Redox-based resistive switching memories nanoionic mechanisms, prospects, and challenges

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 25-26, 2009, Pages 2632-2663

  Waser, Rainer ^a,b,c   Dittmann, Regina ^a,b   Staikov, Ceorgi ^a,b   Szot, Kristof ^a,b  

^a Section Fundamentals of Future Information Technology (JARA FIT)   (Germany)

^b FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^c RWTH AACHEN UNIVERSITY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE METALS; AFM; CHEMICAL EFFECT; ELECTRO-THERMAL SIMULATION; ELECTRODE METALS; METAL FILAMENTS; METALLIZATION; OXYGEN AFFINITY; REDOX PROCESS; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY; RESISTIVE SWITCHING MEMORIES; SELENIDES; SRTIO; SWITCHING CYCLES; THERMALLY ACTIVATED PROCESS;

CELL MEMBRANES; DISSOLUTION; ELECTRIC POTENTIAL; FILAMENTS (LAMP); METAL RECOVERY; METALS; OXYGEN; RANDOM ACCESS STORAGE; SELENIUM COMPOUNDS; SILVER; SINGLE CRYSTALS; VAPOR DEPOSITION;

SOLID ELECTROLYTES;

EID: 67650102619     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200900375     Document Type: Review

References (178)

1. Nanotechnology, Val. 3 (Ed: R. Waser), Wiley-VCH, Weinheim 2008.
2. A. Flocke, T. G. Noll, C. Kugeler, C. Nauenheim, R. Waser, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium, 2008, p. 319.
3. The international Technology Roadmap far Semiconductors - ITRS 2007 Edition (http://www.itrs.net), 2007.
4. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 1971, 18, 507.
5. L. O. Chua, S. M. Kang, Proc. IEEE 1976, 64, 209.
6. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
7. H. Akinaga, H. Shima, F. Takano, I. H. Inoue, H. Takagi, IEEJ Trans. 2007, 2, 453.
8. E. Loertscher, J. W. Ciszek, J. Tour, H. Riel, Small 2006, 2, 973.
9. L. Esaki, R. B. Laibowitz, P. j. Stiles, IBM Tech. Disci. Bull. 1971, 73, 2161.
10. E. Y. Tsymbal, H. Kohlstedt, Science 2006, 373, 181.
11. M. Wuttig, N. Yamada, Nat. Mater. 2007, 6, 824.
12. M. N. Kozicki, M. Yun, L. Hilt, A. Singh, J. Eletrochem. Soc. 1999, 146, 298.
13. G. Dearnaley, A. M. Stoneham, D. V. Morgan, Rep. Prog. Phys. 1970, 33, 1129.
14. D. P. Oxley, Eledrocomp. Sci. Technol. 1977, 3, 217.
15. H. Pagnia, N. Sotnik, Phys. Status Solidi 1988, 708, 11.
16. A. Asamitsu, Y. Tomioka, H. Kuwahara, Y. Tokura, Nature 1997, 388, 50.
17. A. Beck, J. G. Bednorz, C. Gerber, C. Rossel, D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 139.
18. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
19. A. Sawa, Mater. Today 2008, 11, 28.
20. M. N. Kozicki, M. Mitkova, in Nanotechnology, Vol. 3(Ed: R. Waser), Wiley-VCH, Weinheim 2008.
21. C. Schindler, M. Meier, R. Waser, M. N. Kozicki, in Proc. IEEE Non- Volatile Memory Technology Symp. 2007, p. 82.
22. Y. Hirose, H. Hirose, J. Appl. Phys. 1976, 47, 2767.
23. B. Swaroop, W. C. West, G. Martinez, M. N. Kozicki, L. A. Akers, Proc. IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 1998, 3, 33.
24. M. N. Kozicki, M. Mitkova, M. Park, M. Balakrishnan, C. Gopalan, Superlattices Microstrud. 2003, 34, 459.
25. M. N. Kozicki, M. Park, M. Mitkova, IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 331.
26. T. Sakamoto, H. Sunamura, H. Kawaura, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3032.
27. K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, M. Aono, Nature 2005, 433, 47.
28. S. Kaeriyama, T. Sakamoto, H. Sunamura, M. Mizuno, H. Kawaura, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama, M. Aono, IEEE J. Solid-State Circuits 2005, 40, 168.
