A review of the metal-GaN contact technology

Solid-State Electronics

Volumn 42, Issue 5, 1998, Pages 677-691

  Liu, Q Z ^a   Lau, S S ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HETEROJUNCTIONS; METALLIZING; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SURFACE CLEANING; THERMODYNAMIC STABILITY;

GALLIUM NITRIDE; SCHOTTKY BARRIER;

SEMICONDUCTOR METAL BOUNDARIES;

EID: 0032067341     PISSN: 00381101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0038-1101(98)00099-9     Document Type: Review

References (100)

1. Morkoç, H., Strite, S., Gao, G. B., Lin, M. E., Sverdlov, B. and Burns, M., J. Appl. Phys., 1994, 76, 1363.
2. Mohammad, S. N., Salvador, A. A. and Morkoç, H., Proc. IEEE, 1995, 83, 1306.
3. Davis, R. F., J. Cryst. Growth, 1994, 137, 161.
4. Nakamura, S., Senoh, M., Nagahama, S.-I., Iwasa, N., Yamada, T., Matsushita, T., Kiyoku, H. and Sugimoto, Y., Jpn. J. Appl. Phys, Pt. 2, 1996, 35, L74.
5. Nakamura, S., Senoh, M., Nagahama, S.-I., Iwasa, N., Yamada, T., Matsushita, T., Sugimoto, Y. and Kiyoku, H., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 1417.
6. Nakamura, S., Senoh, M., Iwasa, N., Nagahama, S.-I., Yamada, T. and Mukai, T., Jpn. J. Appl. Phys, Pt. 2, 1995, 34, L1332.
7. Nakamura, S., Mukai, T. and Senoh, M., Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 1868.
8. Binari, S. C., Redwing, J. M., Kelner, G. and Kruppa, W., Electron. Lett., 1997, 30, 242.
9. Chen, Q., Yang, J. W., Khan, M. A., Ping, A. T. and Adesida, I., Electron. Lett., 1997, 33, 1413.
10. Aktas, O., Fan, Z. F., Botchkarev, A., Mohammad, S. N., Roth, M., Jenkins, T., Kehias, L. and Morkoç, H., IEEE Electron Dev. Lett., 1997, 18, 293.
11. Wu, Y.-F., Keller, B. P., Keller, S., Nguyen, N. X., Le, M., Nguyen, C., Jenkins, T. J., Kehias, L. T., Denbaars, S. P. and Mishra, U. K., IEEE Electron Dev. Lett., 1997, 18, 293.
12. Zolper, J. C., Shul, R. J., Baca, A. G., Wilson, R. G., Pearton, S. J. and Stall, R. A., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 2273.
13. Chen, Q., Yang, J. W., Osinsky, A., Gangopadhyay, S., Lim, B., Anwar, M. Z., Khan, M. A., Kuksenkov, D. and Temkin, H., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 2277.
14. F. Ren, in GaN and Related Materials, ed. S. J. Pearton. Gordon and Breach, Science Publishers, The Netherlands, Chap. 14.
15. Holloway, P. H., Kim, T.-J., Trexler, J. T., Miller, S., Fijol, J. J., Lampert, W. V. and Haas, T. W., Appl. Surf. Sci.-118, 1997, 117, 362.
16. Kurtin, S., McGill, T. C. and Mead, C. A., Phys. Rev. Lett., 1969, 22, 1433.
17. Hacke, P., Detchprohm, T., Hiramatsu, K. and Sawaki, N., Appl. Phys. Lett., 1995, 63, 2676.
18. Binari, S. C., Dietrich, H. B., Kelner, G., Rowland, L. B., Doverspike, K. and Gaskill, D. K., Electron. Lett., 1994, 30, 909.
19. Guo, J. D., Feng, M. S., Guo, R. J., Pan, F. M. and Chang, C. Y., Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 2657.
20. Kalinina, E. V., Kuznetsov, N. I., Dmitriev, V. A., Irvine, K. G. and Carter, C. H.Jr., J. Electron. Mater., 1995, 25, 831.
21. Ping, A. T., Schmitz, A. C., Khan, M. A. and Adesida, I., Electron. Lett., 1996, 32, 68.
22. Wang, L., Nathan, M. I., Lim, T.-H., Khan, M. A. and Chen, Q., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 1267.
