SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 4, Issue 8, 2012, Pages 2571-2574

High performance bipolar resistive switching memory devices based on Zn 2SnO 4 nanowires

(11) Dong, Haibo a,c Zhang, Xiaoxian b Zhao, Duan a,c Niu, Zhiqiang a,c Zeng, Qingsheng b Li, Jinzhu a,c Cai, Le a,c Wang, Yanchun a Zhou, Weiya a Gao, Min b,d Xie, Sishen a,b

a INSTITUTE OF PHYSICS (China)

b PEKING UNIVERSITY (China)

c UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES (China)

d KENT STATE UNIVERSITY (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DATA RETENTION; FASCINATING PHENOMENA; METAL FILAMENTS; NANO SCALE; NANOSCALE DEVICE; NON-VOLATILE MEMORIES; OPERATION VOLTAGE; PHYSICAL MODEL; RESISTIVE SWITCHING BEHAVIORS; RESISTIVE SWITCHING MEMORIES; RESPONSE SPEED; ULTRA-FAST;

NANOTECHNOLOGY; NANOWIRES; SWITCHING SYSTEMS;

ZINC;

EID: 84859313615 PISSN: 20403364 EISSN: 20403372 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2nr30133d Document Type: Article

Times cited : (38)

References (31)

1
- 33846823034
- E. M. Vogel Nat. Nanotechnol. 2007 2 25
- (2007) Nat. Nanotechnol. , vol.2 , pp. 25
- Vogel, E.M.¹

2
- 43049126833
- D. B. Strukov G. S. Snider D. R. Stewart R. S. Williams Nature 2008 453 80
- (2008) Nature , vol.453 , pp. 80
- Strukov, D.B.¹ Snider, G.S.² Stewart, D.R.³ Williams, R.S.⁴

3
- 58949104009
- S. H. Chang J. S. Lee S. C. Chae S. B. Lee C. Liu B. Kahng D. W. Kim T. W. Noh Phys. Rev. Lett. 2009 102 026801
- (2009) Phys. Rev. Lett. , vol.102 , pp. 026801
- Chang, S.H.¹ Lee, J.S.² Chae, S.C.³ Lee, S.B.⁴ Liu, C.⁵ Kahng, B.⁶ Kim, D.W.⁷ Noh, T.W.⁸

4
- 76649133422
- D. H. Kwon K. M. Kim J. H. Jang J. M. Jeon M. H. Lee G. H. Kim X. S. Li G. S. Park B. Lee S. Han M. Kim C. S. Hwang Nat. Nanotechnol. 2010 5 148
- (2010) Nat. Nanotechnol. , vol.5 , pp. 148
- Kwon, D.H.¹ Kim, K.M.² Jang, J.H.³ Jeon, J.M.⁴ Lee, M.H.⁵ Kim, G.H.⁶ Li, X.S.⁷ Park, G.S.⁸ Lee, B.⁹ Han, S.¹⁰ Kim, M.¹¹ Hwang, C.S.¹²

5
- 78649885498
- H. Y. Jeong J. Y. Lee S. Y. Choi Adv. Funct. Mater. 2010 20 3912
- (2010) Adv. Funct. Mater. , vol.20 , pp. 3912
- Jeong, H.Y.¹ Lee, J.Y.² Choi, S.Y.³

6
- 67649143212
- J. J. Yang F. Miao M. D. Pickett D. A. A. Ohlberg D. R. Stewart C. N. Lau R. S. Williams Nanotechnology 2009 20 215201
- (2009) Nanotechnology , vol.20 , pp. 215201
- Yang, J.J.¹ Miao, F.² Pickett, M.D.³ Ohlberg, D.A.A.⁴ Stewart, D.R.⁵ Lau, C.N.⁶ Williams, R.S.⁷

7
- 36048964246
- K. M. Kim B. J. Choi Y. C. Shin S. Choi C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2007 91 012907
- (2007) Appl. Phys. Lett. , vol.91 , pp. 012907
- Kim, K.M.¹ Choi, B.J.² Shin, Y.C.³ Choi, S.⁴ Hwang, C.S.⁵

8
- 79960547687
- J. Qiu A. Shih W. D. Zhou Z. T. Mi I. Shih J. Appl. Phys. 2011 110 014513
- (2011) J. Appl. Phys. , vol.110 , pp. 014513
- Qiu, J.¹ Shih, A.² Zhou, W.D.³ Mi, Z.T.⁴ Shih, I.⁵