29. N. Banno, T. Sakamoto, T. Hasegawa, K. Terabe, M. Aono, jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, 3666.
30. C. Liaw, Selected Topics Elec. Micromeck, Shaker 2007, 63, ISBN 978-3-8322-6706-3.
31. M. N. Kozicki, M. Balakrishan, C, Gopalan, C. Ratnakumar, M. Mitkova, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symp. 2005, p. 83.
32. Z. Wang, P. B. Griffin, J. McVittie, S. Wong, P. C. Mclntyre, Y. Nishi, IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 14.
33. C. Schindler, S. C. P. Thermadam, R. Waser, M. N. Kozicki, IEEE Trans. Electron Devices 2007, 54, 2762.
34. C. Schindler, M. Weides, M. N. Kozicki, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 122910.
35. N. F. Mott, R. W. Gurney, Electronic Processes In Ionic Crystals, Oxford University Press, Oxford 1948.
36. J. J. O'Dwyer, The Theory of Eledrical Condudion and Breakdown in Solid Dieledrics, Clarendon, Oxford 1973.
37. A. Bard, L. Faulkner, Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications, Wiley, New York 2001.
38. E. Budevski, G. Staikov, W. J. Lorenz, Electrochemical Phase Formation and Growth, VCH, Weinheim 1996.
39. G. Staikov, Electrocrystallization in Nanotechnology, Wiley-VCH, Weinheim 2007.
40. M. Fleischmann, S. Pons, D. Rolison, P. Schmidt, Ultramicroelectrodes, Data Tech Systems, USA, 1987.
41. C. Schindler, C. Staikov, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 72109.
42. C. Schindler, K. Szot, S. Karthauser, R. Waser, Phys. Status Solidi 2008, 2, 129.
43. X. Guo, C. Schindler, S. Menzel, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 1.
44. M. N. Kozicki, C. Gopalan, M. Balakrishnan, M. Park, M. Mitkova, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symp, 2004, p. 10.
45. W. Guan, S. Long, Q. Liu, M. Liu, W. Wang, IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 434.
46. T. Kever, U. Bottger, C. Schindler, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2007, 97, 083506.
47. M. Ribes, E. Bychkov, A. Pradel, J. Optoelectron. Adv. Mater. 2001, 3, 665.
48. M. Balakrishnan, M. Kozicki, C. Poweleit, S. Bhagat, T. Alford, M. Mitkova, J. Non-Cryst. Solids 2007, 353, 1454.
49. C. Schindler, I. Valov, R. Waser, Phys. Chem. Chem. Phys., in press.
50. R. S. Potember, T. O. Poehler, D. O. Cowan, Appl. Phys. Lett. 1979, 34,405.
51. J. Billen, S. Streudel, R. Müller, ). Genoe, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 2007, 97, 263507.
52. W. R. Hiatt, T. W. Hickmott, Appl. Phys. Lett. 1965, 6, 106.
53. H. Oshima, K. Miyano, Y. Konishi, M. Kawasaki, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1473.
54. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, C. Gerber, D. Widmer, A. Beck, S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3738.
55. J. G. Simmons, R. R. Verderber, Proc. R. Soc. London Ser. A 1967, 307, 77.
56. J. Ouyang, C-W. Chu, C. R. Szmanda, L. Ma, Y. Yang, Nat. Mater. 2004, 3, 918.
57. L. D. Bozano, B. W. Kean, M. Beinhoff, K. R. Carter, P. M. Rice, J. C. Scott, Adv. Fund. Mater. 2005, 15, 1933.
58. W. Guan, S. Long, M. Liu, Z. Li, Y. Hu, Q. Liu, J. Phys. D 2007, 40, 2754.
59. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 232112.
60. T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, H. Akoh, Y. Kawazoe, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 12107.
