Z. Dang, E. T. Yu, E. J. Piner, and B. T. McDermott, J. Appl. Phys. 90, 1357 (2001).
5. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
6. B. Jogai, J. Appl. Phys. 93, 1631 (2003).
7. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 83, 2608 (2003).
8. C. M. Jeon and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 172101 (2005).
9. Z. H. Feng, Y. G. Zhou, S. J. Cai, and Kei May Lau, Appl. Phys. Lett. 85, 5248 (2004).
10. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
11. V. Adivarahan, M. Gaevski, W. H. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, IEEE Electron Device Lett. 24, 541 (2003).
12. M. Kuball, J. M. Hayes, M. J. Uren, T. Martin, J. C. H. Birbeck, R. S. Balmer, and B. T. Hughes, IEEE Electron Device Lett. 23, 7 (2002).
13. R. Gaska, A. Osinsky, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 19, 89 (1998).
14. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
15. J. P. Ibbeston, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
16. Y. Q. Tao, D. J. Chen, Y. C. Kong, B. Shen, Z. L. Xie, P. Han, R. Zhang, and Y. D. Zheng, J. Electron. Mater. 35, 722 (2006).