Formation of low resistance Pt ohmic contacts to p-type GaN using two-step surface treatment

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 6, 1999, Pages 2667-2670

  Jang, Ja Soon ^a   Park, Seong Ju ^a   Seong, Tae Yeon ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0040708810     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.591045     Document Type: Article

References (15)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L217 (1996).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
4. J. Pankove, S. S. Chang, H. C. Lee, R. J. Molnar, T. D. Mustakas, and B. Van Zeghbroeck, IEDM 94, 389 (1994).
5. J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, M. G. Mier, K. R. Evans, and R. K. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997).
6. J. S. Jang, K. H. Park, H. K. Jang, H. G. Kim, and S. J. Park, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3105 (1998).
7. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
8. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
9. J. L. Lee, J. K. Kim, J. W. Lee, Y. J. Park, and T. I. Kim, Solid-State Electron. 43, 435 (1999).
10. J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 73, 2953 (1998).
11. H. Norde, J. Appl. Phys. 50, 5052 (1979).
12. J. I. Pankove, S. Bloom, and G. Harbeke, RCA Rev. 36, 163 (1975).
13. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, and C. M. Chang, Appl. Phys. Lett. 72, 3317 (1998).
14. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon, Oxford, 1988).
15. J. S. Jang, I. S. Chang, H. K. Kim, T.-Y. Seong, S. H. Lee, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 74, 70 (1999).