Temperature-dependent interfacial chemical bonding states and band alignment of HfOxNy/SiO2/Si gate stacks

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 23, 2007, Pages

  He, G ^a   Meng, G W ^a   Zhang, L D ^a   Liu, M ^a  

^a INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CHEMICAL BONDS; CHEMICAL STABILITY; CONDUCTION BANDS; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; SURFACE CHEMISTRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ANNEALING TEMPERATURE; BAND ALIGNMENT; GATE STACKS; X-RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY (XPS);

GATE DIELECTRICS;

EID: 36949027321     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2813620     Document Type: Article

References (18)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. G. He, M. Liu, L. Q. Zhu, M. Chang, Q. Fang, and L. D. Zhang, Surf. Sci. 576, 67 (2005).
3. V. V. Afanas'ev, A. Stesmans, and W. Tsai, Appl. Phys. Lett. 82, 245 (2003).
4. C. T. Hsu, Y. K. Su, and M. Yokoyama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2501 (1992).
5. W. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, Y. Di, J. Kim, R. Carruthers, M. Gibso, and T. Furukawa, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 20.4.1 (2001).
6. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwang, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 865 (2002).
7. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopanlan, S. Krishnan, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 2593 (2002).
8. G. He, L. D. Zhang, G. H. Li, M. Liu, L. Q. Zhu, S. S. Pan, and Q. Fang, Appl. Phys. Lett. 86, 232901 (2005).
9. S. J. Wang, J. W. Chai, Y. F. Dong, Y. P. Feng, N. Sutanto, J. S. Pan, and A. C. H. Huan, Appl. Phys. Lett. 88, 192103 (2006).
10. W. W. Wang, T. Nabatame, and Y. Shimagaki, Surf. Sci. 588, 108 (2005).
11. O. Renault, D. Samour, J.-F. Damlencourt, D. Blin, F. Martin, and S. Marthon, Appl. Phys. Lett. 81, 3627 (2002).
12. Y. Baba, T. A. Sasaki, and I. Takano, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2945 (1988).
13. H. S. Chang, H. S. Hwang, M. H. Cho, D. W. Moon, S. J. Doh, J. H. Lee, and N. I. Lee, Appl. Phys. Lett. 84, 28 (2004).
14. T. S. Jeon, J. M. White, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 78, 368 (2001).
15. K. P. Bastos, C. Driemeier, R. P. Pezzi, G. V. Soares, L. Miotti, J. Morais, I. J. R. Baumvol, and R. M. Wallace, Mater. Sci. Eng., B 112, 134 (2004).
16. M. Oshima, H. Takahashi, J. Okabayashi, S. Toyoda, H. Kumigashira, M. Inoue, M. Mizutani, and J. Yugami, J. Appl. Phys. 100, 033709 (2006).
17. J. H. Oh, Y. Park, K. -S. An, Y. Kim, J. R. Ahn, J. Y. Baik, and C. Y. Park, Appl. Phys. Lett. 84, 262906 (2005).
18. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 857.