SiO2/Gd2O3/GaN Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 148, Issue 6, 2001, Pages

  Johnson, J W ^a   Gila, B P ^a   Luo, B ^a   Lee, K P ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a   Chyi, J I ^b   Nee, T E ^b   Lee, C M ^b   Chuo, C C ^b   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 18044402125     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1368110     Document Type: Article

References (27)

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren. J. Phys., 86, 1 (1999).
2. S. C. Jain, M. Wilander, J. Narayan, and R. Van Overstaeten, J. Appl. Phys., 87, 965 (2000).
3. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. M. Redwing, Electron. Lett., 33, 1230 (1997).
4. S. C. Binari, W. Kruppe, H. B. Dietrich, G. Kelner, A. E. Wickenden, and J. A. Freitas, Solid-State Electron., 41, 1549 (1997).
5. J. Burm, K. Chu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 18, 141 (1997).
6. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett., 18, 492 (1997).
7. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. C. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett., 19, 198 (1998).
8. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett., 19, 54 (1998).
9. O. Akatas, Z. F. Fan, A. Botcharev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jenkins, L. Kehias, and H. Morkoc, IEEE Electron Device Lett., 18, 293 (1997).
10. R. J. Trew, M. W. Shin, and V. Gatto, Solod-State Electron., 41, 1561 (1997).
11. Y. F. Wu, B. P Keller, S. Keller, J. J. Xu, B. J. Thibeault, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEICE Trans. Electron., 11, 1895 (1999).
12. Q. Chen, J. W. Yang, M. Blasingame, C. Faber, A. T. Ping, and I. Adesida, Mater. Sci. Eng., B. 59, 395 (1999).
13. D. E. Grider, N. X. Nguyen, and C. Nguyen, Solid-State Electron., 43, 1473 (1999).
14. F. Ren, M. Hong, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. R. Lothian, H. S Tsai, J. Lin, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Paper presented at 1997 IEEE GaAs IC Symposium, Anaheim. CA. Oct 12-15, 1997.
15. F. Ren, J. M. Kuo, M. Hong, W. S. Hobson, J. R. Lothian, J. Lin, H. S. Tsai, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett., 19, 309 (1997).
16. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett., 73, 3893 (1998).
17. M. Hong, Y. C. Wang, F. Ren, J. P. Mannaerts, J. Kwo, A. R. Kortan, J. N. Baillargeon, and A. Y. Cho, Abstract 437. The Electrochemical Society Meeting Abstracts. Vol. 2000-I. Toronto, Ontario, Canada, May 14-18. 2000.
18. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science, 283, 1897 (1999).
19. S. S. Derbencva and S. S. Batsano, Dokl. Chem., 175, 710 (1967).
20. S. S. Batsono and E. V. Dulepov, Soviet Physics-Solid State. 7, 995 (1965).
21. K. A. Gschneider, Rare Earth Alloys (Russian translation) Izd. Mir., Moscow (1965).
22. B. P. Gila, K. N. Lee, J. Laroche, F. Ren, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, and J. Han, Paper presented at MRS Spring 1999 Meeting. San Francisco, CA, April 5-9, 1999.
23. B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, W. Johnson, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Paper presented at the 47th International Symposium of the AVS, Boston, MA, Oct 2-6, 2000.
24. G. Dang, X. A. Cao, F. Ren, S. J. Pearton, J. Han, A. G. Baca, and R. J. Shul, J. Vac. Sci. Technol. A. 17, 2015 (1999).
25. Y. Wang, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, S. T. Aheppard, J. W. Palmour, and L. A. Lipkin, J. Electron. Mater., 25, 899 (1996).
26. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, J. Appl. Phys., 88, 1983 (2000).
27. X. A. Cao, S. J. Pearton, and F. Ren, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 25, 279 (2000).