61. K. Campbell, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symp. 2006, 98.
62. R. Fors, S. I. Khartsev, A. M. Grishin, Phys. Rev. B 2005, 71, 45305.
63. D. S. Kim, Y. H. Kim, C. E. Lee, Y. T. Kim, Phys. Rev. B 2006, 74, 174430.
64. G. I. Meijer, U. Staub, M. Janousch, S. L. Johnson, B. Delley, T. Neisius, Phys. Rev. B 2005, 72, 155102.
65. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, M. J. Sanchez, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 178302/1.
66. M. J. Rozenberg, I. H. Inoue, M. J. Sanchez, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 33510.
67. H. Schroeder, V. Zhirnov, R. Cavin, R. Waser, unpublished.
68. H. Kohlstedt, N. A. Pertsev, J. R. Contreras, R. Waser, Phys. Rev. 82005, 72, 125341.
69. P. W. M. Blom, R. M. Wolf, J. F. M. Cillessen, M. P. C. M. Krijn, Phys. Ren Lett. 1994, 73, 2107.
70. M. Okano, Y. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 233.
71. R. Meyer, J. Rodriguez-Contreras, A. Petraru, H. Kohlstedt, Int. Ferroeledrics 2004, 68, 77.
72. R. Meyer, R. Waser, J. Appl. Phys. 2006, 100, 1611.
73. F. A. Kroeger, The Chemistry of imperfect Crystals, North-Holland, Amsterdam 1973.
74. S. Piskunov, E. Heifets, R. I. Eglitis, G. Borstel, Comput. Mater. Sci. 2004, 29, 165.
75. D. M. Smyth, Annu. Rev. Mater. Sci. 1985, 75, 329.
76. G. V. Lewis, C. R. A. Catlow, Radiat. Eff. 1983, 73, 307.
77. R. Meyer, R. Waser, J. Helmbold, G. Borchardt, J. Electroceram. 2002, 9, 101.
78. R. Meyer, R. Waser, J. Helmbold, G. Borchardt, Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 105901/1.
79. F. A. Kroeger, H. J. Vink, J. Phys. Chem. Solids 1958, 5, 208.
80. R. Merkle, J. Maier, Angew. Chem. Int. Ed. 2008, 47, 3874.
81. G. M. Choi, H. L. Tuller, D. Goldschmidt, Phys. Rev. B 1986, 34, 6972.
82. H. Ihrig, J. Phys. C. 1976, 9, 3469.
83. C. Tragut, K. H. Härdtl, Sens. Aduators B 1991, 4, 425.
84. R. Waser, J. Am. Ceram. Soc. 1991, 74, 1934.
85. T. Bieger, J. Maier, R. Waser, Sens. Aduators B 1992, 7, 763.
86. C. Ohly, S. Hoffmann-Eifert, X. Guo, J. Schubert, R. Waser, J. Am. Ceram. Soc. 2006, 89, 2845.
87. N.-H. Chan, R. K. Sharma, D. M. Smyth, J. Electrochem. Soc. 1981, 728, 1762.
88. R. Waser, Solid State Ionics 1995, 75, 89.
89. R. A. De-Souza, J. Fleig, J. Maier, O. Kienzle, Z. Zhang, W. Sigle, M. Ruhle, J. Am. Ceram. Soc. 2003, 86, 922.
90. R. Hagenbeck, R. Waser, J. Appl. Phys. 1998, 83, 2083.
91. G. W. Dietz, W. Antpohler, M. Klee, R. Waser, J. Appl. Phys. 1995, 78, 6113.
92. G. W. Dietz, R. Waser, Thin Solid Films 1997, 299, 53.
93. H. Schroeder, S. Schmitz, P. Meuffels, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 781
94. H. Schroeder, S. Schmitz, Ann. Phys. 2004, 13, 90.
95. M. Schumacher, G. W. Dietz, R. Waser, Int. Ferroeledrics 1995, 70, 231.
96. D. M. Smyth, Prog. Solid State Chem. 1984, 75, 145.
97. P. A. Cox, Transition Metal Oxides: An Introduction to Their Electronic Structure and Properties, Clarendon Press, Oxford 1995.
