SF6O2 plasma effects on silicon nitride passivation of AlGaNGaN high electron mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 22, 2006, Pages

  Meyer, David J ^a   Flemish, Joseph R ^a   Redwing, Joan M ^a  

^a PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON MOBILITY; PLASMA THEORY; REDUCTION; SILICON NITRIDE; SULFUR COMPOUNDS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS (HEMT); PLASMA TREATMENTS; RF DISPERSION;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 33751584594     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2400100     Document Type: Article

References (18)

1. V. Kumar, G. Chen, S. Guo, B. Peres, I. Eliasevich, and I. Adesida, Electron. Lett. 41, 1080 (2005).
2. J. W. Lee, V. Kumar, and I. Adesida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 45, 13 (2006).
3. H. Xu, S. Gao, S. Heikman, S. I. Long, U. K. Mishra, and R. A. York, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett. 16, 22 (2006).
4. C. Lee, L. Witkowski, H. Q. Tserng, P. Saunier, R. Birkhahn, D. Olson, G. Munns, S. Guo, and B. Albert, Electron. Lett. 41, 155 (2005).
5. Y. Sun and L. F. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices 52, 1689 (2005).
6. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, P. Doewon, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
7. G. Koley, V. Tilak, L. F. Eastman, and M. G. Spencer, IEEE Trans. Electron Devices 50, 886 (2003).
8. G. H. Jessen, R. C. Fitch, J. K. Gillespie, G. D. Via, B. D. White, S. T. Bradley, D. E. Walker, Jr., and L. J. Brillson, Appl. Phys. Lett. 83, 485 (2003).
9. H. Kim, J. Lee, D. Liu, and W. Lu, Appl. Phys. Lett. 86, 143505 (2005).
10. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and Y. Sano, Appl. Phys. Lett. 84, 613 (2004).
11. B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, A. Crespo, and Y. Irokawa, J. Electrochem. Soc. 149, G613 (2002).
12. B. P. Gila, M. Hlad, A. H. Onstine, R. Frazier, G. T. Thaler, A. Herrero, E. Lambers, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, T. Anderson, S. Jang, F. Ren, N. Moser, R. C. Fitch, and M. Freund, Appl. Phys. Lett. 87, 163503 (2005).
13. F. A. Khan, V. Kumar, and I. Adesida, Electrochem. Solid-State Lett. 5, 8 (2002).
14. Y. Cai, Y. Zhou, K. J. Chen, and K. M. Lau, IEEE Electron Device Lett. 26, 435 (2005).
15. T. Palacios, C. S. Suh, A. Chakraborty, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 428 (2006).
16. L. Shen, T. Palacios, C. Poblenz, A. Corrion, A. Chakraborty, N. Fichtenbaum, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 214 (2006).
17. Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, C. Gaquiere, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, and M. Germain, Solid-State Electron. 49, 1589 (2005).
18. G. S. Marlow and M. B. Das, Solid-State Electron. 25, 91 (1982).