Ga2 O3 (Gd2 O3) Si3 N4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 22, 2007, Pages

  Zheng, J F ^a   Tsai, W ^a   Lin, T D ^b   Lee, Y J ^b   Chen, C P ^b   Hong, M ^b   Kwo, J ^b   Cui, S ^c   Ma, T P ^c  

^a INTEL CORPORATION   (United States)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^c Yale University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DRAIN CURRENT; FERMI LEVEL; MOSFET DEVICES; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; ULTRAHIGH VACUUM;

CHANNEL INVERSION; ENHANCEMENT MODE; MOLECULAR ATOMIC DEPOSITION;

GATE DIELECTRICS;

EID: 36549063375     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2817742     Document Type: Article

References (15)

1. S. Datta, T. Ashley, R. Chau, K. Hilton, R. Jefferies, T. Martin, and T. J. Phillips, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 783.
2. D.-H. Kim, J. A. Del Alamo, J. H. Lee, and K. S. Seo, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 767.
3. I. Ok, H. Kim, M. Zhang, C.-Y. Kang, S. J. Rhee, C. Choi, S. A. Krishnan, T. Lee, F. Zhu, G. Thareja, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 27, 145 (2006).
4. Y. Xuan, H. C. Lin, and P. D. Ye, Appl. Phys. Lett. 88, 263518 (2006).
5. W. E. Spicer and A. M. Green, J. Vac. Sci. Technol. B B11, 1347 (1993).
6. M. Hong, J. P. Mannaerts, J. E. Bowers, J. Kwo, M. Passlack, W.-Y. Hwang, and L. W. Tu, J. Cryst. Growth 175/176, 422 (1997).
7. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, R. L. Masaitis, and A. M. Sergent, Appl. Phys. Lett. 75, 1116 (1999).
8. F. Ren, M. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Solid-State Electron. 41, 1751 (1997).
9. F. Ren, J. M. Kuo, M. Hong, W. S. Hobson, J. R. Lothian, J. Lin, W. S. Tseng, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett. 19, 309 (1998).
10. M. Hong, J. Kwo, P. J. Tsai, Y. C. Chang, M. L. Huang, C. P. Chen, and T. D. Lin, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 46, 3167 (2007).
11. M. Hong, Z. H. Lu, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, J. J. Krajewski, K. C. Hsieh, L. J. Chou, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 312 (2000).
12. Y. L. Huang, P. Chang, Z. K. Yang, Y. J. Lee, H. Y. Lee, H. J. Liu, J. Kwo, J. P. Mannaerts, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 86, 191905 (2005).
13. C. P. Chen, Y. J. Lee, Y. C. Chang, Z. K. Yang, M. Hong, J. Kwo, H. Y. Lee, and T. S. Lay, J. Appl. Phys. 100, 104502 (2006).
14. T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 45, 680 (1998).
15. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2297 (1996).