98. O. T. Sorensen, Nonstoichiometric Oxides, Academic, New York 1981.
99. C. L. Jia, M. Lentzen, K. Urban, Science 2003, 299, 870.
100. Z. Zhang, W. Sigle, M. Ruhle, Phys. Rev. B 2002, 66, 94108.
101. C. L. Jia, L. Houben, K. Urban, Philos. Mag. Lett. 2006, 86, 683.
102. C. L. Jia, A. Thust, K. Urban, Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 225506/1.
103. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser, Nat. Mater. 2006, 5, 312.
104. K. Szot, B. Reichenberg, F. Peter, in Scanning Probe Microscopy (Eds. S. Kalinin, A. Gruverman), Springer, Heidelberg/Berlin 2007.
105. K. Szot, W. Speier, R. Carius, U. Zastrow, W. Beyer, Phys. Rev. Lett. 2002, 88, 075508/1.
106. R. Wang, Y. Zhu, S. M. Shapiro, Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 2370.
107. J. Maier, Physical Chemistry of Ionic Materials, Wiley-VCH, Weinheim 2004.
108. R. Waser, in Ferroelectric Ceramics, (Ed: N. Setter), Birkhäuser Verlag, Basel 1993, p. 273.
109. T. Baiatu, R. Waser, K. H. Hardtl, J. Am. Ceram. Soc. 1990, 73, 1663.
110. R. Waser, unpublished.
111. R. Waser, T. Baiatu, K. H. Hardtl, J. Am. Ceram. Soc. 1990, 73, 1654.
112. P. D. Greene, E. L. Bush, I. R. Rawlings, Proc. Symp. Deposited Thin Film Dielectric Materials, Montreal 1968, 167.
113. M. Janousch, G. I. Meijer, U. Staub, B. Delley, S. F. Karg, B. P. Andreasson, Adv. Mater. 2007, 19, 2232.
114. S. F. Karg, G. I. Meijer, J. G. Bednorz, C. T. Rettner, A. G. Schrott, E. A. Joseph, C. H. Lam, M. Janousch, U. Staub, F. La Mattina, S. F. Alvarado, D. Widmer, R. Stutz, U. Drechsler, D. Caimi, IBM J. Res. Dev. 2008, 52, 481.
115. J. R. Jameson, Y. Fukuzumi, Z. Wang, P. Griffin, K. Tsunoda, G. I. Meijer, Y. Nishi, Appl. Phys. Lett. 2007, 97, 112101.
116. R. Oligschlaeger, R. Waser, R. Meyer, S. Karthauser, R. Dittmann, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 42901.
117. S. Wan, R. Dittmann, U. Breuer, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 222102.
118. D. S. Jeong, H. Schroeder, U. Breuer, R. Waser, J. Appl. Phys. 2008, 704, 123716.
119. H. Schroeder, D. S. Jeong, Microelectron. Eng. 2007, 84, 1982.
120. D. S. Jeong, Ph. D. Thesis, RWTH Aachen, 2008.
121. T. Menke, P. Meuffels, R. Dittmann, K. Szot, R. Waser, J. Appl. Phys. 2009, 705, 066104.
122. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S.Williams, Nanotechnology 2008, 79, 165203.
123. K. Szot, R. Dittmann, W. Speier, R. Waser, Phys. Status Solidi 2007, No.2, R86.
124. D. B. Strukov, J. L. Borghetti, R. S. Williams, Small 2009, 5, 9, 1058.
125. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 146403/1.
126. D. S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser, Electrochem. Solid-State Lett. 2007, 10, G51.
127. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke, J. Appl. Phys. 2005, 98, 33715.
128. K. Kinoshita, K. Tsunoda, Y. Sato, H. Noshiro, S. Yagaki, M. Aoki, Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 033506.
129. H. Sim, D. Choi, D. Lee, S. Seo, M.-J. Lee, I.-K. Yoo, H. Hwang, IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 292.
130. R. Muenstermann, R. Dittmann, K. Szot, S. Mi, C-L. Jia, P. Meuffels, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 023110.
131. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 112508.