23. Schmitz, A. C., Ping, A. T., Khan, M. A., Chen, Q., Yang, J. W. and Adesida, I., Semicond. Sci. Technol., 1996, 11, 1464.
24. Mohammad, S. N., Fan, Z., Botchkarev, A. E., Kim, W., Aktas, O., Salvador, A. and Morkoç, H., Electron. Lett., 1996, 32, 598.
25. Hirsch, M. T., Duxstad, K. J. and Haller, E. E., Electron. Lett., 1997, 33, 95.
26. Kampen, T. U. and Mönch, W., Appl. Surf. Sci.-118, 1997, 117, 388.
27. Khan, M. A., Kuznia, J. N., Olson, D. T. and Kaplan, R., J. Appl. Phys., 1993, 73, 3108.
28. Bermudez, V. M., Kaplan, R., Khan, M. A. and Kuznia, J. N., Phys. Rev. B, 1993, 48, 2458.
29. Bermudez, V. M., Jung, T. M., Doverspike, K. and Wickenden, A. E., J. Appl. Phys., 1996, 79, 110.
30. Bermudez, V. M., J. Appl. Phys., 1996, 80, 1190.
31. Hunt, R. W., Vanzetti, L., Castro, T., Chen, K. M., Sorba, L., Cohen, P. I., Gladfelter, W., Van Hove, J. M., Kuznia, J. N., Khan, M. A. and Franciosi, A., Physica B, 1993, 185, 415.
32. Kaplan, R., Prokes, S. M., Binari, S. C. and Kelner, G., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 3248.
33. Liu, Q. Z., Lau, S. S., Perkins, N. R. and Kuech, T. F., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 1722.
34. Liu, Q. Z., Shen, L., Smith, K. V., Tu, C. W., Yu, E. T., Lau, S. S., Perkins, N. R. and Kuech, T. F., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 990.
35. Liu, Q. Z., Smith, K. V., Yu, E. T., Lau, S. S., Perkins, N. R. and Kuech, T. F., presented at the Fall meeting of MRS, Boston, Mass., Dec. 1996.
36. Edwards, N. V., Bremser, M. D., Weeks, T. W.Jr., Kern, R. S., Davis, R. F. and Aspnes, D. E., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 2065.
37. Smith, L. L., W King, S., Nemanich, R. J. and Davis, R. F., J. Electron. Mater., 1996, 25, 805.
38. King, S. W., Smith, L. L., Barnak, J. P., Ku, J.-H., Christman, J. A., Benjamin, M. C., Bremser, M. D., Nemanich, R. J. and Davis, R. F., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 395, 739.
39. Bermudez, V. M., submitted to Appl. Surf. Sci..
40. Kribes, Y., Harrison, I., Tuck, B., Cheng, T. S. and Foxon, C. T., Semicond. Sci. Technol., 1997, 12, 913.
41. Suzue, K., Mohammad, S. N., Fan, Z. F., Kim, W., Aktas, Ö., Botchkarev, A. E. and Morkoç, H., J. Appl. Phys., 1996, 80, 4467.
42. J Duxstad, K., Haller, E. E., Yu, K. M., Hirsch, M. T., Imler, W. R., Steigerwald, D. A., Ponce, F. A. and Romano, L. T., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 449, 1049.
43. Venugopalan, H. S., Mohney, S. E., Luther, B. P., Delucca, J. M., Wolter, S. D., Redwing, J. M. and Bulman, G. E., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 468, 431.
44. Venugopalan, H. S., Mohney, S. E., Luther, B. P., Wolter, S. D. and Redwing, J. M., J. Appl. Phys., 1997, 82, 650.
45. Duxstad, K. J., Haller, E. E. and Yu, K. M., J. Appl. Phys., 1997, 81, 3134.
46. Sands, T., Palmstrom, C. J., Harbison, J. P., Keramidas, V. G., Tabatabaie, N., Cheeks, T. L., Ramesh, R. and Silberberg, Y., Mater. Sci. Rep., 1990, 5, 99 (and references therein).
47. Liu, Q. Z., Yu, L. S., Lau, S. S., Redwing, J. M., Perkins, N. R. and Kuech, T. F., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 1275.
48. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981, p. 248.
49. Wagner, L. F., Young, R. W. and Sugerman, A., IEEE Electron. Device Lett., 1983, ED-4, 320.
