Review of nanostructured resistive switching memristor and its applications

Nanoscience and Nanotechnology Letters

Volumn 6, Issue 9, 2014, Pages 729-757

  Hu, S G ^a   Wu, S Y ^a   Jia, W W ^a   Yu, Q ^a   Deng, L J ^a   Fu, Y Q ^b   Liu, Y ^a   Chen, T P ^c  

^a UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^b UNIVERSITY OF THE WEST OF SCOTLAND   (United Kingdom)

^c NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

Analog application; Memory; Memristor; Nanostructure; Neuromorphic application

Indexed keywords

DATA STORAGE EQUIPMENT; MATHEMATICAL MODELS; MEMRISTORS; NANOSTRUCTURES; SWITCHING SYSTEMS;

ANALOG APPLICATIONS; EMERGING APPLICATIONS; HIGH SCALABILITIES; ITS APPLICATIONS; MEMRISTOR; NEUROMORPHIC; RESISTIVE SWITCHING; WORKING MECHANISMS;

PASSIVE FILTERS;

EID: 84918515541     PISSN: 19414900     EISSN: 19414919     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/nnl.2014.1888     Document Type: Article

References (323)

1. L. Chua, IEEE Transactions on Circuit Theory 18, 507 (1971).
2. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nature 453, 80 (2008).
3. L. Chua, Appl. Phys. A 102, 765 (2011).
4. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 33, 2669 (1962).
5. H. J. Kim, Y. J. Baek, Y. J. Choi, C. J. Kang, H. H. Lee, H. M. Kim, K. B. Kim, and T. S. Yoon, Rsc Advances 3, 20978 (2013).
6. R. Rojas, Neural Networks, Springer, Berlin, Heidelberg (1996), Chap. 18, pp. 449-476.
7. K. Seo, I. Kim, S. Jung, M. Jo, S. Park, J. Park, J. Shin, K. P. Biju, J. Kong, K. Lee, B. Lee, and H. Hwang, Nanotechnology 22, 254023 (2011).
8. J. J. T. Wagenaar, M. Morales-Masis, and J. M. van Ruitenbeek, J. Appl. Phys. 111, 014302 (2012).
9. S. Li, F. Zeng, C. Chen, H. Liu, G. Tang, S. Gao, C. Song, Y. Lin, F. Pan, and D. Guo, J. Mater. Chem. C 1, 5292 (2013).
10. X. Y. Yang, S. B. Long, K. W. Zhang, X. Y. Liu, G. M. Wang, X. J. Lian, Q. Liu, H. B. Lv, M. Wang, H. W. Xie, H. T. Sun, P. X. Sun, J. Sune, and M. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 245107 (2013).
11. C. Schindler, S. C. P. Thermadam, R. Waser, and M. N. Kozicki, IEEE Trans. Electron Devices 54, 2762 (2007).
12. Y. Li, Y. P. Zhong, L. Xu, J. J. Zhang, X. H. Xu, H. J. Sun, and X. S. Miao, Scientific Reports 3, 1619 (2013).
13. X. A. Tran, W. Zhu, W. J. Liu, Y. C. Yeo, B. Y. Nguyen, and H. Y. Yu, IEEE Trans. Electron Devices 60, 391 (2013).
14. X. Gao, Y. D. Xia, J. F. Ji, H. N. Xu, Y. Su, H. T. Li, C. J. Yang, H. X. Guo, J. A. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett. 97, 193501 (2010).
15. J. J. S. Yang, D. B. Strukov, and D. R. Stewart, Nat. Nanotechnol. 8, 13 (2013).
16. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater. 21, 2632 (2009).
17. J. J. Yang, N. P. Kobayashi, J. P. Strachan, M. X. Zhang, D. A. A. Ohlberg, M. D. Pickett, Z. Y. Li, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Chem. Mater. 23, 123 (2011).
18. Z. R. Wang, W. G. Zhu, A. Y. Du, L. Wu, Z. Fang, X. A. Tran, W. J. Liu, K. L. Zhang, and H. Y. Yu, IEEE Trans. Electron Devices 59, 1203 (2012).
19. G. H. Kim, J. H. Lee, Y. Ahn, W. Jeon, S. J. Song, J. Y. Seok, J. H. Yoon, K. J. Yoon, T. J. Park, and C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 23, 1440 (2013).
20. P. Zhou, L. Ye, Q. Q. Sun, P. F. Wang, A. Q. Jiang, S. J. Ding, and D. W. Zhang, Nanoscale Res. Lett. 8, 91 (2013).
21. S. J. Park, J. P. Lee, J. S. Jang, H. Rhu, H. Yu, B. Y. You, C. S. Kim, K. J. Kim, Y. J. Cho, S. Baik, and W. Lee, Nanotechnology 24, 295202 (2013).
22. M. J. Lee, D. Lee, S. H. Cho, J. H. Hur, S. M. Lee, D. H. Seo, D. S. Kim, M. S. Yang, S. Lee, E. Hwang, M. R. Uddin, H. Kim, U. I. Chung, Y. Park, and I. K. Yoo, Nature Communications 4, 2629 (2013).
23. J. Sun, C. H. Jia, G. Q. Li, and W. F. Zhang, Appl. Phys. Lett. 101, 133506 (2012).
24. S. Y. Wang, D. Y. Lee, T. Y. Tseng, and C. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 95, 112904 (2009).
25. Y. Li, G. Y. Zhao, J. Su, E. F. Shen, and Y. Ren, Appl. Phys. A 104, 1069 (2011).
26. W. Hu, X. M. Chen, G. H. Wu, Y. T. Lin, N. Qin, and D. H. Bao, Appl. Phys. Lett. 101, 063501 (2012).
27. D. L. Xu, Y. Xiong, M. H. Tang, B. W. Zeng, Y. G. Xiao, J. Q. Li, L. Liu, S. A. Yan, Z. H. Tang, L. H. Wang, X. J. Zhu, and R. W. Li, ECS Solid State Letters 2, Q69 (2013).
28. X. W. Tang, X. B. Zhu, J. M. Dai, J. Yang, L. Chen, and Y. P. Sun, J. Appl. Phys. 113, 043706 (2013).
29. Y. Zhang, Z. Q. Duan, R. Li, C. J. Ku, P. Reyes, A. Ashrafi, and Y. C. Lu, J. Electron. Mater. 41, 2880 (2012).
30. S. B. Long, Q. Liu, H. B. Lv, Y. T. Li, Y. Wang, S. Zhang, W. T. Lian, K. W. Zhang, M. Wang, H. W. Xie, and M. Liu, Appl. Phys. A 102, 915 (2011).
31. W. H. Wang, R. X. Dong, X. L. Yan, B. Yang, and X. L. An, IEEE Trans. Nanotechnol. 11, 1135 (2012).
32. D. Panda and T.-Y. Tseng, Thin Solid Films 531, 1 (2013).
33. P. F. Siles, M. de Pauli, C. C. B. Bufon, S. O. Ferreira, J. Bettini, O. G. Schmidt, and A. Malachias, Nanotechnology 24, 035702 (2013).