132. T. Fujii, M. Kawasaki, A. Sawa, Y. Kawazoe, H. Akoh, Y. Tokura, Phys. Rev. B 2007, 75, 165101.
133. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4073.
134. M. Hasan, R. Dong, H. J. Choe, D. S. Lee, D. J. Seong, M. S. Pyun, H. Hwang, Appl, Phys. Lett, 2008, 92, 202102.
135. R. Meyer, L. Schloss, J. Brewer, R. Lambertson, W. Kinney, J. Sanchez, D. Rinerson, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symp. 2008, P- 1.
136. A. Ignatiev, N. J. Wu, X. Chen, S. Q. Liu, C. Papagianni, J. Strozier, Phys. Status, Solidi 2006, 243, 2089.
137. R. Waser, IEEE Technical Digest International Electron Devices Meeting 2008, p. 289.
138. C. Kuegeler, C. Nauenheim, M. Meier, R. Ruediger, R. Waser, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symposium 2008, p. 59.
139. S. H. jeon, B. H. Park, J. Lee, B. Lee, S. Han, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 42904.
140. D. B. Strukov, R. S. Williams, Appl. Phys. A 2009, 94, 515.
141. A. B. Lidiard, in: Handbuch der Physik, Vol. 20(Ed: S. Flügge), Springer, Berlin 1957, p. 246.
142. K. Szot, M. Pawelczyk, j. Herion, C. Freiburg, J. Albers, R. Waser, J. Hulliger, J. Kwapulinski, j. Dec, Appl. Phys. A 1996, 62, 335.
143. A. Odagawa, Y. Katoh, Y. Kanzawa, Z. Wei, T. Mikawa, S. Muraoka, T. Tagaki, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 133503.
144. Z. Wei, Y. Kanzawa, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muraoka, S, Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. lijima, T. Mikawa, T. Ninomiya, R. Miyanaga, Y. Kawashima, K. Tsuji, A. Himeno, T. Okada, R. Azuma, K. Shimakawa, H. Sugaya, T. Takagi, R. Yasuhara, H. Horiba, H. Kumigashira, M. Oshima, IEEE Technical Digest International Electron Devices Meeting 2008, p. 293.
145. J. F. Gibbons, W. E. Beadle, Solid-State Electron. 1964, 7, 785.
146. J.-B. Yun, S. Kim, S. Seo, M.-J. Lee, D.-C. Kim, S.-E. Ahn, Y. Park, J. Kim, H. Shin, Phys. Status Solidi (RRL) 2007, 7, 280.
147. J. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim. I. K. Yoo, U.-I. Chung, I. T. Moon, IEEE Technical Digest International Electron Devices Meeting 2004, p. 587.
148. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, S. K. Choi, D. S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. S. Byun, I. R. Hwang, S. H. Kim, B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 93509.
149. S.-E. Ahn, M.-J. Lee, Y. Park, B. S. Kang, C. B. Lee, K. H. Kim, Adv. Mater. 2008, 20, 924.
150. L. Courtade, C. Turquat, Ch. Müller, j. G. Lisoni, L. Goux, D. J. Wouters, in Proc. IEEE Non-Volatile Memory Technology Symp. 2007, p. l.
151. H. Shima, F. Takano, H. Akinaga, Yukio Tainaí, I. H. Inoue, H. Takagi, Appl. Phys, Lett. 2007, 91, 012901.
152. I. H. Inoue, S. Yasuda, H. Akinaga, H. Takagi, Phys. Rev, 6 2008, 035105.
153. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, 1. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, ). E. Lee. S. O. Park, H. S. Kim, U-ln-Chung, J. T. Moon, B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 232106.
154. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, H. Tanakajpn. J. Appl, Phys. 2006, 45, L991.
155. K. Jung, H. Seo, Y. Kim, H. Im, J. Hong, J.-W. Park, J.-K. Lee, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 052104.
156. M.G.Kim, S. M. Kim, E.J. Choi, S. E. Moon, J. Park, H.C.Kim, B.H.Park, M.J. Lee, S. Seo, D. H. Seo, S. E. Ahn, I. K. Yoo, Jpn. J, Appl, Phys, 2005, 44, L1301.
