Interface-engineered resistive switching: CeO2 nanocubes as high-performance memory cells

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 19, 2013, Pages 9429-9434

  Younis, Adnan ^a   Chu, Dewei ^a   Mihail, Ionsecu ^b   Li, Sean ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

^b AUSTRALIAN NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY ORGANISATION   (Australia)

Author keywords

cerium oxide; hydrothermal process; metal oxide; oxygen vacancies; resistive switching; self assembly

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; CERIUM OXIDE; ELECTRIC FIELDS; METALS; OXYGEN VACANCIES; SELF ASSEMBLY;

ELECTRIC FIELD STRENGTH; FABRICATED DEVICE; HIGH-RESISTANCE STATE; HYDROTHERMAL PROCESS; LOW-RESISTANCE STATE; METAL OXIDES; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MEMORY;

SWITCHING;

EID: 84885439431     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am403243g     Document Type: Article

References (33)

1. Szot, K.; Speier, W.; Bihlmayer, G.; Waser, R. Nat. Mater. 2006, 5, 312-320
2. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663
3. Gao, B.; Yu, S.; Xu, N.; Liu, L. F.; Sun, B.; Liu, X. Y.; Han, R. Q.; Kang, J. F.; Yu, B.; Wang, Y. Y. Electron Devices Meeting, IEDM 2008; IEEE International: Bangalore, India, 2008; pp 1-4.
4. Chu, D.; Younis, A.; Li, S. J. Phys. D: Appl. Phys. 2012, 45, 355306-355309
5. Nishi, Y.; Jameson, J. R. Rec. Prog. Resistance Change Memory, Device Res. Conf. 2008, 271-274
6. Son, J. Y.; Shin, Y. H. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 222106-222108
7. Fang, Z.; Yu, H.; Liu, W.; Wang, Z.; Tran, X.; Gao, B.; Kang, J. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31, 476-478
8. Lin, C. Y.; Lee, D. Y.; Wang, S. Y.; Lin, C. C.; Tseng, T. Y. Surf. Coat. Technol. 2008, 203, 480-483
9. Yang, S. M.; Chien, C. H.; Huang, J. J.; Lei, T. F.; Tsai, M. J.; Lee, L. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 262104-262106
10. Chu, D.; Masuda, Y.; Ohji, T.; Kato, K. Langmuir 2010, 26, 14814-14820
11. Chu, D.; Masuda, Y.; Ohji, T.; Kato, K. J. Am. Ceram. Soc. 2010, 93, 887-893
12. Younis, A.; Chu, D.; Li, S. J. Phys. D: Appl. Phys. 2012, 45, 355101-355106
13. Younis, A.; Chu, D.; Li, S. Nanoscale Res. Lett. 2013, 8, 154-159
14. Younis, A.; Chu, D.; Lin, X.; Lee, J.; Li, S. Nanoscale Res. Lett. 2013, 8, 36-40
15. Tye, L.; El-Masry, N. A.; Chikyow, T.; McLarty, P.; Bedair, S. M. Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 3081-3083
16. Skorodumova, N. V.; Ahuja, R.; Simak, S. I.; Abrikosov, I. A.; Johansson, B.; Lundqvist, B. I. Phys. Rev. B 2001, 64, 115108-115116
17. Copetti, C. A.; Soltner, H.; Schubert, J.; Zander, W.; Hollricher, O.; Buchal, C.; Schulz, H.; Tellmann, N.; Klein, N. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 1429-1431
18. Dou, C.; Kakushima, K.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Nishiyama, A.; Sugii, N.; Natori, K.; Hattori, T.; Iwai, H. Microelectron. Reliab. 2012, 52, 688-691
19. Liao, Z.; Gao, P.; Meng, Y.; Fu, W.; Bai, X.; Zhao, H.; Chen, D. Solid State Electron. 2012, 72, 4-7
20. Lin, C. Y.; Lee, D. Y.; Wang, S. Y.; Lin, C. C.; Tseng, T. Y. Surf. Coat. Technol. 2008, 203, 480-483
21. Dang, F.; Kato, K.; Imai, H.; Wada, S.; Haneda, H.; Kuwabara, M. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 4129-4134
22. Younis, A.; Chu, D.; Lin, X.; Yi, J.; Dang, F.; Li, S. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 2249-2254
23. Hsu, C. W.; Chou, L. J. Nano Lett. 2012, 12, 4247-4253
24. Jeong, H. Y.; Kim, J. Y.; Kim, J. W.; Hwang, J. O.; Kim, J. E.; Lee, J. Y.; Yoon, T. H.; Cho, B. J.; Kim, S. O.; Ruoff, R. S.; Choi, S. Y. Nano Lett. 2010, 10, 4381-4386
25. Jiang, Y.; Adams, J. B.; Schilfgaarde, V. M.; Sharma, R.; Crozier, P. A. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 141917-141919
26. Tschöpe, A. J. Electroceram. 2005, 14, 5-23
27. Chiang, Y. M.; Lavik, E. B.; Kosacki, I.; Tuller, H. L.; Ying, J. Y. J. Electroceram. 1997, 1, 7-14
28. Hwang, J. H.; Mason, T. O. Z. Phys. Chem., Int. J. Res. Phys. Chem. Chem. Phys. 1998, 207, 21-38
29. Anderson, G. R.; Nowick, S. A. J. Electrochem. Soc. 1975, 122, 255-259
30. Sun, C.; Liab, H.; Chenab, L. Energy Environ. Sci. 2012, 5, 8475-8505
31. Lanza, M.; Bersuker, G.; Porti, M.; Miranda, E.; Nafria, M.; Aymerich, X. Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 193502-193505
32. Lanza, M.; Zhang, K.; Porti, M.; Nafria, M.; Shen, Z. Y.; Liu, L. F.; Kang, J. F.; Gilmer, D.; Bersuker, G. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 123508-123511
33. Liang, H.; Raitano, J. M.; He, G.; Akey, A. J.; Herman, I. P.; Zhang, L.; Chan, S. W. J. Mater. Sci. 2012, 47, 299-307