Inversion-channel GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with atomic-layer-deposited Al2 O3 as gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 5, 2008, Pages

  Chang, Y C ^a   Chang, W H ^a   Chiu, H C ^a   Tung, L T ^a   Lee, C H ^a   Shiu, K H ^a   Hong, M ^a   Kwo, J ^a   Hong, J M ^b   Tsai, C C ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b HUGA Optotech Inc   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC DEVICES; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRODEPOSITION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); MOS CAPACITORS; MOSFET DEVICES; OZONE WATER TREATMENT; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

ATOMIC-LAYER-DEPOSITED; BIASING FIELDS; DRAIN VOLTAGES; FIELD EFFECTS; GATE LENGTHS; GATE VOLTAGES; I-V CHARACTERISTICS; INTERFACIAL DENSITIES; LOW-LEAKAGE CURRENTS; MAXIMUM DRAIN CURRENTS; METAL-OXIDE SEMICONDUCTORS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS; MOSFETS; N CHANNELS; OFF-STATE LEAKAGES;

DRAIN CURRENT;

EID: 51849108058     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2969282     Document Type: Article

References (20)

1. B. Gelmont, K. Kim, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 1818 (1993).
2. T. P. Chow, MRS Symposium No. 622 (Materials Research Society, Pittsburgh, 2000), Paper No. T1.1.1.
3. W. C. Lee, Y. J. Lee, L. T. Tung, S. Y. Wu, C. H. Lee, M. Hong, H. M. Ng, J. Kwo, and C. H. Hsu, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 1064 (2008).
4. K. J. Lee, E. H. Shin, and K. Y. Lim, Appl. Phys. Lett. 85, 1502 (2004).
5. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).
6. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
7. M. Higashiwaki, T. Matsui, and T. Mimura, IEEE Electron Device Lett. 27, 16 (2006).
8. W. Huang, T. Khan, and T. P. Chow, IEEE Electron Device Lett. 27, 796 (2006).
9. H. B. Lee, H. I. Cho, H. S. An, Y. H. Bae, M. B. Lee, J. H. Lee, and S. H. Hahm, IEEE Electron Device Lett. 27, 81 (2006).
10. Y. Q. Wu, P. D. Ye, G. D. Wilk, and B. Yang, Mater. Sci. Eng., B 135, 282 (2006).
11. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. M. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
12. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
13. Y. C. Chang, Y. J. Lee, Y. N. Chiu, T. D. Lin, S. Y. Wu, H. C. Chiu, J. Kwo, Y. H. Wang, and M. Hong, J. Cryst. Growth 301-302, 390 (2007).
14. Y. Irokawa, Y. Nakano, M. Ishiko, T. Kachi, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C. C. Pan, G. T. Chen, and J. I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 84, 2919 (2004).
15. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002).
16. Y. C. Chang, H. C. Chiu, Y. J. Lee, M. L. Huang, K. Y. Lee, M. Hong, Y. N. Chiu, J. Kwo, and Y. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 90, 232904 (2007).
17. Y. N. Saripalli, L. Pei, T. Biggerstaff, S. Ramachandran, G. J. Duscher, M. A. L. Johnson, C. Zeng, K. Dandu, Y. Jin, and D. W. Barlage, Appl. Phys. Lett. 90, 204106 (2007).
18. M. Hong, A. R. Kortan, H. M. Ng, J. Kwo, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and K. A. Anselm, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1274 (2002).
19. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104 (2005).
20. Y. L. Huang, P. Chang, Z. K. Yang, Y. J. Lee, H. Y. Lee, H. J. Liu J. Kwo, J. P. Mannaerts, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 86, 191905 (2005).