Enhancement-mode InP n -channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with atomic-layer-deposited Al2 O3 dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 2, 2007, Pages

  Wu, Y Q ^a   Xuan, Y ^a   Shen, T ^a   Ye, P D ^a   Cheng, Z ^b   Lochtefeld, A ^b  

^a PURDUE UNIVERSITY   (United States)

^b AmberWave Systems Corporation   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ENHANCEMENT MODE; GATE OXIDES; INTERFACE TRAP DENSITY;

ALUMINA; ATOMIC LAYER DEPOSITION; FERMI LEVEL; GATE DIELECTRICS; INDIUM PHOSPHIDE; LEAKAGE CURRENTS; TRANSCONDUCTANCE;

MOSFET DEVICES;

EID: 34547210682     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2756106     Document Type: Article

References (26)

1. http://www.intel.com/pressroom/archive/releases/20060125comp.htm
2. Y. C. Wang, M. Hong, J. M. Kuo, J. P. Mannaerts, J. Kwo, H. S. Tsai, J. J. Krajewski, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, IEEE Electron Device Lett. 20, 457 (1999).
3. B. Yang, P. D. Ye, J. Kwo, M. R. Frei, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, J. Cryst. Growth 251, 837 (2003).
4. P. D. Ye, G. D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H.-J. L. Gossmann, M. Frei, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, IEEE Electron Device Lett. 24, 209 (2003).
5. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H.-J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 83, 180 (2003).
6. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, H.-J. L. Gossmann, M. Hong, K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 84, 434 (2004).
7. X. Li, Y. Cao, D. C. Hall, P. Fay, B. Han, A. Wibowo, and N. Pan, IEEE Electron Device Lett. 25, 772 (2004).
8. S. J. Kang, S. J. Jo, J. C. Han, J. H. Kim, S. W. Park, and J. I. Song, Solid-State Electron. 51, 57 (2007).
9. Y. Xuan, H. C. Lin, P. D. Ye, and G. D. Wilk, Appl. Phys. Lett. 88, 263518 (2006).
10. F. Ren, M. Hong, W. S. Hobson, J. M. Kuo, J. R. Lothian, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, Y. K. Chen, and A. Y. Cho, Solid-State Electron. 41, 1751 (1997).
11. S. Oktyabrsky, V. Tokranov, M. Yakimov, R. Moore, S. Koveshnikov, W. Tsai, F. Zhu, and J. C. Lee, Mater. Sci. Eng., B 135, 272 (2006).
12. K. Rajagopalan, J. Abrokwah, R. Droopad, and M. Passlack, IEEE Electron Device Lett. 27, 959 (2006).
13. M. Passlack, R. Droopad, K. Rajagopalan, and J. Abrokwah, Conference Digest of the 28th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium, 2006 (unpublished), p. 250.
14. Y. Sun, S. J. Koester, E. W. Kiewra, K. E. Fogel, D. K. Sadana, D. J. Webb, J. Fompeyrine, J.-P. Locquet, M. Sousa, and R. Germann, Conference Digest of the Device Research Conference, 2006 (unpublished), p. 49.
15. M. V. Fischetti and S. E. Laux, IEEE Trans. Electron Devices 38, 650 (1991).
16. D. L. Lile and M. J. Taylor, J. Appl. Phys. 54, 260 (1983).
17. D. L. Lile, Solid-State Electron. 21, 1199 (1978).
18. D. L. Lile, D. A. Collins, L. G. Meiners, and L. Messick, Electron. Lett. 14, 657 (1978).
19. T. Kawakami and M. Okamura, Electron. Lett. 15, 502 (1979).
20. Y. Shinoda and T. Kobayashi, Solid-State Electron. 25, 1119 (1982).
21. W. F. Tseng, M. L. Bark, H. B. Dietrich, A. Christou, R. L. Henry, W. A. Schmidt, and N. S. Saks, IEEE Electron Device Lett. 2, 299 (1981).
22. Y. Taur, IEEE Trans. Electron Devices 47, 160 (2000).
23. A. Ortiz-Conde, F. J. G. Sanchez, J. J. Liou, A. Cerdeira, M. Estrada, and Y. Yue, Microelectron. Reliab. 42, 583 (2002).
24. C. G. Sodini, T. W. Ekstedt, and J. L. Moll, Solid-State Electron. 25, 833 (1982).
25. M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabal, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. 86, 152904 (2005).
26. M. L. Huang, Y. C. Chang, C. H. Chang, Y. J. Lee, P. Chang, J. Kwo, T. B. Wu, and M. Hong, Appl. Phys. Lett. 87, 252104 (2005).