9
- 79959965515
- H. J. Wang C. W. Zou L. Zhou C. X. Tian M. K. Lee J. C. Lee T. W. Kang D. J. Fu Phys. Status Solidi RRL 2011 5 223
- (2011) Phys. Status Solidi RRL , vol.5 , pp. 223
- Wang, H.J.¹ Zou, C.W.² Zhou, L.³ Tian, C.X.⁴ Lee, M.K.⁵ Lee, J.C.⁶ Kang, T.W.⁷ Fu, D.J.⁸

10
- 79960207813
- W. Z. Wu Z. L. Wang Nano Lett. 2011 11 2779
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 2779
- Wu, W.Z.¹ Wang, Z.L.²

11
- 79953736788
- Y. C. Yang X. X. Zhang M. Gao F. Zeng W. Y. Zhou S. S. Xie F. Pan Nanoscale 2011 3 1917
- (2011) Nanoscale , vol.3 , pp. 1917
- Yang, Y.C.¹ Zhang, X.X.² Gao, M.³ Zeng, F.⁴ Zhou, W.Y.⁵ Xie, S.S.⁶ Pan, F.⁷

12
- 77958180651
- S. Lee H. Kim J. Park K. Yong J. Appl. Phys. 2010 108 076101
- (2010) J. Appl. Phys. , vol.108 , pp. 076101
- Lee, S.¹ Kim, H.² Park, J.³ Yong, K.⁴

13
- 76749132114
- Y. C. Yang F. Pan F. Zeng New J. Phys. 2010 12 023008
- (2010) New J. Phys. , vol.12 , pp. 023008
- Yang, Y.C.¹ Pan, F.² Zeng, F.³

14
- 77953797149
- W. Y. Chang C. A. Lin J. H. He T. B. Wu Appl. Phys. Lett. 2010 96 242109
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.96 , pp. 242109
- Chang, W.Y.¹ Lin, C.A.² He, J.H.³ Wu, T.B.⁴

15
- 80051598530
- K. Oka T. Yanagida K. Nagashima M. Kanai T. Kawai J. S. Kim B. H. Park J. Am. Chem. Soc. 2011 133 12482
- (2011) J. Am. Chem. Soc. , vol.133 , pp. 12482
- Oka, K.¹ Yanagida, T.² Nagashima, K.³ Kanai, M.⁴ Kawai, T.⁵ Kim, J.S.⁶ Park, B.H.⁷

16
- 70450245376
- E. D. Herderick K. M. Reddy R. N. Sample T. I. Draskovic N. P. Padture Appl. Phys. Lett. 2009 95 203505
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.95 , pp. 203505
- Herderick, E.D.¹ Reddy, K.M.² Sample, R.N.³ Draskovic, T.I.⁴ Padture, N.P.⁵

17
- 77952347658
- K. Oka T. Yanagida K. Nagashima T. Kawai J. S. Kim B. H. Park J. Am. Chem. Soc. 2010 132 6634
- (2010) J. Am. Chem. Soc. , vol.132 , pp. 6634
- Oka, K.¹ Yanagida, T.² Nagashima, K.³ Kawai, T.⁴ Kim, J.S.⁵ Park, B.H.⁶

18
- 75749104692
- L. Goux J. G. Lisoni M. Jurczak D. J. Wouters L. Courtade C. Muller J. Appl. Phys. 2010 107 024512
- (2010) J. Appl. Phys. , vol.107 , pp. 024512
- Goux, L.¹ Lisoni, J.G.² Jurczak, M.³ Wouters, D.J.⁴ Courtade, L.⁵ Muller, C.⁶

19
- 33745013331
- D. C. Kim M. J. Lee S. E. Ahn S. Seo J. C. Park I. K. Yoo I. G. Baek H. J. Kim E. K. Yim J. E. Lee S. O. Park H. S. Kim U. I. Chung J. T. Moon B. I. Ryu Appl. Phys. Lett. 2006 88 232106
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 232106
- Kim, D.C.¹ Lee, M.J.² Ahn, S.E.³ Seo, S.⁴ Park, J.C.⁵ Yoo, I.K.⁶ Baek, I.G.⁷ Kim, H.J.⁸ Yim, E.K.⁹ Lee, J.E.¹⁰ Park, S.O.¹¹ Kim, H.S.¹² Chung, U.I.¹³ Moon, J.T.¹⁴ Ryu, B.I.¹⁵

20
- 35148849058
- C. Schindler S. C. P. Thermadam R. Waser M. N. Kozicki IEEE Trans. Electron Devices 2007 54 2762
- (2007) IEEE Trans. Electron Devices , vol.54 , pp. 2762
- Schindler, C.¹ Thermadam, S.C.P.² Waser, R.³ Kozicki, M.N.⁴

