Analysis of reverse-bias leakage current mechanisms in GaN grown by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 4, 2004, Pages 535-537

  Miller, E J ^a   Yu, E T ^a   Waltereit, P ^b   Speck, J S ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIELD-EMISSION TUNNELING; THREADING DISLOCATIONS (TD);

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON TRAPS; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; MATHEMATICAL MODELS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOLECULAR BEAM EPITAXY;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 1242352434     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1644029     Document Type: Article

References (21)

1. L. McCarthy, I. Smorchkova, H. Xing, P. Fini, S. Keller, J. Speck, S. P. DenBaars, M. J. W. Rodwell, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 78, 2235 (2001).
2. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
3. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, P. Waltereit, C. Poblenz, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 82, 1293 (2003).
4. J. Spradlin, S. Dogan, M. Mikkelson, D. Huang, L. He, D. Johnstone, H. Morkoç, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 82, 3556 (2003).
5. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
6. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 91, 9821 (2002).
7. E. J. Miller, D. M. Schaadt, E. T. Yu, X. L. Sun, L. J. Brillson, P. Waltereit, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. (in press).
8. B. Keying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. DenBaars, U. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000).
9. D. F. Wang, S. Feng, C. Lu, A. Motayed, M. Jah, S. N. Mohammad, K. A. Jones, and L. Salamanca-Riba, J. Appl. Phys. 89, 6214 (2001).
10. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
11. T. Chot, Phys. Status Solidi A 66, K43 (1981).
12. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
13. A. C. Schmitz, A. T. Ping, M. Asif Khan, Q. Chen, J. W. Yang, and I. Adesida, Semicond. Sci. Technol. 11, 1464 (1996).
14. Q. Z. Liu, L. S. Yu, F. Deng, S. S. Lau, and J. M. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 881 (1998).
15. M. Khan, T. Detchprohm, P. Hacke, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Phys. D 28, 1169 (1995).
16. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, and S. S. Lau, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998).
17. A. M. Witowski, K. Pakula, J. M. Baranowski, M. L. Sadowski, and P.Wyder, Appl. Phys. Lett. 75, 4154 (1999).
18. H. Iwano, S. Zaima, and Y. Yasuda, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2551 (1998).
19. A. Hierro, A. R. Arehart, B. Heying, M. Hansen, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 80, 805 (2000).
20. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 3980 (2001).
21. A. Hierro, A. R. Arehart, B. Keying, M. Hansen, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, Phys. Status Solidi B 228, 309 (2001).