Temperature-dependent structural stability and optical properties of ultrathin Hf-Al-O films grown by facing-target reactive sputtering

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 9, 2007, Pages

  He, G ^a   Zhang, L D ^a   Meng, G W ^a   Li, G H ^a   Fang, Q ^a   Zhang, J P ^a  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL SHIFT; FILM GROWTH; HAFNIUM; OPTICAL PROPERTIES; PHASE SEPARATION; REACTIVE SPUTTERING; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ANNEALING TEMPERATURE; DIELECTRIC FUNCTIONS; STRUCTURAL STABILITY;

ULTRATHIN FILMS;

EID: 36249012405     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2802994     Document Type: Article

References (41)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
3. S. Miyazaki, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2212 (2001).
4. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and W. Tsai, Appl. Phys. Lett. 82, 245 (2003).
5. C. T. Hsu, Y. K. Su, and M. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2501 (1992).
6. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W.-J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
7. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
8. W. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, Y. Di, J. Kim, R. Carruthers, M. Gibso, and T. Furukawa, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 20.4.1.
9. G. He, Q. Fang, M. Liu, L. Q. Zhu, and L. D. Zhang, J. Cryst. Growth 268, 155 (2004).
10. G. He, M. Liu, L. Q. Zhu, M. Chang, Q. Fang, and L. D. Zhang, Surf. Sci. 576, 67 (2005).
11. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
12. A. Kumar, D. Rajdev, and D. L. Douglass, J. Am. Chem. Soc. 55, 439 (1972).
13. C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, Y. H. Kim, R. Nieh, J. Han, S. Krishnan, A. Shahriar, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 865.
14. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 857.
15. V. Mikhelashvili, R. Brener, O. Kreinin, B. Meyler, J. Shneider, and G. Eisenstein, Appl. Phys. Lett. 85, 5950 (2004).
16. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. X. Zhu, B. J. Cho, D. L. Kwang, C.-L. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, J. Z. Chi, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 3618 (2002).
17. M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, and K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 81, 1071 (2002).
18. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S Joo, D. L. Kwang, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 376 (2002).
19. S. J. Ding, C. X. Zhu, M. F. Li, and D. W. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 053501 (2005).
20. M. Liu, G. He, L. Q. Zhu, Q. Fang, G. H. Li, L. D. Zhang, Appl. Surf. Sci. 252, 6206 (2006).
21. M. S. Joo, B. J. Cho, C. C. Yeo, D. S. Chan, S. J. Whoang, S. Mathew, L. K. Bera, N. Balasubramanian, and D. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2088 (2003).
22. M. H. Cho, H. S. Chang, Y. J. Cho, D. W. Moon, K. H. Min, R. Sinclair, S. K. Kang, D. H. Ko, J. H. Lee, J. H. Gu, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 571 (2004).
23. K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Kemonen, and M. Leskla, Thin Solid Films 416, 72 (2002).
24. M. Takahashi and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L800 (2005).
25. S. Sakai, R. Ilangovan, and M. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 7876 (2004).
26. G. He, L. D. Zhang, G. H. Li, M. Liu, L. Q. Zhu, S. S. Pan, and Q. Fang, Appl. Phys. Lett. 86, 232901 (2005).
27. G. He, J. X. Zhang, L. Q. Zhu, M. Liu, Q. Fang, and L. D. Zhang, Nanotechnology 16, 1641 (2005).
28. M. Liu, Q. Fang, G. He, L. Li, L. Q. Zhu, G. H. Li, and L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 86, 232901 (2005).
29. W. Kern and D. A. Poutinen, RCA Rev. 31, 187 (1970).
30. C. M. Herzinger, B. Johs, W. A. McGahan, J. A. Woollam, and W. Paulson, J. Appl. Phys. 83, 3323 (1998).
31. E. D. Palik, Handbook of Optical Constants of Solids (Academic, Orlando, FL, 1985).
32. D. A. G. Bruggemann, Ann. Phys. 24, 636 (1935).
33. H. Jin, S. K. Oh, H. J. Kang, S. W. Lee, Y. S. Lee, and M.-H. Cho, Appl. Phys. Lett. 87, 212902 (2005).
34. J. Zhu, Z. G. Liu, and Y. R. Li, J. Phys. D 38, 446 (2005).
35. T. S. Jeon, J. M. White, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 78, 368 (2001).
36. H. Y. Yu, N. Wu, M. F. Li, C. X. Zhu, B. J. Cho, D.-L. Kwong, C. H. Tung, J. S. Pan, J. W. Chai, W. D. Wang, D. Z. Chi, C. H. Ang, J. Z. Zheng, and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 3618 (2002).
37. S. Iwata and A. Ishizaka, J. Appl. Phys. 79, 6653 (1996).
38. G. He, Q. Fang, and L. D. Zhang, J. Appl. Phys. 100, 083517 (2006).
39. R. Thomas, P. Ehrhart, M. Luysberg, M. Boese, R. Waser, M. Roeckerath, E. Rije, J. Schubert, S. V. Elshocht, and M. Caymax, Appl. Phys. Lett. 81, 3618 (2002).
40. J. Tauc, R. Grigorovici, and A. Vancu, Phys. Status Solidi 15, 627 (1966).
41. G. Lukovsky, J. L. Whitten, and Y. Zhang, Microelectron. Eng. 59, 329 (2001).