50. Mohney, S. E. and Liu, X., J. Elect. Mat., 1996, 25, 811.
51. Foresi, J. S. and Moustakas, T. D., Appl. Phys. Lett., 1993, 62, 2859.
52. Smith, L. L., Davis, R. F., Kim, M. J., Carpenter, R. W. and Huang, Y., J. Mater. Res., 1996, 11, 2257.
53. Ping, A. T., Khan, M. A. and Adesida, I., J. Electron. Mater., 1996, 25, 819.
54. Luther, B. P., Mohney, S. E., Jackson, T. N., Khan, M. A., Chen, Q. and Yang, J. W., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 57.
55. Lide, D. R., CRC Handbook of Chemistry and Physics, 77th edn. CRC Press, Boca Raton, New York, 1996, pp. 12-122.
56. Wu, Y.-F., Jiang, W.-N., Keller, B. P., Keller, S., Kapolnek, D., Denbaars, S. P., Mishra, U. K. and Wilson, B., Solid-State Electron., 1997, 41, 165.
57. Smith, L. L., Bremser, M. D., Carlson, E. P., Weeks, T. W.Jr., Huang, Y., Kim, M. J., Carpenter, R. W. and Davis, R. F., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 395, 861.
58. Kaminska, E., Piotrowska, A., Guziewicz, M., Kasjaniuk, S., Barcz, A., Dynowska, E., Bremser, M. D., Nam, O. H. and Davis, R. F., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 449, 1055.
59. Guo, J. D., Lin, C. I., Feng, M. S., Pan, F. M., Chi, G. C. and Lee, C. T., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 235.
60. Lee, C. T., Yeh, M. Y., Tsai, C. D. and Lyu, Y. T., J. Electron. Mater., 1997, 26, 262.
61. Luther, B. P., Mohney, S. E. and Karlicek, R. F., Jr., presented at 39th Electronic Materials Conference, Fort Collins, Colorado, June 25-27, 1997.
62. Jenkins, D. W. and Dow, J. D., Phys. Rev. B, 1989, 39, 3317.
63. Lin, M. E., Ma, Z., Huang, F. Y., Fan, Z. F., Allen, L. H. and Markoç, H., Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 1003.
64. Rouvimov, S., Liliental-Weber, Z., Washburn, J., Duxstad, K. J., Haller, E. E., Fan, Z. F., Mohommad, S. N., Kim, W., Botchkarev, A. E. and Morkoç, H., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 1556.
65. Luther, B. P., Mohney, S. E., Jackson, T. N., Khan, M. A., Chen, Q. and Yang, J. W., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 449, 1097.
66. Liu, Q. Z., Yu, L. S., Deng, F., Lau, S. S., Chen, Q., W Yang, J. and Khan, M. A., Appl. Phys. Lett., 1997, 71, 1658.
67. Bower, R. W., Appl. Phys. Lett., 1973, 23, 99.
68. Fan, Z., Mohammad, S., Kim, W., Aktas, Ö., Botchkarev, A. E. and Morkoç, H., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 1672.
69. Ping, A. T., Schmitz, A. C., Adesida, I., Khan, M. A., Chen, Q. and Yang, J. W., J. Electron. Mater., 1997, 26, 266-271.
70. Pearton, S. J., Lee, J. W., MacKenzie, J. D., Abernathy, C. R. and Shul, R. J., Appl. Phys. Lett., 1995, 67, 2329.
71. Miller, S. and Holloway, P. H., J. Elect. Mat., 1996, 25, 1709.
72. Ren, F., Abernathy, C. R., Pearton, S. J. and Wisk, P. W., Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 1508.
73. Durbha, A., Pearton, S. J., Abernathy, C. R., Lee, J. W., Holloway, P. H. and Ren, F., J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, 14, 2582.
74. Vartuli, C. B., Pearton, S. J., Abernathy, C. R., Mackenzie, J. D., Shul, R. J., Zolper, J. C., Lovejoy, M. L., Baca, A. G. and Hagerott-Crawford, M., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 421, 373.
