SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 21, Issue 46, 2011, Pages 18497-18502

Atomic layer deposited HfO2 and HfO2/TiO2 bi-layer films using a heteroleptic Hf-precursor for logic and memory applications

(4) Seo, Minha a Kim, Seong Keun a Min, Yo Sep b Hwang, Cheol Seong a

a Seoul National University (South Korea)

b Konkuk University (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITED; BI-LAYER FILMS; CAPACITOR DIELECTRICS; ELECTRICAL PERFORMANCE; FILM DENSITY; GATE OXIDE; HETEROLEPTIC; HIGH DIELECTRIC CONSTANTS; HIGH GROWTH RATE; MEMORY APPLICATIONS; RUTILE TIO; STRUCTURAL COMPATIBILITY; TETRAGONAL HFO;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; FILM GROWTH; HAFNIUM; OXIDE FILMS; OXIDE MINERALS; OZONE; TITANIUM DIOXIDE;

HAFNIUM OXIDES;

EID: 81255129358 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c1jm11763g Document Type: Article

Times cited : (12)

References (20)

1
- 0000214962
- M. Balog M. Schieber M. Michman S. Patai Thin Solid Films 1977 41 247
- (1977) Thin Solid Films , vol.41 , pp. 247
- Balog, M.¹ Schieber, M.² Michman, M.³ Patai, S.⁴

2
- 79955995737
- M. Cho J. Park H. B. Park C. S. Hwang Appl. Phys. Lett. 2002 81 334
- (2002) Appl. Phys. Lett. , vol.81 , pp. 334
- Cho, M.¹ Park, J.² Park, H.B.³ Hwang, C.S.⁴

3
- 33750100541
- L. Nyns L. Hall T. Conard A. Delabie W. Deweerd M. Heyns S. V. Elshocht N. V. Hoornick C. Vinckier S. D. Gendt J. Electrochem. Soc. 2006 153 F205
- (2006) J. Electrochem. Soc. , vol.153 , pp. 205
- Nyns, L.¹ Hall, L.² Conard, T.³ Delabie, A.⁴ Deweerd, W.⁵ Heyns, M.⁶ Elshocht, S.V.⁷ Hoornick, N.V.⁸ Vinckier, C.⁹ Gendt, S.D.¹⁰

4
- 31644442136
- P. D. Kirsch M. A. Quevedo-Lopez H.-J. Li Y. Senzaki J. J. Peterson S. C. Song S. A. Krishnan N. Moumen J. Barnett G. Bersuker P. Y. Hung B. H. Lee J. Appl. Phys. 2006 99 023508
- (2006) J. Appl. Phys. , vol.99 , pp. 023508
- Kirsch, P.D.¹ Quevedo-Lopez, M.A.² Li, H.-J.³ Senzaki, Y.⁴ Peterson, J.J.⁵ Song, S.C.⁶ Krishnan, S.A.⁷ Moumen, N.⁸ Barnett, J.⁹ Bersuker, G.¹⁰ Hung, P.Y.¹¹ Lee, B.H.¹²

5
- 0036799255
- D. M. Hausmann E. Kim J. Becker R. G. Gordon Chem. Mater. 2002 14 4350
- (2002) Chem. Mater. , vol.14 , pp. 4350
- Hausmann, D.M.¹ Kim, E.² Becker, J.³ Gordon, R.G.⁴

6
- 15744384552
- X. Liu S. Ramanathan A. Longdergan A. Srivastava E. Lee T. E. Seidel J. T. Barton D. Pang R. G. Gordon J. Electrochem. Soc. 2005 152 G213
- (2005) J. Electrochem. Soc. , vol.152 , pp. 213
- Liu, X.¹ Ramanathan, S.² Longdergan, A.³ Srivastava, A.⁴ Lee, E.⁵ Seidel, T.E.⁶ Barton, J.T.⁷ Pang, D.⁸ Gordon, R.G.⁹

7
- 0000983812
- K. Kukli M. Ritala T. Sajavaara J. Keinonen M. Leskelä Chem. Vap. Deposition 2002 8 199
- (2002) Chem. Vap. Deposition , vol.8 , pp. 199
- Kukli, K.¹ Ritala, M.² Sajavaara, T.³ Keinonen, J.⁴ Leskelä, M.⁵

8
- 81255170246
- 27th edn, 10/5
- A. Soulet, L. Duquesne, G. Jursich, R. Inman, A. Misra, N. Blasco, C. Lachaud, Y. Marot, R. Prunier, M. Vautier, S. Anderson, P. Clancy and M. Havlicek, Semiconductor Fabtech, 27th edn, 2005, 10/5
- (2005) Semiconductor Fabtech
- Soulet, A.¹ Duquesne, L.² Jursich, G.³ Inman, R.⁴ Misra, A.⁵ Blasco, N.⁶ Lachaud, C.⁷ Marot, Y.⁸ Prunier, R.⁹ Vautier, M.¹⁰ Anderson, S.¹¹ Clancy, P.¹² Havlicek, M.¹³

