Chloride-based CVD growth of silicon carbide for electronic applications

Chemical Reviews

Volumn 112, Issue 4, 2012, Pages 2434-2453

  Pedersen, Henrik ^a   Leone, Stefano ^a   Kordina, Olof ^a   Henry, Anne ^a   Nishizawa, Shin Ichi ^b   Koshka, Yaroslav ^c   Janzén, Erik ^a  

^a LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

^b NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^c MISSISSIPPI STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON PRECURSORS; CVD GROWTHS; ELECTRONIC APPLICATION; HOMOEPITAXIAL GROWTH; LIGHT HYDROCARBON; SILICON PRECURSORS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CHLORINE; CHLORINE COMPOUNDS; EPITAXIAL GROWTH; ETHYLENE; HYDROCARBONS; PROPANE;

SILICON CARBIDE;

EID: 84859403629     PISSN: 00092665     EISSN: 15206890     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cr200257z     Document Type: Review

References (209)

1. Davis, R. F. Inst. Phys. Conf. Ser. 1994, 137, 1
2. st ed.; CRC Press: Boca Raton, FL, 2010- 2011; pp 12-212.
3. Berzelius, J. J. Ann. Phys. (Leippzig, Ger.) 1824, 1, 169
4. Moissan, H. Comptes Rendus 1905, 140, 405
5. Round, H. J. Electr. World 1907, 19, 309
6. Cooper, J. A.; Agarwal, A. Proc. IEEE 2002, 90, 956
7. Davis, R. F.; Kelner, G.; Shur, M.; Palmour, J. W.; Edmond, J. A. Proc. IEEE 1991, 79, 677
8. Kimoto, T.; Itoh, A.; Matsunami, H. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 247
9. Burk, A. A.; Rowland, L. B. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 263
10. Rupp, R.; Makarov, Y. N.; Behner, H.; Wiedenhofer, A. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 281
11. Kordina, O.; Hallin, C.; Henry, A.; Bergman, J. P.; Ivanov, I.; Ellison, A.; Son, N. T.; Janzén, E. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 321
12. Burk, A. A. Chem. Vapor Deposition 2006, 12, 465
13. Henry, A.; Hassan, J.; Bergman, J. P.; Hallin, C.; Janzén, E. Chem. Vapor Deposition 2006, 12, 475
14. Ellison, A.; Zhang, J.; Henry, A.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2002, 236, 225
15. Kordina, O.; Hallin, C.; Ellison, A.; Bakin, A. S.; Ivanov, I. G.; Henry, A.; Yakimova, R.; Touminen, M.; Vehanen, A.; Janzén, E. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 1456
16. Ito, M.; Storasta, L.; Tsuchida, H. Appl. Phys. Express 2008, 1, 015001
17. Tsuchida, H.; Ito, M.; Kamata, I.; Nagano, M. Phys. Status Solidi B 2009, 246, 1553
18. Ishida, Y.; Takahashi, T.; Okumura, H.; Arai, K.; Yoshida, S. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 119
19. Aylward, G.; Findlay, T. SI Chemical Data, 4th ed.; John Wiley & Sons: Australia, 1998; p 115.
20. Theuerer, H. C. J. Electrochem. Soc. 1961, 108, 649
21. st ed.; CRC Press: Boca Raton, FL, 2010- 2011; pp 4-87.
22. Pozzetti, V. In Silicon Epitaxy, Semiconductors and Semimetals; Crippa, D.; Rode, D. L.; Masi, M., Eds.; Academic Press: London, 2001; Vol. 72, pp 104-105.
23. Pozzetti, V. In Silicon Epitaxy, Semiconductors and Semimetals; Crippa, D.; Rode, D. L.; Masi, M., Eds.; Academic Press: London, 2001; Vol. 72, p 108.
24. st ed.; CRC Press: Boca Raton, FL, 2010- 2011; pp 4-122.
25. Dutartre, D. In Silicon Epitaxy, Semiconductors and Semimetals; Crippa, D.; Rode, D. L.; Masi, M., Eds.; Academic Press: London, 2001; Vol. 72, pp 404-406.
26. Xie, Z. X.; Wei, C. H.; Li, L. Y.; Yu, Q. M.; Edgar, J. H. J. Cryst. Growth 2000, 217, 115
