Evidence for a crucial role played by oxygen vacancies in LaMnO 3 resistive switching memories

Small

Volumn 8, Issue 8, 2012, Pages 1279-1284

  Xu, Zhong Tang ^a   Jin, Kui Juan ^a   Gu, Lin ^a   Jin, Yu Ling ^a   Ge, Chen ^a   Wang, Can ^a   Guo, Hai Zhong ^a   Lu, Hui Bin ^a   Zhao, Rui Qiang ^a   Yang, Guo Zhen ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

memory devices; modeling; oxygen vacancies; perovskites; resistive switching

Indexed keywords

ABERRATION-CORRECTED; APPLIED BIAS; ATOMIC RESOLUTION; EXPERIMENTAL DATA; INTERFACE PROPERTY; LIGHT ELEMENTS; OXYGEN ATMOSPHERE; OXYGEN PRESSURE; PEROVSKITE OXIDES; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MEMORIES; SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; SCHOTTKY BARRIERS; SRTIO; THEORETICAL POINTS;

CHEMICAL ELEMENTS; DATA STORAGE EQUIPMENT; FABRICATION; IMAGING TECHNIQUES; MODELS; NIOBIUM; NUMERICAL MODELS; OXYGEN; PEROVSKITE; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SWITCHING SYSTEMS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

OXYGEN VACANCIES;

EID: 84859810701     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201101796     Document Type: Article