34. T. H. Kim, E. Y. Jang, N. J. Lee, D. J. Choi, K. J. Lee, J. T. Jang, J. S. Choi, S. H. Moon, and J. Cheon, Nano Lett. 9, 2229 (2009).
35. A. Younis, D. W. Chu, I. Mihail, and S. Li, ACS Appl. Mat. Interfaces 5, 9429 (2013).
36. S. Mondal, J. L. Her, F. H. Chen, S. J. Shih, and T. M. Pan, IEEE Electron Device Lett. 33, 1069 (2012).
37. S. Mandal, B. Long, and R. Jha, IEEE Trans. Electron Devices 60, 4219 (2013).
38. A. Younis, D. W. Chu, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 103, 253504 (2013).
39. J. B. Yang, T. C. Chang, J. J. Huang, S. C. Chen, P. C. Yang, Y. T. Chen, H. C. Tseng, S. M. Sze, A. K. Chu, and M. J. Tsai, Thin Solid Films 529, 200 (2013).
40. X. M. Chen, H. Zhang, K. B. Ruan, and W. Z. Shi, J. Alloys Compd. 529, 108 (2012).
41. M. K. Hota, M. K. Bera, and C. K. Maiti, Nanosci. Nanotechnol. Lett. 4, 394 (2012).
42. A. Younis, D. W. Chu, X. Lin, J. B. Yi, F. Dang, and S. A. Li, ACS Appl. Mat. Interfaces 5, 2249 (2013).
43. L. L. Wei, J. Wang, Y. S. Chen, D. S. Shang, Z. G. Sun, B. G. Shen, and J. R. Sun, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 425303 (2012).
44. J. M. Teixeira, J. Ventura, R. Fermento, J. P. Araujo, J. B. Sousa, P. Wisniowski, and P. P. Freitas, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 105407 (2009).
45. D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, and C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 5, 148 (2010).
46. J. Sun, Q. Liu, H. W. Xie, X. Wu, F. Xu, T. Xu, S. B. Long, H. B. Lv, Y. T. Li, L. T. Sun, and M. Liu, Appl. Phys. Lett. 102, 053502 (2013).
47. X. Y. Wei, M. Hu, K. L. Zhang, F. Wang, J. S. Zhao, and Y. P. Miao, Chin. Phys. B. 22, 037201 (2013).
48. X. Liu, S. M. Sadaf, S. Park, S. Kim, E. Cha, D. Lee, G. Y. Jung, and H. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 34, 235 (2013).
49. T. V. Kundozerova, A. M. Grishin, G. B. Stefanovich, and A. A. Velichko, IEEE Trans. Electron Devices 59, 1144 (2012).
50. Y. Jo, H. Sim, H. Hwang, K. Ahn, and M. H. Jung, Thin Solid Films 518, 5676 (2010).
51. X. Sun, B. Sun, L. F. Liu, N. Xu, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, G. C. Xiong, and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 30, 334 (2009).
52. A. Younis, D. W. Chu, C. M. Li, T. Das, S. Sehar, M. Manefield, and S. Li, Langmuir 30, 1183 (2014).
53. T. Liu, M. Verma, Y. H. Kang, and M. K. Orlowski, ECS Solid State Letters 1, Q11 (2012).
54. S.-C. Chen, T.-C. Chang, S.-Y. Chen, C.-W. Chen, S.-C. Chen, S. M. Sze, M.-J. Tsai, M.-J. Kao, and F.-S. Yeh, Solid-State Electron. 62, 40 (2011).
55. R. Yang, K. Terabe, Y. Yao, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Nanotechnology 24, 384003 (2013).
56. S. Zhang, S. B. Long, W. H. Guan, Q. Liu, Q. Wang, and M. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 055112 (2009).
57. S. Muraoka, K. Osano, Y. Kanzawa, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, Y. Katoh, Z. Wei, T. Mikawa, and K. Arita, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington, DC, USA, December (2007),
58. T. Yanagida, K. Nagashima, K. Oka, M. Kanai, A. Klamchuen, B. H. Park, and T. Kawai, Scientific Reports 3, 1657 (2013).
59. S. G. Hu, Y. Liu, T. P. Chen, Z. Liu, M. Yang, Q. Yu, and S. Fung, Ieee T Electron Dev 59, 1558 (2012).
60. Q. Yu, W. Lim, S. Hu, T. Chen, L. Deng, and Y. Liu, Nanoscience and Nanotechnology Letters 4, 940 (2012).
61. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, C. Hu, and T. Y. Tsenga, J. Electrochem. Soc. 154, G189 (2007).
62. S. J. Choi, G. S. Park, K. H. Kim, W. Y. Yang, H. J. Bae, K. J. Lee, H. I. Lee, S. Y. Park, S. Heo, H. J. Shin, S. Lee, and S. Cho, J. Appl. Phys. 110, 056106 (2011).
63. N. Xu, L. F. Liu, X. Sun, C. Chen, Y. Wang, D. D. Han, X. Y. Liu, R. Q. Han, J. F. Kang, and B. Yu, Semicond. Sci. Technol. 23, 075019 (2008).
64. D. Y. Lee and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 33, 803 (2012).
65. A. Prakash, S. Maikap, S. Z. Rahaman, S. Majumdar, S. Manna, and S. K. Ray, Nanoscale Res. Lett. 8, 220 (2013).
66. S. Almeida, B. Aguirre, N. Marquez, J. McClure, and D. Zubia, Integrated Ferroelectrics 126, 117 (2011).
67. K. Nagashima, T. Yanagida, M. Kanai, U. Celano, S. Rahong, G. Meng, F. W. Zhuge, Y. He, B. H. Park, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett. 103, 173506 (2013).
68. J. A. Koza, E. W. Bohannan, and J. A. Switzer, ACS Nano 7, 9940 (2013).
69. Y. Ahn, J. H. Lee, G. H. Kim, J. W. Park, J. Heo, S. W. Ryu, Y. S. Kim, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Appl. Phys. 112, 114105 (2012).
70. T. M. Pan and C. H. Lu, Appl. Phys. Lett. 99, 113509 (2011).
71. J. B. Yang, T. C. Chang, J. J. Huang, Y. T. Chen, H. C. Tseng, A. K. Chu, S. M. Sze, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 103, 102903 (2013).
72. T. M. Pan and C. H. Lu, Mater. Chem. Phys. 139, 437 (2013).
73. W. Banerjee, S. Maikap, C. S. Lai, Y. Y. Chen, T. C. Tien, H. Y. Lee, W. S. Chen, F. T. Chen, M. J. Kao, M. J. Tsai, and J. R. Yang, Nanoscale Res. Lett. 7, 194 (2012).
