Effect of temperature on Ga2O3(Gd2O3)/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 26, 1998, Pages 3893-3895

  Ren, F ^a   Hong, M ^b   Chu, S N G ^b   Marcus, M A ^b   Schurman, M J ^c   Baca, A ^d   Pearton, S J ^a   Abernathy, C R ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^c EMCORE Corporation   (United States)

^d SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DIODES; DRY ETCHING; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC RESISTANCE; LEAKAGE CURRENTS; MATHEMATICAL MODELS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PERMITTIVITY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; THERMAL EFFECTS;

CONTACT RESISTANCE; ELECTRON BEAM EVAPORATION; GATE LEAKAGE;

MOSFET DEVICES;

EID: 0032576518     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122927     Document Type: Article

References (25)

1. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. M. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
2. S. C. Binari, W. Kruppe, H. B. Dietrich, G. Kelner, A. E. Wickenden, and J. A. Freitas, Solid-State Electron. 41, 1549 (1997).
3. M. S. Shur, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 15 (1998).
4. J. Burm, K. Chu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 141 (1997).
5. R. Gaska Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Kahn, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
6. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. S. Shur, and B. Gelmark, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
7. Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kenias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
8. Y. F. Yu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolneck, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
9. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. C. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
10. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
11. O. Akatas, Z. F. Fan, A. Botcharev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jenkins, L. Kehias, and H. Morkoc, IEEE Electron Device Lett. 18, 293 (1997).
12. M. S. Minsky, M. White, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 68, 1531 (1996).
13. C. Youtsey, I. Adesida, and G. Bulman, J. Electron. Mater. 27, 282 (1998).
14. F. Ren, J. R. Lothian, Y. K. Chen, R. Karlicek, L. Toan, M. Schurman, R. A. Stall, J. W. Lee, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 41, 1819 (1997).
15. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, R. L. Opila, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. Ren, and J. Kwo, IEEE Trans. Electron Devices 44, 214 (1997).
16. F. Ren, M. Hong, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. R. Lothian, H. S. Tsai, J. Lin, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, 1997 IEEE GaAs IC Symposium, Anaheim, CA, Oct. 12-15, 1997.
17. F. Ren, J. M. Kuo, M. Hong, W. S. Hobson, J. R. Lothian, J. Lin, H. S. Tsui, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett. 19, 309 (1998).
18. M. J. Schurman, T. Salgaj, C. Tran, R. Karlicek, I. Ferguson, R. Stall, and A. Thompson, Mater. Sci. Eng., B 43, 222 (1997).
19. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2297 (1996).
20. D. Y. Noh, Y. Hwu, H. K. Kim, and M. Hong, Phys. Rev. B 51, 4441 (1995).
21. L. G. Parratt, Phys. Rev. 95, 359 (1954).
22. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
23. S. C. Binari, H. B. Dietrich, and E. E. Haller, Electron. Lett. 30, 909 (1997).
24. M. T. Hirsch, K. J. Duxstad, and E. E. Haller, Electron. Lett. 33, 95 (1997).
25. A. T. Ping, A. C. Schmitz, M. A. Khan, and I. Adesida, Electron. Lett. 32, 68 (1996).