Gd2O3/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 20, 2000, Pages 3230-3232

  Johnson, J W ^a   Luo, B ^a   Ren, F ^a   Gila, B P ^b   Krishnamoorthy, W ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b   Chyi, J I ^c   Nee, T E ^c   Lee, C M ^c   Chuo, C C ^c  

^a University of Florida   (United States)

^b UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^c NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001257727     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1326041     Document Type: Article

References (31)

1. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. Van Hove, and J. M. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
2. S. C. Binari, W. Kruppe, H. B. Dietrich, G. Kelner, A. E. Wickenden, and J. A. Freitas, Solid-State Electron. 41, 1549 (1997).
3. M. S. Shur, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 15 (1998).
4. J. Burm, K. Chu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and M. S. Shur. IEEE Electron Device Lett. 18, 141 (1997).
5. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
6. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. S. Shur, and B. Gelmark, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
7. Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kenias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
8. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolneck, P. Kozodoy, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
9. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. C. Pierson, and B. T. McDermott, IEEE Electron Device Lett. 19, 198 (1998).
10. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
11. O. Akatas, Z. F. Fan, A. Botcharev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jen-kins, L. Kenias, and H. Morkoc, IEEE Electron Device Lett. 18, 293 (1997).
12. F. Ren, J. R. Lothian, Y. K. Chen, R. Karlicek, L. Toan, M. Schurman, R. A. Stall, J. W. Lee, and S. J. Pearton, Solid-State Electron. 41, 1819 (1997).
13. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
14. F. Ren, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, B. P. Gila, S. J. Pearton, M. Hong, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. G. Baca, and R. J. Shul, Solid-State Electron. 42, 2177 (1998).
15. M. Hong, H. M. Ng, J. Kwo, A. R. Kortan, J. N. Baillargeon, K. A. Anselm, J. P. Manaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, T. S. Lay, F. Ren, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2000).
16. M. Hong, H. M. Ng, J. Kwo, A. R. Kortan, J. N. Baillargeon, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, A. V. Cho, F. Ren, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and J. I. Chyi, Proceedings of the 197th Meeting of the Electrochemical Society, May, 2000, Toronto, Canada.
17. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
18. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
19. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Phys. Status Solidi A 176, 793 (1999).
20. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
21. S. S. Derbeneva and S. S. Batsano, Dokl. Chem. 175, 710 (1967).
22. S. S. Batsono and E. V. Dulepov, Sov. Phys. Solid State 7, 995 (1965).
23. K. A. Gschneider, Rare Earth Alloys (Izd. Mir. 1965), Russian translation.
24. R. G. Haire and L. Eyring, Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earths (1994), Vol. 18, p. 429.
25. A. R. Mortan, M. Hong, J. Kwo, J. P. Mannaerts, and N. Kopylov, Mater. Res. Soc. Symp. Proc, 573, 21 (1999).
26. B. Gila, K. N. Lee, J. LaRoche, F. Ren, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, and J. Han, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 573, 247 (1999).
27. K. N. Lee, S. M. Donovan, B. Gila, M. Overberg, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, and R. G. Wilson, J. Electrochem. Soc. 147, 3087 (2000).
28. B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, J. W. Johnson, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, to be presented at the 47th International Symposium of the AVS, Boston, Oct. 2-6, 2000.
29. J. W. Johnson, B. P. Gila, B. Luo, K. P. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, C. C. Chuo, T. J. Anderson, and F. Ren, to be presented at the 198th Meeting of the Electrochemical Society, Phoenix, Oct. 22-27, 2000.
30. G. Dang, X. A. Cao, F. Ren, S. J. Pearton, J. Han, A. G. Baca, and R. J. Shul, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2015 (1999).
31. X. A. Cao, S. J. Pearton, and F. Ren, Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. (to be published).