27. Nakamura, S.; Kimoto, T.; Matsunami, H.; Tanaka, S.; Teraguchi, N.; Suzuki, A. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3412
28. Zhang, J.; Kordina, O.; Ellison, A.; Janzén, E. Mater. Sci. Forum 2002, 389- 393, 239
29. Burk, A. A.; Rowland, L. B. J. Cryst. Growth 1996, 167, 586
30. Powell, J. A.; Petit, J. B.; Edgar, J. H.; Jenkins, I. G.; Matus, L. G.; Yang, J. W.; Pirouz, P.; Choyke, W. J.; Clemen, L.; Yoganathan, M. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 333
31. Steckl, A. J.; Roth, M. D.; Powell, J. A.; Larkin, D. J. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2545
32. Xie, Z. Y.; Chen, S. F.; Edgar, J. H.; Barghout, K.; Chaudhuri, J. Electrochem. Solid-State Lett. 2000, 3, 381
33. Crippa, D.; Valente, G. L.; Ruggerio, A.; Neri, L.; Reitano, R.; Calcagno, L.; Foti, G.; Maceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Abbondanza, G.; Abbagnate, G.; Veneroni, A.; Omari, F.; Zamolo, L.; Masi, M.; Roccaforte, F.; Giannazzo, F.; Di Franco, S.; La Via, F. Mater. Sci. Forum 2005, 483- 485, 67
34. Myers, R.; Kordina, O.; Shishkin, Z.; Rao, S.; Everly, R.; Saddow, S. E. Mater. Sci. Forum 2005, 483- 485, 73
35. La Via, F.; Galvano, G.; Firrincieli, A.; Roccaforte, F.; Di Franco, S.; Ruggiero, A.; Barbera, M.; Reitano, R.; Musumeci, P.; Calcagno, L.; Foti, G.; Mauceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Portuese, F.; Abbondanza, G.; Abagnale, G.; Valente, G. L.; Crippa, D. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 163
36. La Via, F.; Galvano, G.; Roccaforte, F.; Giannazzo, F.; Di Franco, S.; Ruggiero, A.; Reitano, R.; Calcagno, L.; Foti, G.; Mauceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Portuese, F.; Abbondanza, G.; Abbagnale, G.; Veneroni, A.; Omarini, F.; Zamolo, L.; Masi, M.; Valente, G. L.; Crippa, D. Microelectron. Eng. 2006, 83, 48
37. La Via, F.; Galvagno, G.; Foti, G.; Mauceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Abbondanza, G.; Veneroni, A.; Masi, M.; Valente, G. L.; Crippa, D. Chem. Vapor Deposition 2006, 12, 509
38. La Via, F.; Leone, S.; Mauceri, M.; Pistone, G.; Condorelli, G.; Abbondanza, G.; Portuese, F.; Galvagno, G.; Di Franco, S.; Calcagno, L.; Foti, G.; Valente, G. L.; Crippa, D. Mater. Sci. Forum 2007, 556- 557, 157
39. Calcagno, L.; Izzo, G.; Litrico, G.; Galvagno, G.; Firrincieli, A.; Di Franco, S.; Mauceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Condorelli, G.; Portuese, F.; Abbondanza, G.; Foti, G.; La Via, F. Mater. Sci. Forum 2007, 556- 557, 137
40. Pedersen, H.; Leone, S.; Henry, A.; Beyer, F. C.; Lundskog, A.; Janzén, E. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 89
41. Zhang, J.; Mazzola, J.; Sunkari, S.; Stewart, G.; Klein, P. B.; Ward, R. M.; Glaser, E.; Lew, K. K.; Gaskill, D. K.; Sankin, I.; Bondarenko, V.; Null, D.; Sheridan, D.; Mazzola, M. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 103
42. Leone, S.; Pedersen, H.; Henry, A.; Kordina, O.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2009, 311, 3265
43. Leone, S.; Beyer, F. C.; Pedersen, H.; Kordina, O.; Henry, A.; Janzén, E. Mater. Res. Bull. 2011, 46, 1272
44. Leone, S.; Pedersen, H.; Henry, A.; Kordina, O.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2009, 312, 24
45. Leone, S.; Beyer, F. C.; Pedersen, H.; Kordina, O.; Henry, A.; Janzén, E. Cryst. Growth Des. 2010, 10, 5334
46. Leone, S.; Henry, A.; Andersson, S.; Kordina, O.; Janzén, E. J. Electrochem. Soc. 2010, 157, H969
