Fabrication and performance of GaN electronic devices

Materials Science and Engineering R: Reports

Volumn 30, Issue 3-6, 2000, Pages 55-212

  Pearton, S J ^a   Ren, F ^b   Zhang, A P ^b   Lee, K P ^a  

^a UNIVERSITY OF FLORIDA   (United States)

^b University of Florida   (United States)

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ENERGY GAP; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; HETEROJUNCTIONS; LIGHT EMITTING DIODES; MOSFET DEVICES; NITRIDES; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SEMICONDUCTOR DOPING; TRANSPORT PROPERTIES; VAPOR PHASE EPITAXY;

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDES;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0034508836     PISSN: 0927796X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0927-796X(00)00028-0     Document Type: Article

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