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Volumn 36, Issue 7 B, 1997, Pages

Thick GaN epitaxial growth with low dislocation density by hydride vapor phase epitaxy

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COALESCENCE; CRYSTALS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; VAPOR PHASE EPITAXY;

EID: 0031187047     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.36.l899     Document Type: Article
Times cited : (923)

References (14)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.