Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 9, 1999, Pages 1275-1277

  Ho, Jin Kuo ^a   Jong, Charng Shyang ^a   Chiu, Chien C ^a   Huang, Chao Nien ^a   Chen, Chin Yuen ^a   Shih, Kwang Kuo ^a  

^a INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000537364     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123546     Document Type: Article

References (29)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
3. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
4. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 63, 1 (1993).
5. M. A. Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Oslon, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
6. Z. Fan, S. N. Mohammad, W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botchkarev, and H. Morkoç. Appl. Phys. Lett. 68, 1672 (1996).
7. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 69, 3537 (1996).
8. L. L. Smith, R. F. Davis, M. J. Kim, R. W. Carpenter, and Y Huang, J. Mater. Res. 12, 2249 (1997).
9. K. V. Vassilevski, M. G. Rastegaeva, A. I. Bahanin, I. P. Nikitina, and V. A. Dmitriev, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1, 38 (1996).
10. Y. Yamaoka, Y. Kaneko, S. Nakagawa, and N. Yamada, Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, 27-31 October 1997, p. P1-19.
11. D. J. King, L. Zhang, J. C. Ramer, S. D. Hersee, and L. F. Lester, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 421 (1997).
12. X. A. Cao, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 73, 942 (1998).
13. T. Kim, M. C. Yoo, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1061 (1997).
14. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997).
15. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Proceedings of the Second International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, 29 September-2 October 1998, p. Th-P51.
16. J. T. Trexler, S. J. Pearton, P. H. Holloway, M. G. Mier, K. R. Evans, and R. F. Karlicek, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1091 (1997).
17. T. Kim, J. Khim, S. Chae, and T. Kim, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 427 (1997).
18. J.-S. Jang, H.-G. Kim, K.-H. Park, C.-S. Um, I.-K. Han, S.-H. Kim, H.-K. Jang, and S.-J. Park, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1052 (1998).
19. J.-S. Jang, I.-S. Chang, T.-Y. Seong, and S.-J. Park, in Ref. 15, p. Tu-P33.
20. D.-H. Youn, M. Hao, H. Sato, T. Sugahara, Y. Naoi, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1768 (1998).
21. E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, M. Guziewicz, S. Kasjaniuk, M. D. Bremser, R. F. Davis, E. Dynowska, and S. Kwiatkowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 1077 (1998).
22. M. E. Lin, F. Y. Huang, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 2557 (1997).
23. J. H. de Boer and E. J. W. Verwey, Proc. Phys. Soc. London 49, 59 (1937).
24. H. Sato, T. Minami, S. Takata, and T. Yamada, Thin Solid Films 236, 27 (1993).
25. N. Birks and G. H. Meier, Introduction to High Temperature Oxidation of Metals (Edward Arnold, London, 1983). Chap. 4.
26. R. J. Powell and W. E. Spicer, Phys. Rev. B 6, 2182 (1970).
27. A. Barcz, A. Turos, and L. Wielunski, in Ion Beam Surface Layer Analysis, edited by O. Meyer, G. Linker, and F. Käppeler (Plenum, New York, 1976), p. 407.
28. J. R. Raiden, C. A. Neugebauer, and R. A. Sigsbee, Metall. Trans. A 2, 719 (1971).
29. M. P. J. van Staveren, H. B. Brom, L. J. de Jongh, Phys. Rep. 208, 1 (1991).