Capacitance-voltage studies on enhancement-mode InGaAs metal-oxide- semiconductor field-effect transistor using atomic-layer-deposited Al 2O 3 gate dielectric

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 26, 2006, Pages

  Xuan, Y ^b   Lin, H C ^b   Ye, P D ^b   Wilk, G D ^a  

^a ASM AMERICA   (United States)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); CAPACITANCE-VOLTAGE (CV) CURVES; GATE LEAKAGE; LOW DEFECT DENSITY;

ALUMINA; ANNEALING; CAPACITANCE; DEPOSITION; ELECTRIC POTENTIAL; HIGH TEMPERATURE EFFECTS; MOSFET DEVICES; THERMODYNAMIC STABILITY;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 33745610211     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2217258     Document Type: Article

References (22)

1. T. Mimura and M. Fukuta, IEEE Trans. Electron Devices ED-27, 1147 (1980), and references therein.
2. Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interfaces, edited by C. W. Wilmsen (Plenum, New York, 1985), and references therein.
3. B. J. Skromme, C. J. Sandroff, E. Yablonovitch, and T. Gmitter, Appl. Phys. Lett. 51, 2022 (1987).
4. G. G. Fountain, R. A. Rudder, S. V. Hattangady, R. J. Markunas, and J. A. Hutchby, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1989, 887.
5. M. Akazawa, H. Ishii, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 3744 (1991).
6. J. Reed, G. B. Gao, A. Bochkarev, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 75, 1826 (1994).
7. M. Passlack, M. Hong, and J. P. Mannaerts, Appl. Phys. Lett. 68, 1099 (1996).
8. B. Yang, P. D. Ye, J. Kwo, M. R. Frei, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, J. Cryst. Growth 251, 837 (2003).
9. P. D. Ye, G. D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H.-J. L. Gossmann, M. Frei, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, IEEE Electron Device Lett. 24, 209 (2003).
10. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 83, 180 (2003).
11. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 84, 434 (2004).
12. P. D. Ye, B. Yang, K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
13. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, and M. Radosavljevic, IEEE Trans. Nanotechnol. 4, 153 (2005).
14. S. Datta, T. Ashley, J. Brask, L. Buckel, M. Doczy, M. Emeny, D. Hayes, K. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, T. J. Phillips, D. Wallis, P. Wilding, and R. Chau, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 783.
15. H. C. Lin, P. D. Ye, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 87, 182904 (2005).
16. S. Koveshnikov, W. Tsai, I. Ok, J. C. Lee, V. Torkanov, M. Yakimov, and S. Oktyabrsky, Appl. Phys. Lett. 88, 22106 (2006).
17. C. O. Chui, H. Kim, P. C. Mclntyre, and K. C. Sarawat, IEEE Electron Device Lett. 25, 274 (2004).
18. D. Yan, F. H. Pollak, T. P. Chin, and J. M. Woodall, Phys. Rev. B 52, 4674 (1995).
19. M. D. Pashley, K. W. Haberern, R. M. Feenstra, and P. D. Kirchner, Phys. Rev. B 48, 4612 (1993).
20. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104 (2005).
21. Z. Luo and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 25, 655 (2004).
22. F. Ren, M. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu. Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Solid-State Electron. 41, 1751 (1997).