Effect of post deposition annealing on the optical properties of HfO xNy films

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 19, 2006, Pages

  Liu, M ^a   Fang, Q ^a,b   He, G ^a   Li, L ^a   Zhu, L Q ^a   Li, G H ^a   Zhang, L D ^a  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

^b UNIVERSITY COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; DEPOSITION; DIELECTRIC PROPERTIES; ELLIPSOMETRY; HAFNIUM COMPOUNDS; MAGNETRON SPUTTERING; OPTICAL PROPERTIES; REFRACTIVE INDEX;

HAFNIUM OXYNITRIDE; OPTICAL BAND GAP; POST DEPOSITION ANNEALING; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY;

THIN FILMS;

EID: 33646688638     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2202689     Document Type: Article

References (16)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. B. H. Lee, L. Kand, R. Nieh, W.-J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
3. S. H. Mohamed, O. Kappertz, T. Niemeier, R. Drese, M. M. Wakkad, and M. Wuttig, Thin Solid Films 468, 48 (2004).
4. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. LiFatou, J. J. Chambers, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 82, 4669 (2003).
5. M. Lee, Z. H. Lu, W. T. Ng, D. Landheer, X. Wu, and S. Moisa, Appl. Phys. Lett. 83, 2638 (2002).
6. R. E. Nieh, C. S. Kang, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, S. Krishnan, J. H. Han, Y.-H. Kim, M. S. Akbar, and J. C. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 50, 333 (2003).
7. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopanlan, S. Krishnan, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 2593 (2002).
8. K.-J. Choi, J.-H. Kim, and S.-G. Yoon, J. Electrochem. Soc. 151, G262 (2004).
9. J. L. Gavartin, A. L. Shluger, A. S. Foster, and G. I. Bersuker, J. Appl. Phys. 97, 053704 (2005).
10. J. F. Kang, H. Y. Yu, C. Ren, M.-F. Li, D. S. H. Chan, H. Hu, H. F. Lim, W. D. Wang, D. Gui, and D.-L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 84, 1588 (2004).
11. G. E. Tellison and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. 69, 371 (1996).
12. G. E. Tellison and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. 69, 2137 (1996).
13. S. Venkataraj, O. Kappertz, R. Jayavel, and M. Wutting, J. Appl. Phys. 92, 2461 (2002).
14. G. He, L. D. Zhang, G. H. Li, M. Liu, L. Q. Zhu, S. S. Pan, and Q. Fang, Appl. Phys. Lett. 86, 232901 (2005).
15. H. Hu, C. X. Zhu, Y. F. Lu, Y. H. Yu, T. Liew, M. F. Li, B. J. Cho, W. K. Chio, and N. Yakovlev, J. Appl. Phys. 94, 551 (2003).
16. R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, and Y. Taga, Science 293, 269 (2001).