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Volumn 68, Issue 1, 2013, Pages 68-107

Interface engineering and chemistry of Hf-based high-k dielectrics on III-V substrates

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COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; HIGH DIELECTRIC CONSTANTS; HIGH-K GATE DIELECTRICS; III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR; INTERFACE ENGINEERING; INTERFACE TRAP DENSITY; SURFACE PASSIVATION; THERMODYNAMICALLY STABLE;

EID: 84875415616     PISSN: 01675729     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.surfrep.2013.01.002     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.