74. T. M. Pan, C. H. Lu, S. Mondal, and F. H. Ko, IEEE Trans. Nanotechnol. 11, 1040 (2012).
75. T. M. Pan, K. M. Chen, and C. H. Lu, Electrochemical and Solid State Letters 14, H27 (2011).
76. T. M. Pan and C. H. Lu, IEEE Trans. Electron Devices 59, 956 (2012).
77. C. C. Lin, Z. L. Tseng, K. Y. Lo, C. Y. Huang, C. S. Hong, S. Y. Chu, C. C. Chang, and C. J. Wu, Appl. Phys. Lett. 101, 203501 (2012).
78. X. J. Zhu, C. S. Ong, X. X. Xu, B. L. Hu, J. Shang, H. L. Yang, S. Katlakunta, Y. W. Liu, X. X. Chen, L. Pan, J. Ding, and R. W. Li, Scientific Reports 3, 1084 (2013).
79. Z. Q. Wang, H. Y. Xu, X. H. Li, H. Yu, Y. C. Liu, and X. J. Zhu, Adv Funct Mater 22, 2759 (2012).
80. X. Y. Xue, W. X. Jian, J. G. Yang, F. J. Xiao, G. Chen, S. L. Xu, Y. F. Xie, Y. Y. Lin, R. Huang, Q. T. Zou, and J. G. Wu, IEEE J. Solid-State Circuits 48, 1315 (2013).
81. L. M. Yang, Y. L. Song, Y. Liu, Y. L. Wang, X. P. Tian, M. Wang, Y. Y. Lin, R. Huang, Q. T. Zou, and J. G. Wu, IEEE Electron Device Lett. 33, 89 (2012).
82. P. Zhou, L. Ye, Q. Q. Sun, L. Chen, S. J. Ding, A. Q. Jiang, and D. W. Zhang, IEEE Trans. Nanotechnol. 11, 1059 (2012).
83. I. C. Yao, D. Y. Lee, T. Y. Tseng, and P. Lin, Nanotechnology 23, 145201 (2012).
84. Y. H. Wu, J. R. Wu, C. Y. Hou, C. C. Lin, M. L. Wu, and L. L. Chen, IEEE Electron Device Lett. 33, 435 (2012).
85. H. B. Dong, X. X. Zhang, D. Zhao, Z. Q. Niu, Q. S. Zeng, J. Z. Li, L. Cai, Y. C. Wang, W. Y. Zhou, M. Gao, and S. S. Xie, Nanoscale 4, 2571 (2012).
86. Y. T. Tsai, T. C. Chang, W. L. Huang, C. W. Huang, Y. E. Syu, S. C. Chen, S. M. Sze, M. J. Tsai, and T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett. 99, 092106 (2011).
87. C. Acha and M. J. Rozenberg, Journal of Physics-Condensed Matter 21, 045702 (2009).
88. T. Nagata, M. Haemori, and T. Chikyow, ACS Combinatorial Science 15, 435 (2013).
89. A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, IEICE Transactions on Electronics 96, 702 (2013).
90. H. Y. Jeong, J. Y. Kim, J. W. Kim, J. O. Hwang, J. E. Kim, J. Y. Lee, T. H. Yoon, B. J. Cho, S. O. Kim, R. S. Ruoff, and S. Y. Choi, Nano Lett. 10, 4381 (2010).
91. H. D. Kim, H. M. An, Y. M. Sung, H. Im, and T. G. Kim, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 13, 252 (2013).
92. X. W. Sun, G. Q. Li, X. A. Zhang, L. H. Ding, and W. F. Zhang, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 125404 (2011).
93. A. Sleiman, P. W. Sayers, and M. F. Mabrook, J. Appl. Phys. 113, 164506 (2013).
94. E. J. Yoo, J. H. Kim, J. H. Song, T. S. Yoon, Y. J. Choi, and C. J. Kang, Journal of Nanoscience and Nanotechnology 13, 6395 (2013).
95. K. R. Kim, I. S. Park, J. P. Hong, S. S. Lee, B. L. Choi, and J. Ahn, Journal of the Korean Physical Society 49, S548 (2006).
96. D. Pantel, H. D. Lu, S. Goetze, P. Werner, D. J. Kim, A. Gruverman, D. Hesse, and M. Alexe, Appl. Phys. Lett. 100, 232902 (2012).
97. J. Park, K. P. Biju, S. Jung, W. Lee, J. Lee, S. Kim, S. Park, J. Shin, and H. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 32, 476 (2011).
98. Q. G. Zhou and J. W. Zhai, Appl. Surf. Sci. 284, 644 (2013).
99. Q. G. Zhou and J. W. Zhai, Physica B-Condensed Matter 410, 85 (2013).
100. M. Lanza, G. Bersuker, M. Porti, E. Miranda, M. Nafria, and X. Aymerich, Appl. Phys. Lett. 101, 193502 (2012).
101. M. Lanza, K. Zhang, M. Porti, M. Nafria, Z. Y. Shen, L. F. Liu, J. F. Kang, D. Gilmer, and G. Bersuker, Appl. Phys. Lett. 100, 123508 (2012).
102. C. Park, S. H. Jeon, S. C. Chae, S. Han, B. H. Park, S. Seo, and D. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 042102 (2008).
103. M. J. Lee, S. Han, S. H. Jeon, B. H. Park, B. S. Kang, S. E. Ahn, K. H. Kim, C. B. Lee, C. J. Kim, and I. K. Yoo, Nano Lett. 9, 1476 (2009).
104. R. J. Kamaladasa, M. Noman, W. Chen, P. A. Salvador, J. A. Bain, M. Skowronski, and Y. N. Picard, J. Appl. Phys. 113, 234510 (2013).
105. F. Nardi, D. Deleruyelle, S. Spiga, C. Muller, B. Bouteille, and D. Ielmini, J. Appl. Phys. 112, 064310 (2012).
106. Y. H. Kang, J. H. Choi, T. I. Lee, W. Lee, and J. M. Myoung, Solid State Commun. 151, 1739 (2011).
107. D. B. Strukov and R. S. Williams, Appl. Phys. A 94, 515 (2009).
108. J. J. Yang, F. Miao, M. D. Pickett, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, C. N. Lau, and R. S. Williams, Nanotechnology 20, 215201 (2009).
109. S. Menzel, M. Waters, A. Marchewka, U. Böttger, R. Dittmann, and R. Waser, Adv. Funct. Mater. 21, 4487 (2011).
110. G. Medeiros-Ribeiro, F. Perner, R. Carter, H. Abdalla, M. D. Pickett, and R. S. Williams, Nanotechnology 22, 095702 (2011).
111. Y. Omura and Y. Kondo, J. Appl. Phys. 114, 043712 (2013).
112. R. Waser and M. Aono, Nat. Mater. 6, 833 (2007).
113. S. B. Long, L. Perniola, C. Cagli, J. Buckley, X. J. Lian, E. Miranda, F. Pan, M. Liu, and J. Sune, Scientific Reports 3, 2929 (2013).
