Direct-current characteristics of pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 20, 2000, Pages 2943-2945

  Zhang, A P ^a   Dang, G T ^a   Ren, F ^a   Han, J ^b   Baca, A G ^b   Shul, R J ^b   Cho, H ^a   Monier, C ^a   Cao, X A ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0347616375     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126524     Document Type: Article

References (19)

1. S. Yoshida and J. Suzuki, J. Appl. Phys. 85, 7931 (1999).
2. M. S. Shur and M. A. Khan, in High Temperature Electronics, edited by M. Willander and H. L. Hartnagel (Chapman and Hall, London, 1996), pp. 297-321.
3. S. N. Mohammad and H. Morkoc, Prog. Quantum Electronics 20, 361 (1996).
4. J. C. Zolper, Solid-State Electron. 42, 2153 (1998).
5. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. Z. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. EDL-19, 50 (1998).
6. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sullivan, J. M. Van Hove, and J. Redwing, Electron. Lett. 33, 1230 (1997).
7. N. X. Nguyen, C. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 34, 811 (1998).
8. H. Morkoc, R. Cingolani, and B. Gil, Solid-State Electron. 43, 1909 (1999).
9. B. E. Foutz, L. F. Eastman, U. V. Bhapkar, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2849 (1997).
10. Q. Chen, J. W. Yang, R. Gaska, M. A. Khan, M. S. Shur, G. J. Sullivan, A. L. Sailor, J. A. Higgins, A. T. Ping, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. EDL-19, 44 (1998).
11. L. McCarthy, P. Kozodoy, M. Rodwell, S. Den Baars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. EDL-20, 277 (1999).
12. F. Ren, C. R. Abernathy, J. M. Van Hove, P. P. Chow, R. Hickman, J. J. Klaassen, R. F. Kopf, H. Cho, K. B. Jung, J. LaRoche, R. G. Wilson, J. Han, R. J. Shul, A. G. Baca, and S. J. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 41 (1998).
13. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, G. Dang, A. P. Zhang, S. M. Donovan, X. A. Cao, K. B. Jung, H. Cho, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
14. J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhan, and A. V. Nurmikko, Appl. Phys. Lett. 73, 1688 (1999).
15. X. A. Cao, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, J. M. Van Hove, J. J. Klaassen, C. J. Policy, A. M. Wowchak, P. P. Chow, D. J. King, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, Electrochem. Solid-State Lett. 3, 41 (2000).
16. X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 232 (1999).
17. X. A. Cao, H. Cho, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 2681 (1999).
18. J. I. Chyi, C. M. Lee, C. C. Chuo, G. C. Chi, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, X. A. Cao, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 8 (1999).
19. N. Dyakonova, A. Dickens, M. S. Shur, R. Gaska, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 72, 2562 (1998).