The chemical and electronic structures of y Ox Ny on Si(100)

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 4, 2008, Pages

  Wang, X J ^a   Zhang, L D ^a   He, G ^a   Zhang, J P ^a   Liu, M ^a   Zhu, L Q ^a  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC STRUCTURE; GROWTH (MATERIALS); SURFACE PROPERTIES; VALENCE BANDS;

BAND ALIGNMENTS; INTERFACIAL LAYERS; NITROGEN INCORPORATION; VALENCE BAND OFFSET;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 38849184813     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2839377     Document Type: Article

References (20)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1361065 89, 5243 (2001).
2. S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk, and M. C. Copel, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1320464 77, 2710 (2000).
3. J. Robertson, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 0734-211X 10.1116/1.591472 18, 1785 (2000).
4. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126899 77, 130 (2000).
5. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/35023243 406, 1032 (2000).
6. B. W. Busch, J. Kwo, M. Hong, J. P. Mannaerts, B. J. Sapjeta, W. H. Schulte, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1477268 80, 3575 (2001).
7. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. Li-Fatou, M. J. Bevan, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1502910 81, 1609 (2002).
8. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. TDIMD5 0163-1918 2002, 857.
9. S. Jeon, C. J. Choi, T. Y. Seong, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1385347 79, 245 (2001).
10. G. V. Soares, K. P. Bastos, R. P. Pezzi, L. Miotti, C. Driemeier, I. J. R. Baumvol, C. Hinkle, and G. Lucovsky, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1763230 84, 4992 (2004).
11. S. J. Wang, J. W. Chai, Y. F. Dong, Y. P. Feng, N. Sutanto, J. S. Pan, and A. C. H. Huan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2202752 88, 192103 (2006).
12. D. Niu, R. W. Ashcraft, C. Hinkle, and G. N. Parsons, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 0734-2101 10.1116/1.1666880 22, 445 (2004).
13. J. L. Gavartin, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1854210 97, 053704 (2005).
14. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Pechen-Elmer, Eden Prairie, 1992).
15. M.-H. Cho, D.-H. Ko, K. Jeong, S. W. Whangbo, C. N. Whang, S. C. Choi, and S. J. Cho, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090 10.1016/S0040-6090(99)00174-1 349, 266 (1999).
16. G. E. Jellison and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.118064 69, 371 (1996).
17. D. E. Aspnes, J. B. Theeten, and F. Hottier, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.20.3292 20, 3292 (1979).
18. N. V. Nguyen, S. Sayan, I. Levin, J. R. Ehrstein, I. J. R. Baumvol, C. Driemeier, C. Krug, L. Wielunski, P. Y. Hung, and A. Diebold, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 0734-2101 10.1116/1.2091096 23, 1706 (2005).
19. G. Shang, P. W. Peacock, and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1638896 84, 106 (2004).
20. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D. L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 81, 376 (2002).