High-density plasma-induced etch damage of gan

Materials Research Society Symposium - Proceedings

Volumn 573, Issue , 1999, Pages 271-280

  Shul, R J ^a   Zhang, L ^a   Baca, A O ^a   Willison, C G ^a   Han, J ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^a   Zolper, J C ^a   Lester, L F ^a  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPY; ELECTRIC CURRENTS; PLASMA ETCHING; SEMICONDUCTOR PLASMAS;

HIGH-DENSITY PLASMA-INDUCED ETCH DAMAGE; INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS (ICP);

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 0032651807     PISSN: 02729172     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1557/proc-573-271     Document Type: Article

References (18)

1. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, S. P. DenBarrs, M. Rodwell, and U. K. Mishra, Int. Symp. Compound Semicond., Oct. 1998, Nara, Japan.
2. F. Ren, C. R. Abernathy, J. M. Van Hove, P. P. Chow, R. Hickman, J. J. Klassen, R. F. Kopf, H. Cho, K. B. Jung, J. R. LaRoche, R. G. Wilson, J. Han, R. J. Shul, A. G. Baca, and S. J. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3,41 (1998).
3. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett, submitted 1/98.
4. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71,3631,1997.
5. Y. H. Lee, H. S. Kim, W. S. Kwon, G. Y. Yeom, J. W. Lee, M. C. Yoo, and T. I. Kim, J. Vac. Sei. Technol. A16. 1478 (1998).
6. Hyun Cho, J. Hong, T. Maeda, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and J. Han, J. Electron. Mats. 27,915 (1998).
7. R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, J. Han, J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. M. Donovan, L. Zhang, and L. F. Lester, J. Vac. Sei. Technol A16. 1621 (1998).
8. R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, J. Han, J. \V. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. M. Donovan, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 483, 155 (1998).
9. R. J. Shul, C. I. H. Ashby, C. G. Willison, L. Zhang, J. Han, M. M. Bridges, S. J. Pearton, J. W. Lee, and L. F. Lester, Mats. Res. Soc. Symp. Proc. 512.487 (1998).
10. R. J. Shul, L. Zhang, C. G. Willison, J. Han, S. J. Pearton, J. Hong, C. R. Abernathy, and L. F. Lester, MRS Internet J. Nitride Semicond., submitted 11/98.
11. S. J. Pearton, Appl. Surf. Sei. 117/118. 597 (1997).
12. S. J. Pearton and R. J. Shul, in Defects in Optoelectronic Materials, ed. S. W. Pang and O. Wada (Gordon and Breach, The Netherlands, in press).
13. S. W. Pang, J. Electrochem. Soc. 133. 784 (1986).
14. F. Ren, J. R. Lothian, S. J. Pearton, C. R. Abemathy, C. B. Vartuli, J. D. MacKenzie, R. G. Wilson, and R. F. Karlicek, J. Electron. Mater. 26, 1287 (1997).
15. A. T. Ping, A. C. Schmilz, I. Adesida, M. A. Khan, O. Chen, and Y. W. Yang, J. Electron. Mater. 26,266 (1997).
16. T.-B. Ng, J. Han, R. M. Biefeld, and M. V. Weckwerth, J. Electron. Mat. 27, 190 (1998)
17. J. M. Van Hove, P. P. Chow, J. J. Klaassen, R. Hickman, A. M. Wowchak, D. R. Croswell, C. Policy, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 51 (1997).
18. L. F. Lester, J. M. Brown, J. C. Ramer, L. Zhang, S. D. Hersee, and J. C. Zolper, Appl. Phys. Lerr 69, 2737 (1996).