Electron beam induced current measurements of minority carrier diffusion length in gallium nitride

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 17, 1996, Pages 2531-2533

  Chernyak, Leonid ^a   Osinsky, Andrei ^a   Temkin, Henryk ^a   Yang, J W ^b   Chen, Q ^b   Asif Khan, M ^b  

^a Engineering Research Center and Hydraulics Laboratory   (United States)

^b APA Optronics   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000197479     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117729     Document Type: Article

References (24)

1. M. Asif Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993); M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, J. W. Yang, M. Blasingame, M. S. Shur, and H. Park, ibid. 68, 514 (1996).
2. M. Asif Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993); M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, J. W. Yang, M. Blasingame, M. S. Shur, and H. Park, ibid. 68, 514 (1996).
3. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, M. Blasingame, and A. R. Bhattarai, Appl. Phys. Lett. 63, 2455 (1993).
4. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, D. T. Olson, S. Krishnankutty, and R. M. Kolbas, Appl. Phys. Lett. 58, 526 (1991).
5. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
6. D. S. H. Chan, V. K. S. Ong, and J. C. H. Phang, IEEE Trans. Electron. Devices 42, 963 (1995).
7. H. J. Leamy, J. Appl. Phys. 53, R51 (1982).
8. A. C. Papadopoulo, J. F. Bresse, R. Legros, R. Azoulay, N. Draidia, and Y. Gao, J. Appl. Phys. 66, 3831 (1989); G. Oelgart and N. Puhlmann, J. Phys. (Paris) Colloq. 1, 57 (1991); L. Chernyak, K. Gartsman, D. Cahen, and O. M. Stafsudd, J. Phys. Chem. Solids 56, 1165 (1995); L. Chernyak, V. Lyakhovitskaya, S. Richter, A. Jakubowicz, Y. Manassen, S. R. Cohen, and D. Cahen, J. Appl. Phys. 80, 2749 (1996).
9. A. C. Papadopoulo, J. F. Bresse, R. Legros, R. Azoulay, N. Draidia, and Y. Gao, J. Appl. Phys. 66, 3831 (1989); G. Oelgart and N. Puhlmann, J. Phys. (Paris) Colloq. 1, 57 (1991); L. Chernyak, K. Gartsman, D. Cahen, and O. M. Stafsudd, J. Phys. Chem. Solids 56, 1165 (1995); L. Chernyak, V. Lyakhovitskaya, S. Richter, A. Jakubowicz, Y. Manassen, S. R. Cohen, and D. Cahen, J. Appl. Phys. 80, 2749 (1996).
10. A. C. Papadopoulo, J. F. Bresse, R. Legros, R. Azoulay, N. Draidia, and Y. Gao, J. Appl. Phys. 66, 3831 (1989); G. Oelgart and N. Puhlmann, J. Phys. (Paris) Colloq. 1, 57 (1991); L. Chernyak, K. Gartsman, D. Cahen, and O. M. Stafsudd, J. Phys. Chem. Solids 56, 1165 (1995); L. Chernyak, V. Lyakhovitskaya, S. Richter, A. Jakubowicz, Y. Manassen, S. R. Cohen, and D. Cahen, J. Appl. Phys. 80, 2749 (1996).
11. A. C. Papadopoulo, J. F. Bresse, R. Legros, R. Azoulay, N. Draidia, and Y. Gao, J. Appl. Phys. 66, 3831 (1989); G. Oelgart and N. Puhlmann, J. Phys. (Paris) Colloq. 1, 57 (1991); L. Chernyak, K. Gartsman, D. Cahen, and O. M. Stafsudd, J. Phys. Chem. Solids 56, 1165 (1995); L. Chernyak, V. Lyakhovitskaya, S. Richter, A. Jakubowicz, Y. Manassen, S. R. Cohen, and D. Cahen, J. Appl. Phys. 80, 2749 (1996).
12. K. L. Luke, O. von Roos, and L.-J. Cheng, J. Appl. Phys. 57, 1978 (1985).
13. J. Boersma, J. J. E. Indenkleef, and H. K. Kuiken, J. Eng. Math. 18, 315 (1984).
14. D. E. Ioannou and S. M. Davidson, J. Phys. D 12, 1339 (1979).
15. C. A. Dimitriadis, J. Phys. D 14, 2269 (1981).
16. S. M. Sze, Semiconductor Devices Physics and Technology (Wiley, New York, 1985).
17. Properties of Group III Nitrides, edited by J. H. Edgar (IEE, London, 1994).
18. M. L. Lovejoy, M. R. Melloch, and M. S. Lundstrom, Appl. Phys. Lett. 67, 1101 (1995).
19. G. Mohs, B. Fluegel, H. Giessen, H. Tajalli, N. Peyghambarian, P.-C. Chiu, B. S. Phillips, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 67, 1515 (1995).
20. M. Eckstein, A. Jakubowicz, M. Bode, and H.-U. Habermeier, Proc. SPIE 1284, 228 (1990); M. Kittler, W. Seifert, M. Stemmer, and J. Palm, J. Appl. Phys. 77, 3725 (1995).
21. M. Eckstein, A. Jakubowicz, M. Bode, and H.-U. Habermeier, Proc. SPIE 1284, 228 (1990); M. Kittler, W. Seifert, M. Stemmer, and J. Palm, J. Appl. Phys. 77, 3725 (1995).
22. M. Eckstein and H.-U. Habermeier, J. Phys. (Paris) Colloq. 1, 23 (1991).
23. R. Mitdank, A. Sturm, and B. Jacobs, Phys. Status Solidi A 117, 485 (1990).
24. B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).