Surface passivation of gan and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 21, Issue 4, 2003, Pages 1828-1838

  Hashizume, Tamotsu ^a   Ootomo, Shinya ^a   Inagaki, Takanori ^a   Hasegawa, Hideki ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; OXIDATION; PASSIVATION; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

DRAIN SATURATION CURRENT;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0141569703     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1585077     Document Type: Conference Paper

References (39)

1. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
2. M. A. Kahn, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
3. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
4. E. D. Readinger, B. P. Luther, S. E. Mohney, and E. L. Piner, J. Appl. Phys. 89, 7983 (2001).
5. S. W. King, J. P. Bamak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998).
6. P. J. Hartlieb, A. Roskowski, R. F. Davis, A. Platow, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 91, 732 (2002).
7. T. Hashizume, S. Ootomo, R. Nakasaki, S. Oyama, and M. Kihara, Appl. Phys. Lett. 76, 2880 (2000).
8. T. Hashizume, R. Nakasaki, S. Ootomo, S. Oyama, and H. Hasegawa, Mater. Sci, Eng., B 80, 309 (2001).
9. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci, Technol. B 19, 1675 (2001).
10. S. C. Binari, L. B. Rowland, G. Kelner, W. Kruppa, H. B. Dietrich, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Proceedings of the 21st International Symposium on Compound Semiconductors, San Diego (1994).
11. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron, Lett. 34, 592 (1998).
12. S. Imanaga, F. Nakamura, and H. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 1194 (2001).
13. T. Hashizume, R. Nakasaki, and H. Hasegawa, Abstracts of 41st Electronic Materials Conference (1999), p. 29.
14. R. Nakasaki, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Physica E (Amsterdam) 7, 953 (2000).
15. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. M. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
16. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 381 (2000).
17. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).
18. T. Kikkawa, M. Nagahara, N. Okamoto, Y. Tateno, Y. Yamaguchi, N. Hara, K. Joshin, and P. M. Asbeck, Tech, Dig. - Int. Electron Devices Meet. 585 (2001).
19. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, and K. Maezawa, Phys. Status Solidi A 194, 447 (2002).
20. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. Davis, Appl. Surf. Sci. 166, 513 (2000).
21. M. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
22. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001).
23. K. Inoue, Y. Ikeda, H. Masato, T. Matsuno, and K. Nishi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 577 (2001).
24. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mahandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002).
25. Z. Jin, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf, Sci. 190, 361 (2002).
26. B. Heying, E. J. Tersa, C. R. Elsas, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
27. T. Inagaki, T. Hashizume, and H. Hasegawa, Appl. Surf. Sci. (in press).
28. X. Y. Zhu, M. Wolf, and J. M. White, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 838 (1993).
29. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994).
30. P. Boguslawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995).
31. E. Yamaguchi and M. R. Junnarkar, J. Cryst. Growth 189/190, 570 (1998).
32. E. H. Nicollian and J. R. Brews, MOS Physics and Technology (Wiley, New York, 1982), Chap. 8.
33. A. Link, K. Bitzer, W. Limmer, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, D. G. Ebling, and K. W. Benz, J. Appl. Phys. 86, 6256 (1999).
34. S. Miyazaki, J. Vac, Sci. Technol. B 19, 2212 (2001).
35. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
36. S. W. King, C. Ronning, R. F. Davis, M. C. Benjamin, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 2086 (1998).
37. K. Kunihiro, K. Kasahara, Y. Takahashi, and Y. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 2431 (2000).
38. H. Hasegawa and S. Oyama, J. Vac, Sci. Technol. B 20, 1647 (2002).
39. H. Hasegawa, S. Ootomo, T. Inagaki, and T. Hashizume, J. Vac, Sci. Technol. B, these proceedings.