Inversion behavior in Sc2O3/GaN gated diodes

Applied Physics Letters

Volumn 81, Issue 2, 2002, Pages 373-375

  Kim, Jihyun ^a   Mehandru, R ^a   Luo, B ^a   Ren, F ^a   Gila, B P ^a   Onstine, A H ^a   Abernathy, C R ^a   Pearton, S J ^a   Irokawa, Y ^b  

^a University of Florida   (United States)

^b Rd Management Section   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

C-V CURVE; CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS; GATED DIODES; INVERSION CHARGE; MEASUREMENT FREQUENCY; SURFACE STATE; SURFACE STATE DENSITY;

CAPACITANCE; GALLIUM NITRIDE;

DIODES;

EID: 79956037844     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1492852     Document Type: Article

References (36)

1. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001). etd IETDAI 0018-9383
2. N. X. Nguyen, M. Micovic, W.-S. Wong, P. Hashimoto, L.-M. McCray, P. Janke, and C. Nguyen, Electron. Lett. 36, 468 (2000). ell ELLEAK 0013-5194
3. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Solid-State Electron. 41, 1569 (1997). sel SSELA5 0038-1101
4. M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, G. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000). edl EDLEDZ 0741-3106
5. W. Lu, J. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, IEEE Trans. Electron Devices 48, 581 (2001). etd IETDAI 0018-9383
6. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000). edl EDLEDZ 0741-3106
7. S. C. Binari, W. Kruppa, H. B. Dietrich, G. Kelner, A. E. Wickenden, and J. A. Freitas, Jr., Solid-State Electron. 41, 1549 (1997). sel SSELA5 0038-1101
8. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett. 36, 2043 (2000). ell ELLEAK 0013-5194
9. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett. 35, 1022 (1999). ell ELLEAK 0013-5194
10. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett. 37, 130 (2001). ell ELLEAK 0013-5194
11. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001). apl APPLAB 0003-6951
12. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Grider, Electron. Lett. 35, 1356 (1999). ell ELLEAK 0013-5194
13. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett. 20, 448 (1999). edl EDLEDZ 0741-3106
14. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 78, 2169 (2001). apl APPLAB 0003-6951
15. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998). apl APPLAB 0003-6951
16. M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2001). apl APPLAB 0003-6951
17. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, J. Zhang, A. Tarakji, A. Kumar, J. Yang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 22, 53 (2001). edl EDLEDZ 0741-3106
18. B. P. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001). etd IETDAI 0018-9383
19. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997). sel SSELA5 0038-1101
20. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998). apl APPLAB 0003-6951
21. Y. Irokawa and Y. Nakano, Solid-State Electron. (to be published).
22. T. S. Lay, M. Hong, J. Kwo, J. P. Mannaerts, W. H. Hung, and D. J. Huang, Solid-State Electron. 45, 1679 (2001). sel SSELA5 0038-1101
23. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 88, 1983 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
24. N.-Q. Zhang, S. Keller, G. Parish, S. Heikman, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 21, 421 (2000). edl EDLEDZ 0741-3106
25. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. F. Davis, Phys. Status Solidi A 176, 793 (1999). psa PSSABA 0031-8965
26. J. W. Johnson, B. P. Gila, B. Luo, K. P. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, C. C. Chou, and F. Ren, J. Electrochem. Soc. 148, G303 (2001). jes JESOAN 0013-4651
27. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, V. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000). apl APPLAB 0003-6951
28. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices 48, 465 (2001). etd IETDAI 0018-9383
29. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, K. K. Allums, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A 188, 239 (2001). psa PSSABA 0031-8965
30. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 80, 1661 (2002). apl APPLAB 0003-6951
31. B. Luo, J. W. Johnson, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, F. Ren, S. J. Pearton, A. G. Baca, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, and P. P. Chow, Solid-State Electron. 46, 467 (2002). sel SSELA5 0038-1101
32. D. K. Schroder, Advanced MOS Diodes (Addison-Wesley Longman, New York, 1986).
33. A. Goetzberger and J. C. Irvin, IEEE Trans. Electron Devices 15, 1005 (1968). etd IETDAI 0018-9383
34. S. T. Sheppard, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Melloch, J. Appl. Phys. 75, 3205 (1994). jap JAPIAU 0021-8979
35. S. Grove and D. J. Fitzgerald, Solid-State Electron. 9, 783 (1966). sel SSELA5 0038-1101
36. J. Jiang, O. O. Awadelkarim, D.-O. Lee, P. Roman, and J. Ruzyllo, Solid-State Electron. (to be published).