114. G. B. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi, and S. Miyazaki, Microelectron. Eng. 88, 1152 (2011).
115. E. DeIonno, M. Looper, J. Osborn, and J. Palko, IEEE Trans. Nucl. Sci. 60, 1379 (2013).
116. Y. Bai, H. Q. Wu, Y. Zhang, M. H. Wu, J. Y. Zhang, N. Deng, H. Qian, and Z. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 102, 173503 (2013).
117. Y. C. Yang, S. Choi, and W. Lu, Nano Lett. 13, 2908 (2013).
118. C. Chen, S. Gao, F. Zeng, G. S. Tang, S. Z. Li, C. Song, H. D. Fu, and F. Pan, J. Appl. Phys. 114, 014502 (2013).
119. A. S. Alexandrov, A. M. Bratkovsky, B. Bridle, S. E. Savel'ev, D. B. Strukov, and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 99, 202104 (2011).
120. J. P. Strachan, D. B. Strukov, J. Borghetti, J. J. Yang, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Nanotechnology 22, 254015 (2011).
121. J. Y. Chen, C. L. Hsin, C. W. Huang, C. H. Chiu, Y. T. Huang, S. J. Lin, W. W. Wu, and L. J. Chen, Nano Lett. 13, 3671 (2013).
122. W. L. Jang, Y. M. Lu, W. S. Hwang, C. L. Dong, P. H. Hsieh, C. L. Chen, T. S. Chan, and J. F. Lee, EPL (Europhysics Letters) 96, 37009 (2011).
123. Y. S. Chen, J. F. Kang, B. Chen, B. Gao, L. F. Liu, X. Y. Liu, Y. Y. Wang, L. Wu, H. Y. Yu, J. Y. Wang, Q. Chen, and E. G. Wang, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 065303 (2012).
124. D. B. Strukov and R. S. Williams, Appl. Phys. A 102, 851 (2011).
125. Q. Y. Xu, Z. Wen, Y. Shuai, D. Wu, S. Q. Zhou, and H. Schmidt, J. Supercond. Novel Magn. 25, 1679 (2012).
126. H. Lim, H. W. Jang, D.-K. Lee, I. Kim, C. S. Hwang, and D. S. Jeong, Nanoscale 5, 6363 (2013).
127. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Devices 56, 193 (2009).
128. D. Ielmini, F. Nardi, and C. Cagli, Nanotechnology 22, 254022 (2011).
129. Q. Yu, Y. Liu, T. P. Chen, Z. Liu, Y. F. Yu, and S. Fung, Electrochemical and Solid State Letters 14, H400 (2011).
130. A. Chen, Appl. Phys. Lett. 97, 263505 (2010).
131. K. M. Kim, B. J. Choi, S. J. Song, G. H. Kim, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc. 156, G213 (2009).
132. K. M. Kim, D. S. Jeong, and C. S. Hwang, Nanotechnology 22, 254002 (2011).
133. K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, M. Kanai, A. Klamchuen, J. S. Kim, B. H. Park, and T. Kawai, Nano Lett. 11, 2114 (2011).
134. T. Liu, M. Verma, Y. H. Kang, and M. K. Orlowski, IEEE Electron Lett. 34, 108 (2013).
135. S. M.Wu, T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, J. P. Hill, K. Ariga, and M. Aono, Adv. Funct. Mater. 21, 93 (2011).
136. D. Q. Liu, N. N. Wang, G. Wang, Z. Z. Shao, X. Zhu, C. Y. Zhang, and H. F. Cheng, J. Alloys Compd. 580, 354 (2013).
137. S. Maikap and S. Z. Rahaman, ECS Trans. 45, 257 (2012).
138. C. Schindler, M. Weides, M. N. Kozicki, and R. Waser, Appl. Phys. Lett. 92, 122910 (2008).
139. D. Q. Liu, C. Y. Zhang, G. Wang, Z. Z. Shao, X. Zhu, N. N. Wang, and H. F. Cheng, J. Phys. D: Appl. Phys. 47, 085108 (2014).
140. J. J. Zhang, H. J. Sun, Y. Li, Q. Wang, X. H. Xu, and X. S. Miao, Appl. Phys. Lett. 102, 183513 (2013).
141. A. Nayak, T. Ohno, T. Tsuruoka, K. Terabe, T. Hasegawa, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Adv. Funct. Mater. 22, 3606 (2012).
142. J. van den Hurk, V. Havel, E. Linn, R. Waser, and I. Valov, Scientific Reports 3, 2856 (2013).
143. Z. Wang, P. B. Griffin, J. McVittie, S. Wong, P. C. McIntyre, and Y. Nishi, IEEE Electron Device Lett. 28, 14 (2007).
144. S. J. Choi, K. H. Kim, G. S. Park, H. J. Bae, W. Y. Yang, and S. Cho, IEEE Electron Device Lett. 32, 375 (2011).
145. T. Tsuruoka, T. Hasegawa, K. Terabe, and M. Aono, Nanotechnology 23, 435705 (2012).
146. Y. Wang, Q. Liu, S. B. Long, W. Wang, Q. Wang, M. H. Zhang, S. Zhang, Y. T. Li, Q. Y. Zuo, J. H. Yang, and M. Liu, Nanotechnology 21, 045202 (2010).
147. Y. T. Li, S. B. Long, H. B. Lu, Q. Liu, Q. Wang, Y. Wang, S. Zhang, W. T. Lian, S. Liu, and M. Liu, Chin. Phys. B. 20, 017305 (2011).
148. D. Lee, D. J. Seong, I. Jo, F. Xiang, R. Dong, S. Oh, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 90, 122104 (2007).
149. X. B. Yan, K. Li, J. Yin, Y. D. Xia, H. X. Guo, L. Chen, and Z. G. Liu, Electrochemical and Solid State Letters 13, H87 (2010).
150. T. Busani and R. A. B. Devine, J. Vac. Sci. Technol. B 26, 1817 (2008).
151. F. Zhuge, S. S. Peng, C. L. He, X. J. Zhu, X. X. Chen, Y. W. Liu, and R. W. Li, Nanotechnology 22, 275204 (2011).
152. S. Tappertzhofen, I. Valov, and R. Waser, Nanotechnology 23, 145703 (2012).
153. I. Valov and G. Staikov, J. Solid State Electrochem. 17, 365 (2013).
154. C. Chen, S. Gao, G. S. Tang, C. Song, F. Zeng, and F. Pan, IEEE Electron Device Lett. 33, 1711 (2012).
155. W. Lee, J. Park, M. Son, J. Lee, S. Jung, S. Kim, S. Park, J. Shin, and H. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 32, 680 (2011).
156. S. Gao, F. Zeng, C. Chen, G. S. Tang, Y. S. Lin, Z. F. Zheng, C. Song, and F. Pan, Nanotechnology 24, 335201 (2013).
157. Q. Y. Xu, Z. Wen, and D. Wu, J. Phys. D: Appl. Phys. 44, 335104 (2011).
158. S. Lee, H. Kim, J. Park, and K. Yong, J. Appl. Phys. 108, 076101 (2010).
159. Q. Liu, S. B. Long, H. B. Lv, W. Wang, J. B. Niu, Z. L. Huo, J. N. Chen, and M. Liu, ACS Nano 4, 6162 (2010).
160. K. J. Yoon, M. H. Lee, G. H. Kim, S. J. Song, J. Y. Seok, S. Han, J. H. Yoon, K. M. Kim, and C. S. Hwang, Nanotechnology 23, 185202 (2012).