75. Cole, M. W., Eckart, D. W., Han, W. Y., Pfeffer, R., Monahan, T., Ren, F., Yuan, E., Stall, R. A., Pearton, S. J., Ki, Y. and Lu, Y., J. Appl. Phys., 1996, 80, 278.
76. Vartuli, C. B., Pearton, S. J., Abernathy, C. R., MacKenzie, J. D., Lovejoy, M. L., Shul, R. J., Zolper, J. C., Baca, A. G., Hagerott-Crawford, M., Jones, K. A. and Ren, F., Solid-State Electron., 1997, 41, 531.
77. Woodall, J. M., Freeouf, J. L., Pettit, G. D., Jackson, T. N. and Kirchiner, P., J. Vac. Sci. Technol., 1981, 19, 626.
78. Peng, C. K., Ji, G., Kumar, N. S. and Morkoç, H., Appl. Phys. Lett., 1988, 53, 900.
79. Fan, Y., Han, H., He, L., Saraie, J., Gunshor, R. L., Hagerott, M. M. and Nurmikko, A. V., Appl. Phys. Lett., 1993, 63, 1812.
80. Lin, M. E., Huang, F. Y. and Morkoç, H., Appl. Phys. Lett., 1994, 64, 2557.
81. Lester, L. F., Brown, J. M., Ramer, J. C., Zhang, L., Hersee, S. D. and Zolper, J. C., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 2737.
82. Burm, J., Chu, K., David, W. A., Schoff, W. J., Eastman, L. F. and Eustis, T. J., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 59.
83. Ping, A. T., Khan, M. A. and Adesida, I., J. Electron. Mater., 1996, 25, 819.
84. Ingerly, D. B., Chang, Y. A., Perkins, N. R. and Kuech, T. F., Appl. Phys. Lett., 1997, 70, 108.
85. Vassilevski, K. V., Rastegaeva, M. G., Babanin, A. I., Nikitina, I. P. and Dmitriev, V. A., Mater. Sci. Eng. B, 1997, 43, 292.
86. Khan, M. A., Shur, M. S. and Chen, Q., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 3022.
87. Chan, J. S., Cheung, N. W., Schloss, L., Jones, E., Wong, W. S., Newman, N., Liu, X., Weber, E. R., Gassman, A. and Rubin, M. D., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 2702.
88. Götz, W., Johnson, N. M., Walker, J., Bour, D. P. and Street, R. A., Appl. Phys. Lett., 1996, 68, 667.
89. Kuznetsov, N. I., Kalinina, E. V., Soloviev, V. A. and Dmitriev, V. A., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 395, 837.
90. Mori, T., Kozawa, T., Ohwaki, T., Taga, Y., Nagai, S., Yamasaki, S., Asami, S., Shibata, N. and Koike, M., Appl. Phys. Lett., 1996, 69, 3537.
91. Ishikawa, H., Kobayashi, S., Koide, Y., Yamasaki, S., Nagai, S., Umezaki, J., Koike, M. and Murakami, M., J. Appl. Phys., 1997, 81, 1315.
92. Koide, Y., Ishikawa, H., Kobayashi, S., Yamasaki, S., Nagai, S., Umezaki, J., Koike, M. and Murakami, M., Appl. Surface Sci.-118, 1997, 117, 373.
93. Nakamura, S., Mukai, T. and Senoh, M., Jpn. J. Appl. Phys., 1991, 30, L1998.
94. Nakamura, S., Senoh, M. and Mukai, T., Appl. Phys. Lett., 1993, 62, 2390.
95. Nakamura, S., Senoh, M., Nagahama, S., Iwasa, N., Yamada, T., Matsushita, T., Kiyoku, H. and Sugimoto, Y., Jpn. J. Appl. Phys., 1996, 35, L74.
96. Trexler, J. T., Miller, S. J., Holloway, P. H. and Khan, M. A., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 395, 819.
97. Trexler, J. T., Pearton, S. J., Holloway, P. H., Mier, M. G., Evans, K. R. and Karlicek, R. F., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 449, 1091.
98. Kim, T., Yoo, M. C. and Kim, T., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 449, 1061.
99. Kim, T., Chae, S. H., Yoo, M. C. and I Kim, T., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 468, 427.
100. King, D. J., Hersee, S. D., Ramer, J. C. and Zhang, L., Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, 468, 421.