메뉴 건너뛰기




Volumn 49, Issue SUPPL. 2, 2006, Pages

Resistive switching characteristics of HfO2 grown by atomic layer deposition

Author keywords

Atomic layer deposition; HfO2; MIM; Re RAM; Resistive switching

Indexed keywords


EID: 33846342615     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (22)

References (16)
  • 4
    • 33846396392 scopus 로고    scopus 로고
    • I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-I. Chung and J. T. Moon, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meeting 587 (2004).
    • I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-I. Chung and J. T. Moon, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meeting 587 (2004).


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.