161. W. Shen, R. Dittmann, and R. Waser, J. Appl. Phys. 107, 094506 (2010).
162. A. Prakash, S. Maikap, S. Z. Rahaman, S. Majumdar, S. Manna, and S. K. Ray, Nanoscale Res. Lett. 8, 1 (2013).
163. A. Mehonic, A. Vrajitoarea, S. Cueff, S. Hudziak, H. Howe, C. Labbe, R. Rizk, M. Pepper, and A. J. Kenyon, Scientific Reports 3, 2708 (2013).
164. Z. M. Liao, C. Hou, Q. Zhao, D. S. Wang, Y. D. Li, and D. P. Yu, Small 5, 2377 (2009).
165. S. Long, X. Lian, C. Cagli, X. Cartoixa, R. Rurali, E. Miranda, D. Jimenez, L. Perniola, M. Liu, and J. Sune, Appl. Phys. Lett. 102, 183505 (2013).
166. X. J. Zhu, W. J. Su, Y. W. Liu, B. L. Hu, L. Pan, W. Lu, J. D. Zhang, and R. W. Li, Adv. Mater. 24, 3941 (2012).
167. Y. E. Syu, T. C. Chang, J. H. Lou, T. M. Tsai, K. C. Chang, M. J. Tsai, Y. L. Wang, M. Liu, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett. 102, 172903 (2013).
168. J. Sung Hyun, K. Kuk-Hwan, C. Ting, S. Gaba, and L. Wei, Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Paris, France, May-June (2010).
169. S. Yu, X. Guan, and H.-S. P. Wong, Appl. Phys. Lett. 99, 063507 (2011).
170. M. D. Pickett, D. B. Strukov, J. L. Borghetti, J. J. Yang, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, J. Appl. Phys. 106, 074508 (2009).
171. Y. Nam, I. Hwang, S. Oh, S. Lee, K. Lee, S. Hong, J. Kim, T. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 102, 162105 (2013).
172. K. C. Chang, T. M. Tsai, T. C. Chang, H. H. Wu, J. H. Chen, Y. E. Syu, G. W. Chang, T. J. Chu, G. R. Liu, Y. T. Su, M. C. Chen, J. H. Pan, J. Y. Chen, C. W. Tung, H. C. Huang, Y. H. Tai, D. S. Gan, and S. M. Sze, IEEE Electron Device Lett. 34, 399 (2013).
173. C. Walczyk, D. Walczyk, T. Schroeder, T. Bertaud, M. Sowinska, M. Lukosius, M. Fraschke, D. Wolansky, B. Tillack, E. Miranda, and C. Wenger, IEEE Trans. Electron Devices 58, 3124 (2011).
174. Q. G. Zhou and J. W. Zhai, 2012 International Workshop on Information Storage and Ninth International Symposium on Optical Storage, Shanghai, China, October (2013).
175. Z. T. Xu, K. J. Jin, L. Gu, Y. L. Jin, C. Ge, C. Wang, H. Z. Guo, H. B. Lu, R. Q. Zhao, and G. Z. Yang, Small 8, 1279 (2012).
176. Y. Shuai, S. Zhou, D. Bürger, M. Helm, and H. Schmidt, J. Appl. Phys. 109, 124117 (2011).
177. D. Rubi, F. Gomez-Marlasca, P. Bonville, D. Colson, and P. Levy, Physica B-Condensed Matter 407, 3144 (2012).
178. H. S. Lee, S. G. Choi, H. J. Choi, S. W. Chung, and H. H. Park, Thin Solid Films 529, 347 (2013).
179. X. Zou, H. G. Ong, L. You, W. G. Chen, H. Ding, H. Funakubo, L. Chen, and J. L. Wang, AIP Advances 2, 032166 (2012).
180. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 3, 429 (2008).
181. D.Wu, Y. Jiang, Y. Q. Yu, Y. G. Zhang, G. H. Li, Z. F. Zhu, C. Y. Wu, L. Wang, L. B. Luo, and J. S. Jie, Nanotechnology 23, 485203 (2012).
182. A. Sawa, Mater. Today 11, 28 (2008).
183. H.-H. Huang, W.-C. Shih, and C.-H. Lai, Appl. Phys. Lett. 96, 193505 (2010).
184. C. Jr, H. Kohlstedt, U. Poppe, R. Waser, C. Buchal, and N. A. Pertsev, Appl. Phys. Lett. 83, 4595 (2003).
185. H. Kohlstedt, N. A. Pertsev, J. R. Contreras, and R. Waser, Phys. Rev. B 72, 125341 (2005).
186. V. Garcia, S. Fusil, K. Bouzehouane, S. Enouz-Vedrenne, N. D. Mathur, A. Barthelemy, and M. Bibes, Nature 460, 81 (2009).
187. M. Y. Zhuravlev, R. F. Sabirianov, S. S. Jaswal, and E. Y. Tsymbal, Phys. Rev. Lett. 94, 246802 (2005).
188. J. Choi, J. S. Kim, I. Hwang, S. Hong, I. S. Byun, S. W. Lee, S. O. Kang, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 96, 262113 (2010).
189. K. Asadi, D. M. De Leeuw, B. De Boer, and P. W. M. Blom, Nat. Mater. 7, 547 (2008).
190. D. Pantel, S. Goetze, D. Hesse, and M. Alexe, ACS Nano 5, 6032 (2011).
191. D. Y. Kusuma and P. S. Lee, Adv. Mater. 24, 4163 (2012).
192. A. Chanthbouala, A. Crassous, V. Garcia, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, J. Allibe, B. Dlubak, J. Grollier, S. Xavier, C. Deranlot, A. Moshar, R. Proksch, N. D. Mathur, M. Bibes, and A. Barthelemy, Nat. Nanotechnol. 7, 101 (2012).
193. Z. Wen, C. Li, D. Wu, A. D. Li, and N. B. Ming, Nat. Mater. 12, 617 (2013).
194. Z. Q. Hu, Q. Li, M. Y. Li, Q. W. Wang, Y. D. Zhu, X. L. Liu, X. Z. Zhao, Y. Liu, and S. X. Dong, Appl. Phys. Lett. 102, 102901 (2013).
195. A. Chanthbouala, V. Garcia, R. O. Cherifi, K. Bouzehouane, S. Fusil, X. Moya, S. Xavier, H. Yamada, C. Deranlot, N. D. Mathur, M. Bibes, A. Barthelemy, and J. Grollier, Nat. Mater. 11, 860 (2012).
196. R. S. Williams, Memristor Networks, edited by A. Adamatzky, and L. Chua, Springer, Berlin, Heidelberg (2014), pp. 15-19.