9
- 0942288633
- M. Cho H. B. Park J. Park S. W. Lee C. S. Hwang G. H. Jang J. Jeong Appl. Phys. Lett. 2003 83 5503
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.83 , pp. 5503
- Cho, M.¹ Park, H.B.² Park, J.³ Lee, S.W.⁴ Hwang, C.S.⁵ Jang, G.H.⁶ Jeong, J.⁷

10
- 34547409928
- J. Niinistö M. Putkonen L. Niinistö F. Song P. Williams P. N. Heys R. Odedra Chem. Mater. 2007 19 3319
- (2007) Chem. Mater. , vol.19 , pp. 3319
- Niinistö, J.¹ Putkonen, M.² Niinistö, L.³ Song, F.⁴ Williams, P.⁵ Heys, P.N.⁶ Odedra, R.⁷

11
- 54749148316
- M. Seo Y.-S. Min S. K. Kim T. J. Park J. H. Kim K. D. Na C. S. Hwang J. Mater. Chem. 2008 18 4324
- (2008) J. Mater. Chem. , vol.18 , pp. 4324
- Seo, M.¹ Min, Y.-S.² Kim, S.K.³ Park, T.J.⁴ Kim, J.H.⁵ Na, K.D.⁶ Hwang, C.S.⁷

12
- 77955264741
- M. Seo S. K. Kim J. H. Han C. S. Hwang Chem. Mater. 2010 22 4419
- (2010) Chem. Mater. , vol.22 , pp. 4419
- Seo, M.¹ Kim, S.K.² Han, J.H.³ Hwang, C.S.⁴

13
- 0001140789
- K. Kukli M. Ritala M. Leskela Chem. Vap. Deposition 2000 6 297
- (2000) Chem. Vap. Deposition , vol.6 , pp. 297
- Kukli, K.¹ Ritala, M.² Leskela, M.³

14
- 71649086924
- J. Niinistö M. Mäntymäki K. Kukli L. Costelle E. Puukilainen M. Ritala M. Leskelä J. Cryst. Growth 2010 312 245
- (2010) J. Cryst. Growth , vol.312 , pp. 245
- Niinistö, J.¹ Mäntymäki, M.² Kukli, K.³ Costelle, L.⁴ Puukilainen, E.⁵ Ritala, M.⁶ Leskelä, M.⁷

15
- 0037096520
- X. Zhao D. Vanderbilt Phys. Rev. B: Condens. Matter 2002 65 233106
- (2002) Phys. Rev. B: Condens. Matter , vol.65 , pp. 233106
- Zhao, X.¹ Vanderbilt, D.²

16
- 10044271096
- S. K. Kim W.-D. Kim K.-M. Kim C. S. Hwang J. Jeong Appl. Phys. Lett. 2004 85 4112
- (2004) Appl. Phys. Lett. , vol.85 , pp. 4112
- Kim, S.K.¹ Kim, W.-D.² Kim, K.-M.³ Hwang, C.S.⁴ Jeong, J.⁵

17
- 33645500472
- S. K. Kim G. W. Hwang W.-D. Kim C. S. Hwang Electrochem. Solid-State Lett. 2006 9 F5
- (2006) Electrochem. Solid-State Lett. , vol.9 , pp. 5
- Kim, S.K.¹ Hwang, G.W.² Kim, W.-D.³ Hwang, C.S.⁴

18
- 37649026786
- G.-M. Rignanese X. Gonze G. Jun K. Cho A. Pasquarello Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2004 69 184301
- (2004) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.69 , pp. 184301
- Rignanese, G.-M.¹ Gonze, X.² Jun, G.³ Cho, K.⁴ Pasquarello, A.⁵

19
- 34547566586
- S. K. Kim S. Y. Lee M. Seo G.-J. Choi C. S. Hwang J. Appl. Phys. 2007 102 024109
- (2007) J. Appl. Phys. , vol.102 , pp. 024109
- Kim, S.K.¹ Lee, S.Y.² Seo, M.³ Choi, G.-J.⁴ Hwang, C.S.⁵

20
- 79961104784
- M. Seo S. H. Rha S. K. Kim J. H. Han W. K. Lee S. Han C. S. Hwang J. Appl. Phys. 2011 110 024105
- (2011) J. Appl. Phys. , vol.110 , pp. 024105
- Seo, M.¹ Rha, S.H.² Kim, S.K.³ Han, J.H.⁴ Lee, W.K.⁵ Han, S.⁶ Hwang, C.S.⁷

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.