21
- 77956267401
- C. Y. Liu J. M. Hsu Microelectron. Eng. 2010 87 2504
- (2010) Microelectron. Eng. , vol.87 , pp. 2504
- Liu, C.Y.¹ Hsu, J.M.²

22
- 79955919620
- K. Nagashima T. Yanagida K. Oka M. Kanai A. Klamchuen J. S. Kim B. H. Park T. Kawai Nano Lett. 2011 11 2114
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 2114
- Nagashima, K.¹ Yanagida, T.² Oka, K.³ Kanai, M.⁴ Klamchuen, A.⁵ Kim, J.S.⁶ Park, B.H.⁷ Kawai, T.⁸

23
- 77951064806
- K. Nagashima T. Yanagida K. Oka M. Taniguchi T. Kawai J. S. Kim B. H. Park Nano Lett. 2010 10 1359
- (2010) Nano Lett. , vol.10 , pp. 1359
- Nagashima, K.¹ Yanagida, T.² Oka, K.³ Taniguchi, M.⁴ Kawai, T.⁵ Kim, J.S.⁶ Park, B.H.⁷

24
- 79955138841
- W. G. Kim M. G. Sung S. J. Kim J. H. Yoo T. O. Youn J. W. Oh J. N. Kim B. G. Gyun T. W. Kim C. H. Kim J. Y. Byun W. Kim M. S. Joo J. S. Roh S. K. Park J. Electrochem. Soc. 2011 158 417
- (2011) J. Electrochem. Soc. , vol.158 , pp. 417
- Kim, W.G.¹ Sung, M.G.² Kim, S.J.³ Yoo, J.H.⁴ Youn, T.O.⁵ Oh, J.W.⁶ Kim, J.N.⁷ Gyun, B.G.⁸ Kim, T.W.⁹ Kim, C.H.¹⁰ Byun, J.Y.¹¹ Kim, W.¹² Joo, M.S.¹³ Roh, J.S.¹⁴ Park, S.K.¹⁵

25
- 34247561316
- C. Y. Lin C. Y. Wu T. C. Lee F. L. Yang C. Hu T. Y. Tseng IEEE Electron Device Lett. 2007 28 366
- (2007) IEEE Electron Device Lett. , vol.28 , pp. 366
- Lin, C.Y.¹ Wu, C.Y.² Lee, T.C.³ Yang, F.L.⁴ Hu, C.⁵ Tseng, T.Y.⁶

26
- 20544436221
- C. Y. Liu P. H. Wu A. Wang W. Y. Jang J. C. Young K. Y. Chiu T. Y. Tseng IEEE Electron Device Lett. 2005 26 351
- (2005) IEEE Electron Device Lett. , vol.26 , pp. 351
- Liu, C.Y.¹ Wu, P.H.² Wang, A.³ Jang, W.Y.⁴ Young, J.C.⁵ Chiu, K.Y.⁶ Tseng, T.Y.⁷

27
- 77952983890
- Z. M. Liao C. Hou H. Z. Zhang D. S. Wang D. P. Yu Appl. Phys. Lett. 2010 96 203109
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.96 , pp. 203109
- Liao, Z.M.¹ Hou, C.² Zhang, H.Z.³ Wang, D.S.⁴ Yu, D.P.⁵

28
- 36549051736
- D. Lin H. Wu W. Pan Adv. Mater. 2007 19 3968
- (2007) Adv. Mater. , vol.19 , pp. 3968
- Lin, D.¹ Wu, H.² Pan, W.³

29
- 70249109215
- K. Oka T. Yanagida K. Nagashima H. Tanaka T. Kawai J. Am. Chem. Soc. 2009 131 3434
- (2009) J. Am. Chem. Soc. , vol.131 , pp. 3434
- Oka, K.¹ Yanagida, T.² Nagashima, K.³ Tanaka, H.⁴ Kawai, T.⁵

30
- 33947190578
- J. X. Wang S. S. Xie W. Zhou MRS Bull. 2007 32 123
- (2007) MRS Bull. , vol.32 , pp. 123
- Wang, J.X.¹ Xie, S.S.² Zhou, W.³

31
- 79952665471
- Z. B. Yan Y. Y. Guo G. Q. Zhang J. M. Liu Adv. Mater. 2011 23 1351
- (2011) Adv. Mater. , vol.23 , pp. 1351
- Yan, Z.B.¹ Guo, Y.Y.² Zhang, G.Q.³ Liu, J.M.⁴

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.