Interfacial characteristics and band alignments for Zr O2 gate dielectric on Si passivated p-GaAs substrate

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 24, 2007, Pages

  Dalapati, Goutam Kumar ^a   Sridhara, Aaditya ^a   Wong, Andrew See Weng ^a   Chia, Ching Kean ^a   Lee, Sung Joo ^b   Chi, Dongzhi ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GATE DIELECTRICS; HYSTERESIS; MOS DEVICES; PASSIVATION; SURFACE CHEMISTRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ACCUMULATION CAPACITANCE; INTERFACE STATE DENSITY; INTERFACIAL PASSIVATION LAYER (IPL);

ZIRCONIUM COMPOUNDS;

EID: 37149002461     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2822422     Document Type: Article

References (21)

1. M. W. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, and A. M. Sergent, Science 283, 1897 (1999).
2. J. Robertson and B. Falabretti, J. Appl. Phys. 100, 014111 (2006).
3. G. K. Dalapati, Y. Tong, W. Y. Loh, H. K. Mun, and B. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 90, 183510 (2007).
4. H. S. Kim, I. Ok, M. Zhang, F. Zhu, S. Park, J. Yum, H. Zhao, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 91, 042904 (2007).
5. Y. Cao, J. Zhang, X. Li, T. H. Kosel, P. Fay, and D. C. Hall, Appl. Phys. Lett. 86, 062105 (2005).
6. G. K. Dalapati, Y. Tong, W. Y. Loh, H. K. Mun, and B. J. Cho, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1831 (2007).
7. D. Choi, J. S. Harris, M. Warusawithana, and D. G. Schlom, Appl. Phys. Lett. 90, 243505 (2007).
8. M. K. Lee, C. F. Yen, and J. J. Huang, J. Electrochem. Soc. 153, F77 (2006).
9. P. D. Ye, G. D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H.-J. L. Gossmann, M. Frei, S. N. G. Chu, J. P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, IEEE Electron Device Lett. 24, 209 (2003).
10. C. M. Perkins, B. B. Triplett, P. C. Mclntyre, K. C. Saraswat, S. Haukka, and M. Tuominen, Appl. Phys. Lett. 78, 2357 (2001).
11. J. Oh, P. Majhi, C. Y. Kang, J. W. Yang, H. H. Tseng, and R. Jammy, Appl. Phys. Lett. 90, 202102 (2007).
12. W. A. Hill and C. C. Coleman, Solid-State Electron. 23, 987 (1980).
13. M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, G. J. Zydzik, J. P. Mannaerts, W. S. Hobson, and T. D. Harris, J. Appl. Phys. 81, 7647 (1997).
14. B. O. Cho, J. Wang, L. Sha, and J. P. Chang, Appl. Phys. Lett. 80, 1052 (2002).
15. H. L. Lu, L. Sun, S. J. Ding, M. Xu, D. W. Zhang, and L. K. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 152910 (2006).
16. T. Kubota, Y. Nakato, K. Yoneda, and H. Kobayashi, Phys. Rev. B 56, 7428 (1997).
17. M. M. Frank, G. D. Wilk, D. Starodub, T. Gustafsson, E. Garfunkel, Y. J. Chabel, J. Grazul, and D. A. Muller, Appl. Phys. Lett. 86, 152904 (2005).
18. M. H. Zhang, I. J. Ok, H. S. Kim, F. Zhu, T. Lee, G. Thareja, L. Yu, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 042902 (2006).
19. Y. Y. Mi, S. J. Wang, J. W. Chai, J. S. Pan, A. C. H. Huan, N. Ning, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 89, 202107 (2006).
20. S. J. Wang, A. C. H. Huan, Y. L. Foo, J. W. Chai, J. S. Pan, Q. Li, Y. F. Dong, Y. P. Feng, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 85, 4418 (2004).
21. Y. F. Dong, Y. P. Feng, S. J. Wang, and A. C. H. Huan, Phys. Rev. B 72, 045327 (2005).