47. Leone, S.; Beyer, F. C.; Pedersen, H.; Andersson, S.; Henry, A.; Kordina, O.; Janzén, E. Thin Solid Films 2011, 519, 3074
48. Gao, Y.; Edgar, J. H.; Chaudhuri, J.; Cheema, S. N.; Sidorov, M. V.; Braski, D. N. J. Cryst. Growth 1998, 191, 439
49. Reyes, M.; Waits, M.; Harvey, S.; Shishkin, Y.; Geil, B.; Wolan, J. T.; Saddow, S. E. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 307
50. Nishino, S.; Takahashi, K.; Ishida, H.; Saraie, J. In Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III; Harris, G. L.; Spencer, M. G.; Yang, C. Y., Eds.; Springer: Berlin, 1992; p 295.
51. Nishino, S.; Tanaka, H.; Takahashi, K.; Saraie, J. In Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV; Tang, C. T.; Rahman, M. M.; Harris, G. L., Eds.; Springer: Berlin, 1992; pp 411-416.
52. Edgar, J. H.; Gao, Y.; Chaudhuri, J.; Cheema, S.; Casalnuovo, S. A.; Yip, P. W.; Sidorov, M. V. J. Appl. Phys. 1998, 84, 201
53. Matsunami, H.; Nishino, S.; Tanaka, T. J. Cryst. Growth 1978, 45, 138
54. Nishino, S.; Powell, J. A.; Will, H. A. Appl. Phys. Lett. 1983, 42, 460
55. Kong, H. S.; Glass, J. T.; Davis, R. F. J. Mater. Res. 1989, 4, 204
56. Nishino, K.; Kimoto, T.; Matsunami, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 5202
57. Neudeck, P. G.; Powell, A. J.; Trunek, A. J.; Huang, X. R.; Dudley, M. Mater. Sci. Forum 2002, 389- 393, 311
58. Chaudhuri, J.; Ignatiev, K.; Edgar, J. H.; Xie, Z. Y.; Gao, Y.; Rek, Z. Mater. Sci. Eng., B 2000, 76, 217
59. Leone, S.; Beyer, F. C.; Henry, A.; Kordina, O.; Janzén, E. Phys. Status Solidi RRL 2010, 4, 305
60. Pring, J. N.; Fielding, W. J. Chem. Soc., Trans. 1909, 95, 1497
61. Matsunami, H.; Nishino, S.; Odaka, M.; Tanaka, T. J. Cryst. Growth 1975, 31, 72
62. Nishino, S.; Matsunami, H.; Tanaka, T. J. Cryst. Growth 1978, 45, 144
63. Nishino, S.; Baraki, I.; Matsunami, H.; Tanaka, T. Jpn. J. Appl. Phys. 1980, 19, L353
64. Muench, W. V.; Pfaffeneder, I. Thin Solid Films 1976, 31, 39
65. Dhjanaraj, G.; Dudley, M.; Chen, Y.; Ragothamachar, B.; Wu, B.; Zhang, H. J. Cryst. Growth 2006, 287, 344
66. Dhjanaraj, G.; Chen, Y.; Dudley, M.; Zhang, H. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 67
67. Dhjanaraj, G.; Chen, Y.; Chen, H.; Cai, D.; Zhang, H.; Dudley, M. J. Electron. Mater. 2007, 36, 332
68. Kotamrjau, S.; Krishnan, B.; Koshka, Y. Phys. Status Solidi RRL 2010, 4, 145
69. Leone, S.; Mauceri, M.; Pistone, G.; Abbondanza, G.; Portuese, F.; Abagnale, G.; Valente, G. L.; Crippa, D.; Barbera, M.; Reitano, R.; Foti, G.; La Via, F. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 179
70. La Via, F.; Izzo, G.; Mauceri, M.; Pistone, G.; Condorelli, G.; Perdicaro, L.; Abbondanza, G.; Portuese, F.; Galvagno, G.; Di Franco, S.; Calcagno, L.; Foti, G.; Valente, G. L.; Crippa, D. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 123
71. La Via, F.; Izzo, G.; Camarda, M.; Abbondanza, G.; Crippa, D. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 55
72. Condorelli, G.; Mauceri, M.; Pistone, G.; Perdicaro, L. M. S.; Abbondanza, G.; Portuese, F.; Valente, G. L.; Crippa, D.; Giannazzo, F.; La Via, F. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 127
73. Chowdhury, I.; Chandrasekhar, M. V. S.; Klein, P. B.; Caldwell, J. D.; Sudarshan, T. J. Cryst. Growth 2011, 316, 60
74. MacMillan, M. F.; Loboda, M. J.; Chung, G.; Carlson, E.; Wan, J. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 175
75. Wan, J.; Loboda, M. J.; MacMillan, M. F.; Chung, G.; Carlson, E. P.; Torres, V. M. Mater. Sci. Forum 2007, 556- 557, 145
