메뉴 건너뛰기




Volumn 68, Issue 20, 1996, Pages 2849-2851

75 Å GaN channel modulation doped field effect transistors

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 0001750129     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116345     Document Type: Article
Times cited : (59)

References (11)
  • 2
    • 21544446811 scopus 로고    scopus 로고
    • H. Morkoç, presented at Topical Workshop on Nitrides, Nagoya, Japan, 1995.
    • H. Morkoç, presented at Topical Workshop on Nitrides, Nagoya, Japan, 1995.
  • 6
    • 21544445061 scopus 로고    scopus 로고
    • S. C. Binari, L. B. Rowland, G. Kelner, W. Kruppa, H. B. Dietrich, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, 21st International Symposium Compound Semiconductor, San Diego, CA 1994, p. 459.
    • S. C. Binari, L. B. Rowland, G. Kelner, W. Kruppa, H. B. Dietrich, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, 21st International Symposium Compound Semiconductor, San Diego, CA 1994, p. 459.
  • 7
    • 21544446473 scopus 로고    scopus 로고
    • J. Burm, W. J. Schaff, G. H. Martin, L. F. Eastman, H. Amano, and I. Akasaki (unpublished).
    • J. Burm, W. J. Schaff, G. H. Martin, L. F. Eastman, H. Amano, and I. Akasaki (unpublished).


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.