High voltage operation (>80 V) of GaN bipolar junction transistors with low leakage

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 17, 2000, Pages 2457-2459

  Limb, J B ^a   Xing, H ^a   Moran, B ^a   McCarthy, L ^a   DenBaars, S P ^a   Mishra, U K ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001462658     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126375     Document Type: Article

References (10)

1. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, 56th Annual Device Research Conference, Charlottesville, VA, 1998.
2. Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998).
3. F. Ren, C. R. Abernathy, J. M. Van Hove, P. P. Chow, R. Hickman, J. J. Klaassen, R. F. Kopf, H. Cho, K. B. Jung, J. R. La Roche, R. G. Wilson, J. Han, R. J. Shul, A. G. Baca, and S. J. Pearton, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 41 (1998).
4. E. McCarthy, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, M. Rodwell, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 20, 277 (1999).
5. Y. Ohba and A. Hatano, J. Cryst. Growth 145, 214 (1994).
6. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
7. S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 31, L1258 (1992).
8. J. B. Limb, L. McCarthy, P. Kozodoy, H. Xing, J. Ibbetson, Y. Smorchkova, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Electron. Lett. 35, 19 (1999).
9. Michelle Lee, Ph.D. dissertation, UCSB.
10. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sana, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998).