76. Furumura, Y.; Doki, M.; Mieno, F.; Eshita, T.; Suzuki, T.; Maeda, M. J. Electrochem. Soc. 1988, 135, 1255
77. Eshita, T.; Mieno, F.; Furumura, Y.; Itho, K. U.S. Patent 4855254, 1989.
78. Suzuki, A.; Furukawa, K.; Higashigaki, Y.; Harada, S.; Nakajima, S.; Inoguchi, T. J. Cryst. Growth 1984, 70, 287
79. Nagasawa, H.; Yagi, K.; Kawahara, T. J. Cryst. Growth 2002, 237- 239, 1244
80. Anzalone, R.; Severino, A.; DArrigo, G.; Bongiorno, C.; Fiorenza, P.; Foti, G.; Condorelli, G.; Mauceri, M.; Abbondanza, G.; La Via, F. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 243
81. Severino, A.; Anzalone, R.; Bongiorno, C.; Italia, M.; Abbondanza, G.; Camarda, M.; Perdicaro, L. M. S.; Condorelli, G.; Mauceri, M.; La Via, F. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 149
82. Severino, A.; Bongiorno, C.; Piluso, N.; Italia, M.; Camarda, M.; Mauceri, M.; Condorelli, G.; Di Stefano, M. A.; Cafra, B.; La Magna, A.; La Via, F. Thin Solid Films 2010, 518, S165
83. Anzalone, R.; Severino, A.; DArrigo, G.; Bongiorno, C.; Abbondanza, G.; Foti, G.; Saddow, S.; La Via, F. J. Appl. Phys. 2009, 105, 084910
84. Anzalone, R.; Locke, C.; Carballo, J.; Piluso, N.; Severino, A.; DArrigo, G.; Volinsky, A. A.; La Via, F.; Saddow, S. E. Mater. Sci. Forum 2010, 645- 648, 143
85. Ohshita, Y.; Ishitani, A. J. Appl. Phys. 1989, 66, 4535
86. Ohshita, Y. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 605
87. Wood, private communication.
88. Wu, J. J.; Yeh, S. H.; Su, C. T.; Hong, F. C. N. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 3254
89. Ikoma, K.; Yamanaka, M.; Yamaguchi, H.; Shichi, Y. J. Electrochem. Soc. 1991, 138, 3028
90. Koshka, Y.; Lin, H. D.; Melnychuk, G.; Mazzola, M. S.; Wyatt, J. L. Mater. Sci. Forum 2005, 483- 485, 81
91. Lin, H. D.; Wyatt, J. L.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 171
92. Koshka, Y.; Lin, H. D.; Melynchuk, G.; Wood, C. J. Cryst. Growth 2006, 294, 260
93. Koshka, Y.; Lin, H. D.; Melynchuk, G.; Wood, C. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 167
94. Lin, H. D.; Melnychuk, G.; Wyatt, J. L.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2007, 556- 557, 133
95. Melnychuk, G.; Lin, H. D.; Kotamrjau, S. P.; Koshka, Y. J. Appl. Phys. 2008, 104, 053517
96. Das, H.; Melnychuk, G.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 121
97. Das, H.; Melnychuk, G.; Koshka, Y. J. Cryst. Growth 2010, 312, 1912
98. Krishnan, B.; Das, H.; Lin, H. D.; Koshka, Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 262103
99. Krishnan, B.; Das, H.; Lin, H. D.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2007, 556- 557, 149
100. Das, H.; Krishnan, B.; Melynchuk, G.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 163
101. Schlichting, J. Powder Metall. Int. 1980, 12, 141
102. Regiani, I.; de Souza, M. F. Surf. Coat. Technol. 2003, 162, 131
103. Mi, J.; Johnson, R.; Lackey, W. J. J. Am. Ceram. Soc. 2006, 89, 519
104. Powell, J. A. J. Appl. Phys. 1969, 40, 4660
105. Vetter, W. M.; Huang, W.; Neudeck, P.; Powell, J. A.; Dudley, M. J. Cryst. Growth 2001, 224, 269
106. Allendorf, M. D.; Melius, C. F. J. Phys. Chem. 1993, 97, 720
107. Osterheld, T. H.; Allendorf, M. D.; Melius, C. F. J. Phys. Chem. 1994, 98, 6995
108. Papasouliotis, G. D.; Sotirchos, S. V. J. Electrochem. Soc. 1994, 141, 1599
109. Zeng, Q.; Su, K.; Zhang, L.; Xu, Y.; Cheng, L.; Yan, X. J. Phys. Chem. Ref. Data 2006, 35, 1385