References (52)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors, available at www.itrs.net.
2. P. Zubko, J. M. Triscone, Nature 2009, 460, 45.
3. M. H. R. Lankhorst, B.W. S. M. M. Ketelaars, R. A. M. Wolters, Nat. Mater. 2005, 4, 347.
4. S. Lai, T. Lowrey, IEEE IEDM 2001 Tech. Dig. 2011, 36, 5.
5. R. Meyer, R. Waser, J. Appl. Phys. 2006, 100, 051611.
6. a) A. Q. Jiang, C. Wang, K. J. Jin, X. B. Liu, J. F. Scott, C. S. Hwang, T. A. Tang, H. B. Lu, G. Z. Yang, Adv. Mater. 2011, 23, 1277
7. b) C. Wang, K. J. Jin, Z. T. Xu, L. Wang, C. Ge, H. B. Lu, H. Z. Guo, M. He, G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 192901.
8. R. C. G. Naber, K. Asadi, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, B. de Boer, Adv. Mater. 2010, 22, 933.
9. V. Garcia, S. Fusil, K. Bouzehouane, S. Enouz-Vedrenne, N. D. Mathur, A. Barthelemy, M. Bibes, Nature 2009, 460, 81.
10. A. Asamitsu, Y. Tomioka, H. Kuwahara, Y. Tokura, Nature 1997, 388, 50.
11. S. Q. Liu, N. J. Wu, A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749.
12. K. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser, Nat. Mater. 2006, 5, 312.
13. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
14. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
15. Z. T. Xu, K. J. Jin, C. Wang, H. B. Lu, C. Wang, L. Wang, G. Z. Yang, Appl. Phys. A 2011, 105, 149.
16. R. Muenstermann, T. Menke, R. Dittmann, R. Waser, Adv. Mater. 2010, 22, 4819.
17. D. Strukov, J. Borghetti, R. Williams, Small 2009, 5, 1058.
18. G. I. Meijer, Science 2008, 319, 1625.
19. A. Sawa, Mater. Today 2008, 11, 28.
20. S. F. Karg, G. I. Meijer, J. G. Bednorz, C. T. Rettner, A. G. Schrott, E. A. Joseph, C. H. Lam, M. Janousch, U. Staub, F. La Mattina, S. F. Alvarado, D. Widmer, R. Stutz, U. Drechsler, D. Caimi, IBM J. Res. Dev. 2008, 52, 481.
21. Y. Tokura, N. Nagaosa, Science 2000, 288, 462.
22. H. Takagi, H. Y. Hwang, Science 2010, 327, 1601.
23. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
24. M. Janousch, G. I. Meijer, U. Staub, B. Delley, S. F. Karg, B. P. Andreasson, Adv. Mater. 2007, 19, 2232.
25. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 178302.
26. K. Shibuya, R. Dittmann, S. B. Mi, R. Waser, Adv. Mater. 2010, 22, 411.
27. Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, A. Ignatiev, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 146403.
28. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. C. Lee, F. L. Yang, C. Hu, T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 366.
29. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. M. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429.
30. S. Asanuma, H. Akohj, Phys. Rev. B 2009, 80, 235113.
31. M. K. Yang, J. W. Park, T. K. Ko, J. K. Lee, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 042105.
32. D. S. Jeong, H. Schroeder, U. Breuer, R. Waser, J. Appl. Phys. 2008, 104, 123716.
33. J. W. Parka, J. W. Park, K. Jung, M. K. Yang, J. K. Leeb, J. Vac. Sci. Technol. B 2006, 24, 2205.
34. W. Siemons, G. Koster, H. Yamamoto, W. A. Harrison, G. Lucovsky, T. H. Geballe, D. H. A. Blank, M. R. Beasley, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 196802.
35. L. Qiao, X. F. Bi, Thin Solid Films 2010, 529, 943.
36. H. L. Cai, X. S. Wu, J. Gao, Chem. Phys. Lett. 2009, 467, 313.
37. S. B. Mi, C. L. Jia, T. Heeg, O. Trithaveesak, J. Schubert, K. Urban, J. Cryst. Growth 2005, 283, 425.
38. C. L. Jia, K. Urban, Science 2004, 303, 2001.
39. S. D. Findlay, N. Shibata, H. Sawada, E. Okunishi, Y. Kondo, Y. Ikuhara, Ultramicroscopy 2010, 110, 903.
40. O. L. Krivanek, M. F. Chisholm, V. Nicolosi, T. J. Pennycook, G. J. Corbin, N. Dellby, M. F. Murfitt, Ch. S. Own, Z. S. Szilagyi, M. P. Oxley, S. T. Pantelides, S. J. Pennycook, Nature 2010, 464, 571.
41. S. Miyoshia, J. O. Honga, K. Yashir, A. Kaimaia, Y. Nigaraa, K. Kawamurab, T. Kawadaa, J. Mizusakia, Solid State Ionics 2003, 161, 209.
42. J. H. Kuo, H. U. Anderson, D. M. Sparlin, J. Solid State Chem. 1989, 83, 52.
43. S. R. Basu, L. W. Martin, Y. H. Chu, M. Gajek, R. Ramesh, R. C. Rai, X. Xu, J. L. Musfeldt, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 091905.
44. M. Minohara, I. Ohkubo, H. Kumigashira, M. Oshima, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 132123.
45. a) P. Han, K. J. Jin, H. B. Lu, Q. L. Zhou, Y. L. Zhou, G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 182102
46. b) K. J. Jin, H. B. Lu, Q. L. Zhou, K. Zhao, B. L. Cheng, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, G. Z. Yang, Phys. Rev. B 2005, 71, 184428
47. c) C. L. Hu, K. J. Jin, P. Han, H. B. Lu, L. Liao, G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 162106.
48. T. Saitoh, A. E. Bocquet, T. Mizokawa, H. Namatame, M. Abbate, Y. Takeda, M. Takano, Phys. Rev. B 1995, 51, 13942.
49. D. Fuks, S. Dorfman, J. Felsteiner, L. Bakaleinikov, A. Gordon, E. A. Kotomin, Solid State Ionics 2004, 173, 107.
50. M. Hannani, D. Rached, M. Rabah, R. Khenata, N. Benayad, M. Hichour, A. Bouhemadou, Mater. Sci. Semicond. Process. 2008, 11, 81.
51. Y. Nohara, S. Yamamoto, T. Fujiwara, Phys. Rev. B 2009, 79, 195110.
52. S. M. Sze, Physica of Semiconductor Devices, Physics and Technology, 2nd ed., Wiley, New York 2001.