Measurement of the band offsets of SiO2 on clean n- and p-type GaN(0001)

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 7, 2003, Pages 3995-4004

  Cook Jr , T E ^a   Fulton, C C ^a   Mecouch, W J ^a   Tracy, K M ^a   Davis, R F ^a   Hurt, E H ^b   Lucovsky, G ^b   Nemanich, R J ^b  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; DENSIFICATION; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SILICA; TENSILE STRESS; ULTRAHIGH VACUUM; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

HIGH VOLTAGE DEVICES;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0037394543     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1559424     Document Type: Article

References (53)

1. A. Munoz, N. Chetty, and Richard M. Martin, Phys. Rev. B 41, 2976 (1990).
2. E. H. Hurt, Ted E. Cook, Jr., K. M. Tracy, R. F. Davis, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, in GaN and Related Alloys, edited by J. E. Northrup, J. Neugebauer, S. F. Chichibu, D. C. Look, and H. Riechert, MRS Symposium Proceedings No. 693 (Materials Research Society, Pittsburgh, 2002), p. I9.10.1.
3. Z. A. Wienberg and A. Hartstein, J. Appl. Phys. 54, 2517 (1983).
4. F. J. Grunthaner and P. J. Grunthaner, Mater. Sci. Rep. 1, 65 (1986).
5. S. Horiguchi and H. Yoshino, J. Appl. Phys. 58, 1597 (1985).
6. D. Babic and E. H. Nicollian, J. Appl. Phys. 78, 4516 (1995).
7. H. Nohira and T. Hattori, Appl. Surf. Sci. 117/118, 199 (1997).
8. J. Baur, K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, and J. Schneider, Appl. Phys. Lett. 65, 2211 (1994).
9. Z. Sitar, M. J. Paisley, B. Yan, F. Davis, J. Ruan, and J. W. Choyke, Thin Solid Films 200, 311 (1991).
10. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, H. Morkoc, and A. Botchkarev, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
11. S. W. King, R. F. Davis, C. Ronning, M. C. Benjamin, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 86, 4483 (1999).
12. J. T. Torvik, M. Leksono, J. I. Pankove, B. Van Zeghbroeck, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 1371 (1998).
13. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996).
14. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998).
15. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
16. M. Sawada, T. Sawada, T. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Cryst. Growth 189/190, 706 (1998).
17. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
18. T. Sawada, Y. Ito, K. Imai, K. Suzuki, H. Tomozawa, and S. Sakai, Appl. Surf. Sci. 159-160, 449 (2000).
19. P. J. Hartlieb, W. Platow, A. Roskowski, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 91, 732 (2002).
20. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
21. K. Shiojima, R. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 74, 1936 (1999).
22. R. Schlaf, O. Lang, C. Pettenkofer, and W. Jaegermann, J. Appl. Phys. 85, 2732 (1999).
23. J. Tersoff, Phys. Rev. B 30, 4874 (1984).
24. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
25. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Phys. Rev. Lett. 43, 1686 (1979).
26. K. Horn, Appl. Phys. A: Solids Surf. 51, 289 (1990).
27. D. W. Kim, J. C. Bae, W. J. Kim, H. K. Baik, J. M. Myoung, and S. M. Lee, J. Electron. Mater. 30, 183 (2001).
28. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M. S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
29. C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Auger III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
30. V. Yu. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobson, and O. K. Semchinova, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997).
31. B. L. Ward, J. D. Hartman, E. H. Hurt, K. M. Tracy, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2082 (2000).
32. C. I. Wu and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 74, 546 (1999).
33. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 80, 1731 (2002).
34. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
35. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis (Wiley, Chichester, England, 1990).
36. V. Papaefthimiou, A. Siokou, and S. Kennou, J, Appl. Phys. 91, 4213 (2002).
37. D. Briggs, Surface Analysis of Polymers by XOS and Static SIMS (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1998).
38. H. P. Bonzel, G. Pirug, and J. Verhasselt, Chem. Phys. Lett. 271, 113 (1997).
39. C. C. Fulton, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1726 (2002).
40. W. Kern, J. Electrochem. Soc. 116, 251C (1969).
41. W. A. Pliskin and P. P. Castrucci, Electrochem. Technol. 6, 85 (1968).
42. S. Rojas, L. Zanotti, A. Borghesi, A. Sassalla, and G. U. Pignatel, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2081 (1993).
43. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, in Heterojunction Band Discontinuities: Physics and Device Applications, edited by F. Capasso and G. Margaritondo (Elsevier, New York, 1987).
44. R. Dimitrov, V. Tilak, W. Yeo, B. Green, H. Kim, J. Smart, E. Chumbes, J. R. Shealy, W. Schaff, L. F. Eastman, C. Miskys, O. Ambacher, and M. Stutzman, Solid-State Electron. 44, 1361 (2000).
45. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. Davis, Appl. Surf. Sci. 166, 513 (2000).
46. A. Zoroddu, F. Bernardini, P. Ruggerone, and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 64, 045208 (2001).
47. N. Binggeli, P. Ferrara, and A. Baldereschi, Phys. Rev. B 63, 245306 (2001).
48. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley-Interscience, New York, 1981).
49. V. K. Adamchuk and V. V. Afanasev, Phys. Status Solidi A 132, 371 (1992).
50. S. Miyazaki, T. Tamura, M. Ogasawara, H. Itokawa, H. Murakami, and M. Hirose, Appl. Surf. Sci. 159-160, 75 (2000).
51. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
52. A. W. Cowley and S. M. Sze, J. Appl. Phys. 36, 3212 (1965).
53. W. Monch, J. Appl. Phys. 80, 5076 (1996).