197. L. O. Chua and K. Sung Mo, Proc. IEEE 64, 209 (1976).
198. O. Kavehei, A. Iqbal, Y. Kim, K. Eshraghian, S. Al-Sarawi, and D. Abbott, Proceedings of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Science 466, 2175 (2010).
199. Y. C. Bae, A. R. Lee, J. S. Kwak, H. Im, Y. H. Do, and J. P. Hong, Delivered by Publishing Technology IP: 203.56.241.128 On: Fri,Copyright: American Appl. Phys. A 102, 1009 (2011).
200. S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, P. Mazumder, and W. Lu, Nano Lett. 10, 1297 (2010).
201. Z. Q. Wang, H. Y. Xu, X. H. Li, H. Yu, Y. C. Liu, and X. J. Zhu, Adv. Funct. Mater. 22, 2759 (2012).
202. T.-Y. Liu, T. H. Yan, R. Scheuerlein, Y. Chen, J. K. Lee, G. Balakrishnan, G. Yee, H. Zhang, A. Yap, J. Ouyang, T. Sasaki, S. Addepalli, A. Al-Shamma, C.-Y. Chen, M. Gupta, G. Hilton, S. Joshi, A. Kathuria, V. Lai, D. Masiwal, M. Matsumoto, A. Nigam, A. Pai, J. Pakhale, C. H. Siau, X. Wu, R. Yin, L. Peng, J. Y. Kang, S. Huynh, H. Wang, N. Nagel, Y. Tanaka, M. Higashitani, T. Minvielle, C. Gorla, T. Tsukamoto, T. Yamaguchi, M. Okajima, T. Okamura, S. Takase, T. Hara, H. Inoue, L. Fasoli, M. Mofidi, R. Shrivastava, and K. Quader, 2013 IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), San Francisco, CA, USA, February (2013).
203. T. Y. Liu, T. H. Yan, R. Scheuerlein, Y. C. Chen, J. K. Lee, G. Balakrishnan, G. Yee, H. Zhang, A. Yap, J. W. Ouyang, T. Sasaki, A. Al-Shamma, C. Y. Chen, M. Gupta, G. Hilton, A. Kathuria, V. Lai, M. Matsumoto, A. Nigam, A. Pai, J. Pakhale, C. H. Siau, X. X. Wu, Y. B. Yin, N. Nagel, Y. Tanaka, M. Higashitani, T. Minvielle, C. Gorla, T. Tsukamoto, T. Yamaguchi, M. Okajima, T. Okamura, S. Takase, H. Inoue, and L. Fasoli, IEEE J. Solid-State Circuits 49, 140 (2014).
204. Y. Choi, I. Song, M.-H. Park, H. Chung, S. Chang, B. Cho, J. Kim, Y. Oh, D. Kwon and J. Sunwoo, IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), San Francisco, CA, USA, Februray (2012).
205. International Technology Roadmap for Semiconductors 2013, Available [Online] http://www.itrs.net/
206. R. F. Freitas and W. W. Wilcke, IBM Journal of Research and Development 52, 439 (2008).
207. Available [Online] http://www.crossbar-inc.com/.
208. D. B. Strukov and R. S. Williams, PNAS 106, 20155 (2009).
209. H. Manem, G. S. Rose, X. He, and W. Wang, Proceedings of the 20th Symposium on Great Lakes Symposium on VLSI, Providence, Rhode Island, USA, May (2010).
210. H. Akinaga and H. Shima, Proc. IEEE 98, 2237 (2010).
211. H. Manem, J. Rajendran, and G. S. Rose, ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems (JETC) 8, 1 (2012).
212. S.-S. Sheu, P.-C. Chiang, W.-P. Lin, H.-Y. Lee, P.-S. Chen, Y.-S. Chen, T.-Y. Wu, F. T. Chen, K.-L. Su, M.-J. Kao, K.-H. Cheng, and M.-J. Tsai, Symposium on VLSI Circuits, Kyoto, Japan, June 16-18, (2009).
213. A. Kawahara, R. Azuma, Y. Ikeda, K. Kawai, Y. Katoh, Y. Hayakawa, K. Tsuji, S. Yoneda, A. Himeno, K. Shimakawa, T. Takagi, T. Mikawa, and K. Aono, IEEE J. Solid-State Circuits 48, 178 (2013).
214. K. Zhang, S. Long, Q. Liu, H. Lü, Y. Li, Y. Wang, W. Lian, M. Wang, S. Zhang, and M. Liu, Science China: Technological Sciences 54, 811 (2011).
215. S. H. Jo, K. H. Kim, and W. Lu, Nano Lett. 9, 870 (2009).
216. Q. F. Xia, W. Robinett, M. W. Cumbie, N. Banerjee, T. J. Cardinali, J. J. Yang, W. Wu, X. M. Li, W. M. Tong, D. B. Strukov, G. S. Snider, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Nano Lett. 9, 3640 (2009).
217. K. K. Likharev, Science of Advanced Materials 3, 322 (2011).
218. G. Indiveri, B. Linares-Barranco, R. Legenstein, G. Deligeorgis, and T. Prodromakis, Nanotechnology 24, 384010 (2013).
219. A. Flocke and T. G. Noll, 33rd European Solid State Circuits Conference (ESSCIRC), Munich, Germany, September (2007).
220. S. J. Ham, H. S. Mo, and K. S. Min, IEEE Trans. Nanotechnol. 12, 851 (2013).
221. C. M. Jung, J. M. Choi, and K. S. Min, IEEE Trans. Nanotechnol. 11, 611 (2012).
222. V. Y. Q. Zhuo, Y. Jiang, R. Zhao, L. P. Shi, Y. Yang, T. C. Chong, and J. Robertson, IEEE Electron Device Lett. 34, 1130 (2013).
223. K. Kamiya, Y. Moon Young, B. Magyari-Kope, M. Niwa, Y. Nishi, and K. Shiraishi, IEEE Trans. Electron Devices 60, 3400 (2013).
224. Z. Q. Wang, H. Y. Xu, L. Zhang, X. H. Li, J. G. Ma, X. T. Zhang, and Y. C. Liu, Nanoscale 5, 4490 (2013).
225. G. S. Rose, Y. Yao, J. M. Tour, A. C. Cabe, N. Gergel-Hackett, N. Majumdar, J. C. Bean, L. R. Harriott, and M. R. Stan, ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems (JETC) 3, 3 (2007).
226. P. O. Vontobel, W. Robinett, P. J. Kuekes, D. R. Stewart, J. Straznicky, and R. S. Williams, Nanotechnology 20, 425204 (2009).
227. W. J. Liu, X. A. Tran, H. Y. Yu, and X. W. Sun, ECS Solid State Letters 2, Q35 (2013).
228. H. B. Lv, Y. T. Li, Q. Liu, S. B. Long, L. Li, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett. 34, 229 (2013).
229. C. W. Hsu, T. H. Hou, M. C. Chen, I. T. Wang, and C. L. Lo, IEEE Electron Device Lett. 34, 885 (2013).
230. J. J. Yang, J. Borghetti, D. Murphy, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Adv. Mater. 21, 3754 (2009).
