Dopant control by atomic layer deposition in oxide films for memristive switches

Chemistry of Materials

Volumn 23, Issue 2, 2011, Pages 123-125

  Yang, J Joshua ^a   Kobayashi, Nobuhiko P ^b   Strachan, John Paul ^a   Zhang, M X ^a   Ohlberg, Douglas A A ^a   Pickett, Matthew D ^a   Li, Zhiyong ^a   Medeiros Ribeiro, Gilberto ^a   Williams, R Stanley ^a  

^a HEWLETT PACKARD LABORATORIES   (United States)

^b UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITED; DOPANT CONCENTRATIONS; ELECTRONIC DEVICE; GROWTH MODES; IMPURITIES IN; MEMRISTOR; PROCESS WINDOW; SELF-LIMITED GROWTH;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; OXYGEN; OXYGEN VACANCIES;

OXIDE FILMS;

EID: 78751561498     PISSN: 08974756     EISSN: 15205002     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cm1020959     Document Type: Article

References (34)

1. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632
2. Norton, D. P. Mater. Sci. Eng., R 2004, 43, 139
3. Szot, K.; Speier, W.; Bihlmayer, G.; Waser, R. Nat. Mater. 2006, 5, 312
4. Yang, J. J.; Zhang, M.-X.; Strachan, J. P.; Miao, F.; Pickett, M. D.; Kelley, R. D.; Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R. S. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 232102
5. Kwon, D. H.; Kim, K. M.; Jang, J. H.; Jeon, J. M.; Lee, M. H.; Kim, G. H.; Li, X. S.; Park, G. S.; Lee, B.; Han, S.; Kim, M.; Hwang, C. S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148
6. Sanchez, M. J.; Rozenberg, M. J.; Inoue, I. H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 252101
7. Chae, S. C.; Lee, J. S.; Kim, S.; Lee, S. B.; Chang, S. H.; Liu, C.; Kahng, B.; Shin, H.; Kim, D. W.; Jung, C. U.; Seo, S.; Lee, M. J.; Noh, T. W. Adv. Mater. 2008, 20, 1154
8. Park, C.; Jeon, S. H.; Chae, S. C.; Han, S.; Park, B. H.; Seo, S.; Kim, D. W. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 042102
9. Yang, J. J.; Borghetti, J.; Murphy, D.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Adv. Mater. 2009, 21, 3754
10. Choi, B. J.; Jeong, D. S.; Kim, S. K.; Rohde, C.; Choi, S.; Oh, J. H.; Kim, H. J.; Hwang, C. S.; Szot, K.; Waser, R.; Reichenberg, B.; Tiedke, S. J. Appl. Phys. 2005, 98, 033715
11. Gergel-Hackett, N.; Hamadani, B.; Dunlap, B.; Suehle, J.; Richter, C.; Hacker, C.; Gundlach, D. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 706
12. Snider, G. S. Spike-timing-dependent learning in memristive nanodevices. In 2008 IEEE International Symposium on Nanoscale Architectures; IEEE: Piscataway, NJ, 2008; pp 85 - 92.
13. Borghetti, J.; Snider, G. S.; Kuekes, P. J.; Yang, J. J.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2010, 464, 873
14. Xia, Q. F.; Robinett, W.; Cumbie, M. W.; Banerjee, N.; Cardinali, T. J.; Yang, J. J.; Wu, W.; Li, X. M.; Tong, W. M.; Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R. S. Nano Lett. 2009, 9, 3640
15. Inoue, I. H.; Rozenberg, M. J. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 2289
16. Knauth, P.; Tuller, H. L. J. Appl. Phys. 1999, 85, 897
17. Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2008, 453, 80
18. Chua, L. O. IEEE Trans. Circuit Theory 1971, CT-18, 507
19. Chua, L. O.; Kang, S. M. Proc. IEEE 1976, 64, 209
20. Janousch, M.; Meijer, G. I.; Staub, U.; Delley, B.; Karg, S. F.; Andreasson, B. P. Adv. Mater. 2007, 19, 2232
21. Yang, J. J.; Pickett, M. D.; Li, X.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature Nanotechnol. 2008, 3, 429
22. Yang, J. J.; Miao, F.; Pickett, M. D.; Ohlberg, D. A. A.; Stewart, D. R.; Lau, C. N.; Williams, R. S. Nanotechnology 2009, 20, 215201
23. Miao, F.; Yang, J. J.; Strachan, J. P.; Stewart, D.; Williams, R. S.; Lau, C. N. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 113503
24. Pickett, M. D.; Strukov, D. B.; Borghetti, J. L.; Yang, J. J.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. J. Appl. Phys. 2009, 106, 074508
25. George, S. M. Chem. Rev. 2009, 110, 111
26. Kim, S. K.; Kim, W. D.; Kim, K. M.; Hwang, C. S.; Jeong, J. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4112
27. Puurunen, R. L. J. Appl. Phys. 2005, 97, 121301
28. Nalwa, H. S., Atomic Layer Deposition; Academic Press: New York, 2002; Vol. 1.
29. Kaupo, K.; Mikko, R.; Markku, L.; Janne, J. J. Vac. Sci. Technol., A 1997, 15, 2214
30. Elam, J. W.; Schuisky, M.; Ferguson, J. D.; George, S. M. Thin Solid Films 2003, 436, 145
31. Xie, Q.; Jiang, Y.; Detavernier, C.; Deduytsche, D.; Van Meirhaeghe, R. L.; Ru, G.; Li, B.; Qu, X. J. Appl. Phys. 2007, 102, 083521
32. Weibel, A.; Bouchet, R.; Knauth, P. Solid State Ionics 2006, 177, 229
33. Strukov, D. B.; Borghetti, J. L.; Williams, R. S. Small 2009, 5, 1058
34. Yang, J. J.; Strachan, J. P.; Xia, Q.; Ohlberg, D. A. A.; Kuekes, P. J.; Kelley, R. D.; Stickle, W. F.; Stewart, D. R.; Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R. S. Adv. Mater. 2010, 22, 4034