Sputtering and etching of GaN surfaces

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 105, Issue 41, 2001, Pages 10029-10036

  Lai, Ying Huang ^a   Yeh, Chuin Tih ^a   Hwang, Jung Min ^a   Hwang, Huey Liang ^a   Chen, Chien Te ^b   Hung, Wei Hsiu ^b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ION-ASSISTED CHEMICAL ETCHING;

AGGREGATES; CHLORINATION; EMISSION SPECTROSCOPY; ETCHING; GALLIUM NITRIDE; ION BEAMS; ION BOMBARDMENT; SPUTTERING; SYNCHROTRON RADIATION;

SURFACE REACTIONS;

EID: 0035909718     PISSN: 10895647     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp011728k     Document Type: Article

References (33)

1. Pan, J.S.; Wee, A.T.S.; Huan, C.H.A.; Tan, H.S.; Tan, K.L. J. Appl. Phys. 1996, 80, 6655.
2. Pearton, S.J. Mater. Sci. Eng. B 1996, 40, 101.
3. Liu, C.; Mensching, B.; Zeitler, M.; Volz, K.; Rauschenach, B. Phys. Rev. B 1998, 57, 2530.
4. Eddy, C.R., Jr.; Molnar, B. J. Electron. Mater. 1999, 28, 314.
5. Ishikawa, H.; Kobayashi, S.; Koide, Y.; Nagai, S.; Umezaki, J.; Koike, M.; Murakami, M. J. Appl. Phys. 1997, 81, 1313.
6. Kim, H.S.; Lee, Y.H.; Yeom, G.Y.; Lee, J.W.; Kim, T.I. Mater. Sci. Eng. B 1997, 50, 80.
7. Mistele, D.; Aderhold, J.; Klausing, H.; Rotter, R.; Semchinova, O.; Stemmer, J.; Uffman, D.; Graul, J.; Eberhard, F.; Mayer, M.; Schauler; M.; Kamp, M.; Ahrens, C. Semicond. Sci. Technol. 1999, 14, 637.
8. Wu, C.I.; Kahn, A.; Taskar, N.; Dorman, D.; Gallagher, D. J. Appl. Phys. 1998, 83, 4249.
9. Hahn, Y.B.; Hays, D.C.; Donovan, S.M.; Abernathy, C.R.; Han, J.; Shul, R.J.; Cho, H.; Jung, K.B.; Pearton, S.J. J. Vac. Sci. Technol. A 1999, 17, 768.
10. Kim, H.S.; Yeom, G.Y.; Lee, J.W.; Kim, T.I. Thin Solid Film 1999, 341, 180.
11. Pearton, S.J.; Abernathy, C.R.; Ren, F.; Lothian, J.R. J. Appl. Phys. 1994, 76, 1210.
12. Bermudez, V.M. J. Appl. Phys. 1996, 80, 1190.
13. Bermudez, V.M.; Koleske, D.D.; Wickenden, A.E. Appl. Surf. Sci. 1998, 126, 69.
14. Bermudez, V.M.; Jung, T.M.; Doverspike, K.; Wickenden, A.E. J. Appl. Phys. 1996, 79, 101.
15. Smith, A.R.; Feenstra, R.M.; Greve, D.W.; Shin, M.S.; Skowronski, M.; Neugebauer, J.; Northrup, J.E. J. Vac. Sci. Technol. B 1998, 16, 2242.
16. Shul, R.J.; Briggs, R.D.; Pearton, S.J.; Vartuli, C.B.; Abernathy, C.R.; Lee, J.W.; Constantine, C.; Brratt, C. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997, 499, 969.
17. Frick, J.; Yang, B.; Brandt, O.; Ploog, K. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3471.
18. Hunt, R.W.; Vanzetti, L.; Castro, T.; Chert, K.M.; Sorba, L.; Cohen, P.I.; Gladfelter, W.; Van Hove, J.M.; Kuznia, J.N.; Khan, M.A.; Franciosi, A. Physica B 1993, 185, 415.
19. Winters, H.F.; Coburn, J.W. Surf. Sci. Rep. 1992, 14, 261.
20. Coburn, J.W.; Winters, H.F. J. Voc. Sci. Technol. 1979, 16, 391.
21. Winters, H.F. J. Voc. Sci. Technol. A 1988, 6, 1997.
22. Geis, M.W.; Lincoln, G.A.; Efremow, N.; Piacentini, W.J. J. Vac. Sci. Tchnol. 1981, 19, 1390.
23. Ping, A.T.; Schmitz, A.C.; Asif Kahn, M.; Adesida, I.J. Electron. Mater. 1996, 25, 825.
24. Hung, W.H.; Hsieh, J.T.; Hwang, H.L.; Hwang, H.Y.; Chang, C.C. Surf. Sci. 1998, 418, 46.
25. Shul, R.J.; Kilcoyne, S.P.; Hagerott Crawford, M.; Parmeter, J.E.; Varttuli, C.B.; Abernathy, C.R.; Pearton, S.J. Appl. Phys. Lett. 1995, 66, 1761.
26. Adesida, I.; Ping, A.T.; Youtsey, C.; Dow, T.; Asif Khan, M.; Olson, D.T.; Kuznia, J.N. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 889.
27. Hung, W.H.; Wu, S.L.; Chang, C.C. J. Phys. Chem. 1998, 102, 1141.
28. Simpson, W.C.; Tong, W.M.; Weare, C.B.; Shuh, D.K.; Yarmoff, J.A. J. Chem. Phys. 1996, 104, 320.
29. Smith, A.R.; Feenstra, R.M.; Greve, D.W.; Neugebauer, J.; Northrup, J.E. Phys. Rev. Lett. 1997, 79, 3934.
30. Lau, W.M.; Sodhi, R.N.S.; Flinn, B.J.; Tan, K.H.; Bancroft, G. M. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 177.
31. Grandjean, N.; Massies, J.; Semond, F.; Karpov, S.Y.; Talalaev, R.A. Appl. Phys. Lett. 1999, 29, 1854.
32. Sullivan, D.J.D.; Flaum, H.C.; Kummel, A.C. J. Chem. Phys. 1994, 101, 197.
33. Wang, W.K.; Simpson, W.C.; Yarmoff, J.A. Phys. Rev. B 2000, 61, 2164.