231. J. Woo, D. Lee, G. Choi, E. Cha, S. Kim, W. Lee, S. Park, and H. Hwang, Microelectron. Eng. 109, 360 (2013).
232. J. J. Yang, M. X. Zhang, M. D. Pickett, F. Miao, J. P. Strachan, W.-D. Li, W. Yi, D. A. A. Ohlberg, B. J. Choi, W. Wu, J. H. Nickel, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Appl. Phys. Lett. 100, 113501 (2012).
233. Y. S. Chen, H. Y. Lee, P. S. Chen, W. S. Chen, K. H. Tsai, P. Y. Gu, T. Y. Wu, C. H. Tsai, S. Z. Rahaman, Y. D. Lin, F. Chen, M. J. Tsai, and T. K. Ku, IEEE Electron Device Lett. 35, 202 (2014).
234. E. Linn, R. Rosezin, C. Kügeler, and R. Waser, Nat. Mater. 9, 403 (2010).
235. Z. B. Yan, X. C. Zhu, M. Liu, X. M. Jiang, X. F. Jiang, and J. M. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 45, 505107 (2012).
236. Y. C. Bae, A. R. Lee, J. B. Lee, J. H. Koo, K. C. Kwon, J. G. Park, H. S. Im, and J. P. Hong, Adv. Funct. Mater. 22, 709 (2012).
237. F. Nardi, S. Balatti, S. Larentis, D. C. Gilmer, and D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Devices 60, 70 (2013).
238. K. Eshraghian, O. Kavehei, K.-R. Cho, J. M. Chappell, A. Iqbal, S. F. Al-Sarawi, and D. Abbott, Proc. IEEE 100, 1991 (2012).
239. Y. V. Pershin and M. Di Ventra, IEEE Trans. Circuits Syst. Regul. Pap. 57, 1857 (2010).
240. S. Sangho, K. Kim, and S. M. S. Kang, IEEE Trans. Nanotechnol. 10, 266 (2011).
241. T. A. Wey and W. D. Jemison, IET Circuits Devices and Systems 5, 59 (2011).
242. D. Varghese and G. Gandhi, International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS), Milpitas, CA, USA, July (2009).
243. R. Berdan, T. Prodromakis, I. Salaoru, A. Khiat, and C. Toumazou, Appl. Phys. Lett. 101, 243502 (2012).
244. Y. N. Joglekar and S. J. Wolf, Eur. J. Phys. 30, 661 (2009).
245. Z. J. Chew and L. Li, Electron. Lett 48, 1610 (2012).
246. T. Driscoll, J. Quinn, S. Klein, H. T. Kim, B. J. Kim, Y. V. Pershin, M. Di Ventra, and D. N. Basov, Appl. Phys. Lett. 97, 093502 (2010).
247. F. Merrikh-Bayat and S. Bagheri-Shouraki, Analog Integrated Circuits and Signal Processing 66, 41 (2011).
248. W. D. Wang, Q. Yu, C. X. Xu, and Y. H. Cui, International Conference on Communications, Circuits and Systems (ICCCAS), Milpitas, CA, USA, July (2009).
249. Y. B. Zhao, C. K. Tse, J. C. Feng, and Y. C. Guo, Circuits Syst. Delivered by Publishing Technology IP: 203.56.241.128 On: Fri,Copyright: American Signal Process. 32, 1013 (2013).
250. X. B. Tian and H. Xu, Chinese Phys B 22, 088501 (2013).
251. S. Jameel, C. Korasli, and A. Nacaroglu, 2013 International Conference on Technological Advances in Electrical, Electronics and Computer Engineering (TAEECE), Konya, Turkey, May (2013).
252. M. Itoh and L. O. Chua, Int. J. Bifurcation Chaos 18, 3183 (2008).
253. B. Muthuswamy and P. Kokate, IETE Technical Review 26, 1 (2009).
254. B. C. Bao, Z. Liu, and J. P. Xu, Electron. Lett 46, 237 (2010).
255. B. Muthuswamy and L. O. Chua, Int. J. Bifurcation Chaos 20, 1567 (2010).
256. B. Muthuswamy, Int. J. Bifurcation Chaos 20, 1335 (2010).
257. T. Driscoll, Y. V. Pershin, D. N. Basov, and M. Di Ventra, Appl. Phys. A 102, 885 (2011).
258. A. Talukdar, A. G. Radwan, and K. N. Salama, Microelectron. J. 42, 1032 (2011).
259. F. Corinto, A. Ascoli, and M. Gilli, IEEE Trans. Circuits Syst. Regul. Pap. 58, 1323 (2011).
260. F. Corinto, A. Ascoli, and M. Gilli, Int. J. Circuit Theory Appl. 40, 1277 (2012).
261. P. Stavroulakis, Chaos Applications in Telecommunications, CRC Press, Boca Raton (2005).
262. A. S. Elwakil and M. P. Kennedy, IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Fundamental Theory and Applications 48, 289 (2001).
263. A. X. Qi, C. L. Zhang, and G. Y. Wang, Manufacturing Science and Technology, Pts 1-8, edited by W. Fan, Trans Tech Publications Ltd, Stafa-Zurich, (2012), Vol. 383-390, pp. 6992-6997.
264. W. Robinett, M. Pickett, J. Borghetti, Q. Xia, G. S. Snider, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Nanotechnology 21, 235203 (2010).
265. T. Raja and S. Mourad, Fifth IEEE International Symposium on Electronic Design, Test and Application (DELTA'10), Ho Chi Minh City, Vietnam, January (2010).
266. J. Borghetti, Z. Li, J. Straznicky, X. Li, D. A. Ohlberg, W. Wu, D. R. Stewart, and R. S. Williams, PNAS 106, 1699 (2009).
267. W. Wang, T. T. Jing, and B. Butcher, Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Paris, France, May-June (2010).
268. J. Cong and X. Bingjun, 2011 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), San Diego, CA, USA, June (2011).
269. Q. Xia, W. Robinett, M. W. Cumbie, N. Banerjee, T. J. Cardinali, J. J. Yang, W. Wu, X. Li, W. M. Tong, D. B. Strukov, G. S. Snider, G. Medeiros-Ribeiro, and R. S. Williams, Nano Lett 9, 3640 (2009).
270. D. Mian and Z. Lin, IEEE Trans. Very Large Scale Integr. VLSI Syst. 17, 997 (2009).
271. E. Lehtonen and M. Laiho, IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH '09), San Francisco, CA, USA, July (2009).
272. K. Kim, S. Shin, and S.-M. Kang, IEEE Trans. Comput. Aided Des. Integr. Circuits Syst. 30, 1800 (2011).
273. K. A. Bickerstaff and E. E. Swartzlander, 2010 Conference Record of the Forty Fourth Asilomar Conference on Signals, Systems and Computers (ASILOMAR), Pacific Grove, CA, USA, Nov. 7-11, (2010).
