Effect of Mg ionization efficiency on performance of Npn AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 21, 2000, Pages 3115-3117

  Monier, C ^a   Pearton, S J ^a   Chang, P C ^b   Baca, A G ^b   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

^b SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001473830     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126541     Document Type: Article

References (21)

1. M. J. Murphy, K. Chu, H. Wu, W. Yeo, W. J. Schaff, O. Ambacher, L. F. Eastman, T. J. Eutsis, J. Silcox, R. Dimitrov, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 75, 3653 (1999).
2. R. Li, S. J. Cai, L. Wong, Y. Chen, K. L. Wang, R. P. Smith, S. C. Martin, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, IEEE Electron Device Lett. 20, 323 (1999).
3. H. Morkoç, R. Cingolani, and B. Gil, Solid-State Electron, 43, 1753 (1999).
4. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
5. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Ventury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
6. R. Gaska, M. S. Shur, A. D. Bykhovski, A. O. Orlov, and G. L. Snider, Appl. Phys. Lett. 74, 287 (1999).
7. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, M. J. W. Rodwell, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 20, 277 (1999).
8. F. Ren, C. R. Abernathy, J. M. Van Hove, P. P. Chow, R. Hickman, J. J. Klaassen, R. F. Kopf, H. Cho, K. B. Jung, J. R. Laroche, R. G. Wilson, J. Han, R. J. Shul, A. G. Baca, and S. J. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 41 (1998).
9. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. C. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
10. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
11. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 74, 2405 (1999).
12. S.-Y. Chiu, A. F. M. Anwar, and S. Wu, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G6.7 (1999).
13. Atlas (Silvaco International, Santa Clara, CA, 1997).
14. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren. J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
15. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, O. Atkas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç. Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
16. J.-S. Jang, I.-S. Chang, H.-K. Kim, T.-Y. Seong, S. Lee, and S.-J. Park, Appl. Phys. Lett. 74, 70 (1999).
17. M. Suzuki, T. Kawakami, T. Arai, S. Kobayashi, Y. Koide, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami, Appl. Phys. Lett. 74, 275 (1999).
18. D. L. Rode and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1972 (1995).
19. Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 73, 3276 (1998).
20. Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 72, 3166 (1998).
21. W. Liu, in Handbook of III-V Heterojunction Bipolar Transistors (Wiley-Interscience, New York, 1998).