157. C. Cagli, D. Ielmim, F. Nardi, A. L. Lacaita, IEEF Technical Digest International Electron Devices Meeting, 2008, 301.
158. S. H. Chang, S. C. Chae, S. B. Lee, C. Liu, T. W. Noh, J. S. Lee, B. Kahng, J. H. Jang, M. Y. Kim, D.-W. Kim, C. U. Jung, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 183507.
159. H. Schmalzried, A. Navrotsky, Festkörperthermodynamik, Verlag Chemie, Weinheim 2004, 122.
160. L. Nagarajan, R. A. De Souza, D. Samuelis, I. Valov, A. Borger, J. Janek, K. D. Becker, P. C. Schmidt, M. Martin, Not Mater. 2008, 7, 391.
161. R. Yasuhara, K. Fujiwara, K. Horiba, M. Kotsugi, F. Guo, H. Kumigashira, M. Oshima, H. Tagaki, Workshop on Oxide Electronics WOE15, Estes Park, 2008, (Poster).
162. J. Y. Son, Y.-H. Shin, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 222106.
163. U. Russo, D. Ielmini, C. Cagli, A. Lacaita, S. Spicga, C. Wiemer, M. Perego, M, Fanciulli, IEEE Technical Digest International Electron Devices Meeting 2007, 775.
164. I. H. Inoue, S. Yasuda, H. Akinaga, H. Takagi, Phys. Rev. B 2008, 77, 035105.
165. S. C. Chae, J. S. Lee, S. Kim, S. B. Lee, S. H. Chang, C. Uu, B. Kahng, H. Shin. D.-W. Kim, C. Uk Jung, S. Seo, M.-J. Lee, T. W. Noh, Adv. Mater. 2008, 20, 1154.
166. M. Kund, G. Beitel, C. U. Pinnow, T. Rohr, J. Schumann, R. Symanczyk, K. D. Ufert, G. Muller, IEEE Technical Digest international Electron Devices Meeting 2005, p. 4.
167. R. Symanczyk, R. Dittrich, j. Keller, M. Kund, G. Mueller, B. Ruf, P-H. Albarede, S. Bournat, L. Bouteille, A. Duch, in Proc, IEEE Non-Volatiie Memory Technology Symp. 2007, p. 70.
168. S. Dietrich, M. Angerbauer, M. Ivanov, D. Gogl, H. Hoenigschmid, M. Kund, C. Liaw, M. Markert, R. Symanczyk, L. Altimime, S. Bournat, G. Mueller, IEEE J. Solid-State Circuits 2007, 42, 839.
169. K. K. Likharev, in Proc. IEEE Conf. Nanotechnology 2003, 903, 339.
170. M. Meier, R. Rosezin, S. Gilles, A. Ruediger, C. Kuegeler, R. Waser, in Proc. Int. Conf. Ultimate Integration on Silicon 2009, p. 143.
171. A, Flocke, T. G, NoiI, in Proc. of the 33rd European Solid-State Circuits Conf. (ESSCIRq 2007, p. 328.
172. M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, S.-E. Ahn, D. H. Seo, I. K. Yoo, I. G. Baek, D. S. Kim, I. S. Byun, S. H. Kim, I. R. Hwang, J. S. Kim, S. H. Jeon, B. H. Park, Adv. Mater. 2007, 79, 73.
173. J. R. Heath, P. J. Kuekes, G. S. Snider, R. S. Williams, Science 1998, 280, 1716.
174. G. Snider, P. Kuekes, R. S. Williams, Nanotechnology 2004, 15, 881.
175. A. DeHon, S. C. Goldstein, P. J. Kuekes, P. Lincoln, IEEE Trans. Nanotechnol. 2005, 4, 215.
176. D. Strukov, K. Likharev, Nanotechnology 2005, 16, 888.
177. O. Turel, K. Likharev, Int. J. Circuit Theory Appl. 2003, 31, 37.
178. G. S. Snider, R. S. Williams, Nanotechnology 2007, 18, 1.