Investigations of HfO2 AlGaNGaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 17, 2006, Pages

  Liu, Chang ^a   Chor, Eng Fong ^a   Tan, Leng Seow ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE MEASUREMENT; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC CURRENTS; ELECTRON MOBILITY; HETEROJUNCTIONS; PERMITTIVITY; PHOTOEMISSION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SPUTTERING; TRANSCONDUCTANCE; TRANSISTORS; VOLTAGE MEASUREMENT; X RAY ANALYSIS;

CONDUCTION-BAND; DRAIN CURRENT; GATE LEAKAGE CURRENT; HETEROSTRUCTURE; SURFACE PASSIVATION EFFECTS;

MOS DEVICES;

EID: 33646388310     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2198507     Document Type: Article

References (18)

1. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
2. S. Mizuno, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5125 (2002).
3. M. A. Khan, M. S. Shur, Q. C. Chen, and J. N. Kuznia, Electron. Lett. 30, 2175 (1994).
4. R. Vetury, N. Zhang, S. Keller, and U. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 48, 560 (2001).
5. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Ahur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
6. M. Ochiai, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 2278 (2003).
7. C. T. Leem, H. W. Chen, and H. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 4304 (2003).
8. K. Y. Park, H. I. Cho, J. H. Lee, S. B. Bae, C. M. Jeon, J. L. Lee, D. Y. Kim, C. S. Lee, and J. H. Lee, Phys. Status Solidi C 0, 2351 (2003).
9. T. Hashizume, S. Ootomo, and H. Hasegawa, Appl. Phys. Lett. 83, 2952 (2003).
10. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
11. R. Mehandru, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, and A. Crespo, Appl. Phys. Lett. 82, 2530 (2003).
12. B. Luo, R. Mehandru, B. Kang, J. Kim, F. Ren, B. Gila, A. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, D. Gotthold, R. Birkhahn, B. Peres, R. Fitch, J. Gillespie, T. Jenkins, J. Sewell, D. Via, and A. Crespo, Solid State Commun. 48, 355 (2004).
13. J. Kuzmik, G. Konstantinidis, S. Harasek, S. Hascik, E. Bertagnolli, A. Georgakilas, and D. Pogany, Semicond. Sci. Technol. 19, 1364 (2000).
14. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
15. S. A. Chambers, Y. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani, and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 77, 1662 (2000).
16. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
17. S. C. Binary, K. Ikossi, J. A. Roussons, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001).
18. J. K. Gillespie, A. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. D. Via, A. Crespo, T. J. Jenkins, B. Luo, R. Mehandru, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett. 23, 505 (2002).