274. J. Rajendran, H. Manem, R. Karri, and G. S. Rose, 2010 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Anaheim, CA, USA, June (2010).
275. E. R. Kandel, J. H. Schwartz, and T. M. Jessell, Principles of Neural Science, 4th edn., McGraw-Hill, New York (2000).
276. A. Citri and R. C. Malenka, Neuropsychopharmacology 33, 18 (2007).
277. S. Cooke and T. Bliss, Brain 129, 1659 (2006).
278. S. Martin, P. Grimwood, and R. Morris, Annual Review of Neuroscience 23, 649 (2000).
279. J. E. Z. K. L. Magleby, The Journal of Physiology 245, 183 (1975).
280. R. S. Zucker and W. G. Regehr, Annual Review of Physiology 64, 355 (2002).
281. D. M. Kullmann and K. P. Lamsa, Nat. Rev. Neurosci. 8, 687 (2007).
282. Y. Dan and M.-M. Poo, Physiological Reviews 86, 1033 (2006).
283. L. F. Abbott and S. B. Nelson, Nat. Neurosci. 3, 1178 (2000).
284. T. Ohno, T. Hasegawa, T. Tsuruoka, K. Terabe, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Nat. Mater. 10, 591 (2011).
285. T. Chang, S. H. Jo, and W. Lu, ACS Nano 5, 7669 (2011).
286. S. G. Hu, Y. Liu, T. P. Chen, Z. Liu, Q. Yu, L. J. Deng, Y. Yin, and S. Hosaka, Appl. Phys. Lett. 102, 183510 (2013).
287. G. S. Snider, IEEE International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), Anaheim, CA, USA, June (2008).
288. S. Yu, Y. Wu, R. Jeyasingh, D. Kuzum, and H. S. P. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 58, 2729 (2011).
289. S. G. Hu, H. T. Wu, Y. Liu, T. P. Chen, Z. Liu, Q. Yu, Y. Yin, and S. Hosaka, J. Appl. Phys. 113, 114502 (2013).
290. W. Chan and J. Lohn, The 2012 International Joint Conference on Neural Networks (IJCNN), Brisbane, QLD, Australia, June (2012).
291. S. J. Choi, G. B. Kim, K. Lee, K. H. Kim,W. Y. Yang, S. Cho, H. J. Bae, D. S. Seo, S. I. Kim, and K. J. Lee, Appl. Phys. A 102, 1019 (2011).
292. H. Kim, M. Sah, C. Yang, T. Roska, and L. O. Chua, Proc. IEEE 100, 2061 (2012).
293. S. P. Adhikari, Y. Changju, K. Hyongsuk, and L. O. Chua, IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems 23, 1426 (2012).
294. B. Linares-Barranco and T. Serrano-Gotarredona, Memristance can explain spike-time-dependent-plasticity in neural synapses, Available from Nature Precedings http://hdl.handle.net/10101/npre .2009.3010.1 (2009).
295. T. Serrano-Gotarredona, T. Masquelier, T. Prodromakis, G. Indiveri, and B. Linares-Barranco, Frontiers in neuroscience 7, 1 (2013).
296. B. Linares-Barranco and T. Serrano-Gotarredona, 9th IEEE Conference on Nanotechnology, Genoa, Italy, July (2009).
297. T. Serrano-Gotarredona, T. Prodromakis, and B. Linares-Barranco, IEEECircuits and Systems Magazine 13, 74 (2013).
298. J. A. Pérez-Carrasco, C. Zamarreño-Ramos, T. Serrano-Gotarredona, and B. Linares-Barranco, Proceedings of 2010 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Paris, France, May-June (2010).
299. A. Afifi, A. Ayatollahi, and F. Raissi, IEICE Electronics Express 6, 148 (2009).
300. D. Kuzum, R. G. D. Jeyasingh, B. Lee, and H. S. P. Wong, Nano Lett. 12, 2179 (2012).
301. M. Mahowald and R. Douglas, Nature 354, 515 (1991).
302. R. Cattell and A. Parker, Challenges for Brain Emulation: Why is Building a Brain so Difficult?, Synaptic link. Available [online] http://synapticlink.org/Brain%20Emulation%20Challenges .pdf (2012).
303. F. Alibart, E. Zamanidoost, and D. B. Strukov, Nature Communications 4, 2072 (2013).
304. I. Pavlov, Annals of Neurosciences, 17, 136 (2010).
305. Y. V. Pershin and M. Di Ventra, Neural Networks 23, 881 (2010).
306. L. Chen, C. Li, X. Wang, and S. Duan, Neural Computing and Applications 22, 1071 (2013).
307. M. Ziegler, R. Soni, T. Patelczyk, M. Ignatov, T. Bartsch, P. Meuffels, and H. Kohlstedt, Adv. Funct. Mater. 22, 2744 (2012).
308. R. C. Atkinson, J. Brelsford, and R. Shiffrin, Journal of Mathematical Psychology 4, 277 (1967).
309. R. Freund, G. Loftus, and R. Atkinson, Journal of Mathematical Psychology 6, 576 (1969).
310. J. L. McGaugh, Science 287, 248 (2000).
311. T. Hasegawa, T. Ohno, K. Terabe, T. Tsuruoka, T. Nakayama, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Adv. Mater. 22, 1831 (2010).
312. T. Ohno, T. Hasegawa, A. Nayak, T. Tsuruoka, J. K. Gimzewski, and M. Aono, Appl. Phys. Lett. 99, 203108 (2011).
313. H. Ebbinghaus, Memory: A Contribution to Experimental Psychology, Translated by Henry A. Ruger and Clara E. Bussenius, Teachers College, Columbia University, New York, NY (1913).
314. S. G. Hu, Y. Liu, T. P. Chen, Z. Liu, Q. Yu, L. J. Deng, Y. Yin, and S. Hosaka, Appl. Phys. Lett. 103, 133701 (2013).
315. R. Yang, K. Terabe, G. Liu, T. Tsuruoka, T. Hasegawa, J. K. Gimzewski, and M. Aono, ACS Nano 6, 9515 (2012).
316. L. Hyungkwang, K. Inho, K. Jin-Sang, H. Cheol Seong, and J. Doo Seok, Nanotechnology 24, 384005 (2013).
317. L. Guo, Q. Wan, C. Wan, L. Zhu, and Y. Shi, IEEE Electron Device Lett. 34, 1581 (2013).
318. W. Changjin and W. Qing, 2013 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), Hong Kong, China P. R., June (2013).
319. Y. V. Pershin, S. L. Fontaine, and M. D. Ventra, Rhysical Review E 80, 021926 (2008).
320. F. L. Traversa, Y. V. Pershin, and M. Di Ventra, IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems 24, 1437 (2013).
321. S. P. Wen, Z. G. Zeng, and T. W. Huang, Neural Computing and Applications 23, 815 (2013).
322. G. S. Snider, Nanotechnology 18, 365202 (2007).
323. M. Itoh and L. O. Chua, Int. J. Bifurcation Chaos 19, 3605 (2009).