The effect of nitrogen concentration on the band gap and band offsets of HfOxNy gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 12, 2008, Pages

  Wang, X J ^a   Zhang, L D ^a   Liu, M ^a   Zhang, J P ^a   He, G ^a  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTION BANDS; ENERGY GAP; GATE DIELECTRICS; LEAKAGE CURRENTS;

BAND OFFSETS; NITROGEN CONCENTRATION;

NITROGEN COMPOUNDS;

EID: 41349122216     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2903097     Document Type: Article

References (22)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2002, 31.
3. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, Y. H. Kim, R. Nieh, J. Han, S. Krishnan, A. Shahriar, and J. C. Lee, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2002, 865.
4. H. S. Momose, T. Morimoto, Y. Ozawa, K. Yamabe, and H. Iwai, IEEE Trans. Electron Devices 41, 546 (1995).
5. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. Li-Fatou, M. J. Bevan, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 81, 1609 (2002).
6. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2002, 857.
7. S. Jeon, C. J. Choi, T. Y. Seong, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 79, 245 (2001).
8. G. V. Soares, K. P. Bastos, R. P. Pezzi, L. Miotti, C. Driemeier, I. J. R. Baumvol, C. Hinkle, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. 84, 4992 (2004).
9. H.-J. Cho, D.-G. Park, I.-S. Yeo, J.-S. Roh, and J. Won Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2814 (2001).
10. H. J. Osten, J. P. Liu, and H. J. Mussig, Appl. Phys. Lett. 80, 297 (2002).
11. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1785 (2000).
12. N. Ikarashi, M. Miyamura, K. Masuzaki, and T. Tatsumi, Appl. Phys. Lett. 84, 3672 (2004).
13. S. Sayan, N. V. Nguyen, J. Ehrstein, J. J. Chambers, M. R. Visokay, M. A. Quevedo-Lopez, L. Colombo, D. Yoder, I. Levin, D. A. Fischer, M. Paunescu, O. Celik, and E. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 87, 212905 (2005).
14. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishnan, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 2593 (2002).
15. M. Koike, T. Ino, Y. Kamimuta, M. Koyama, Y. Kamata, M. Suzuki, Y. Mitani, and A. Nishiyama, Phys. Rev. B 73, 125123 (2006).
16. J. Tauc, R. Grigorovici, and A. Vancu, Phys. Status Solidi 15, 627 (1966).
17. P. G. Wu, C. H. Ma, and J. K. Shang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 81, 1411 (2005).
18. R. Nakamura, T. Tanaka, and Y. Nakato, J. Phys. Chem. B 108, 10617 (2004).
19. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
20. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D. L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 376 (2002).
21. J. Tersoff, Phys. Rev. B 30, 4874 (1984).
22. J. Robertson, J. Non-Cryst. Solids 303, 94 (2002).