110. Ge, Y.; Gordon, M. S.; Battaglia, F.; Fox, R. O. J. Phys. Chem. A 2007, 111, 1462
111. Ge, Y.; Gordon, M. S.; Battaglia, F.; Fox, R. O. J. Phys. Chem. A 2007, 111, 1475
112. Zhang, W. G.; Hüttinger, K. J. Chem. Vapor Deposition 2001, 7, 173
113. Bartlett, R. W.; Mueller, R. A. Mater. Res. Bull. 1969, 4, S341
114. Saidov, M. S.; Shamuratov, K. A.; Kadyrov, M. A. J. Cryst. Growth 1988, 87, 519
115. Zelenin, V. V.; Solovev, V. G.; Starobinets, S. M.; Konnikov, S. G.; Chelnokov, V. E. Semiconductors 1995, 29, 581
116. Lu, P.; Edgar, J. H.; Glembocki, O. J.; Klein, P. B.; Glaser, E. R.; Perrin, J.; Chaudhuri, J. J. Cryst. Growth 2005, 285, 506
117. Lu, P.; Edgar, J. H. J. Appl. Phys. 2007, 101, 054513
118. Pedersen, H.; Leone, S.; Henry, A.; Darakchieva, V.; Janzén, E. Surf. Coat. Technol. 2007, 201, 8931
119. Pedersen, H.; Leone, S.; Henry, A.; Beyer, F. C.; Darakchieva, V.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2007, 307, 334
120. Larkin, D. J. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 305
121. Kimoto, T.; Nishino, H.; Yoo, W. S.; Matsunami, H. J. Appl. Phys. 1993, 73, 726
122. Pedersen, H.; Leone, S.; Henry, A.; Beyer, F. C.; Darakchieva, V.; Janzén, E. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 115
123. Pedersen, H.; Leone, S.; Henry, A.; Darakchieva, V.; Carlsson, P.; Gällström, A.; Janzén, E. Phys. Status Solidi RRL 2008, 2, 188
124. Pedersen, H.; Leone, S.; Henry, A.; Lundskog, A.; Janzén, E. Phys. Status Solidi RRL 2008, 2, 278
125. Leone, S.; Pedersen, H.; Henry, A.; Kordina, O.; Janzén, E. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 107
126. Hassan, J.; Bergman, J. P.; Henry, A.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2010, 310, 4430
127. Nishino, S.; Saraie, J. Springer Proc. Phys. 1989, 34, 45
128. Chiu, C. C.; Desu, S. B.; Tsai, C. Y. J. Mater. Res. 1993, 8, 2617
129. Kunstmann, Th.; Angerer, H.; Knecht, J.; Veprek, S.; Mitzel, N. W.; Schmidbaur, H. Chem. Mater. 1995, 7, 1675
130. Kunstmann, Th.; Veprek, S.; Schmidbaur, H.; Bauer, A. Inst. Phys. Conf. Ser. 1996, 142, 213
131. Kunstmann, Th.; Veprek, S. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 3126
132. Veprek, S.; Kunstmann, Th.; Volm, D.; Meyer, B. K. J. Vac. Sci. Technol. A 1997, 15, 10
133. Hofmann, J.; Veprek, S. Thin Solid Films 1998, 318, 18
134. Hofmann, J.; Veprek, S.; Heindl, J. J. Appl. Phys. 1999, 85, 2652
135. Ivanova, L. M.; Aleksandrov, P. A.; Demakov, K. D.; Starostin, V. A.; Shemardov, S. G. Inorg. Mater. 2005, 41, 239
136. Sone, H.; Kaneko, T.; Miyakawa, N. J. Cryst. Growth 2000, 219, 245
137. Belle, M. L.; Prokofeva, N. K.; Reifman, M. B. Sov. Phys.- Semicond. 1967, 1, 315
138. Steckl, A. J.; Devrajan, J.; Tlali, S.; Jackson, H. E.; Tran, C.; Gorin, S. N.; Ivanova, L. M. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3824
139. Gorin, S. N.; Ivanova, L. M. Phys. Status Solidi B 1997, 202, 221
140. Jennings, V. J.; Sommer, A.; Chang, H. C. J. Electrochem. Soc. 1966, 113, 728
141. Campbell, R. B.; Chu, T. L. J. Electrochem. Soc. 1966, 113, 825
142. Kotamrjau, S.; Krishnan, B.; Koshka, Y. Phys. Status Solidi RRL 2009, 3, 157
143. Kotamrjau, S.; Krishnan, B.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2010, 645- 647, 103
144. Kotamrjau, S. P.; Melnychuk, G.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 97
145. Kotamraju, S.; Krishnan, B.; Melnychuk, G.; Koshka, Y. J. Cryst. Growth 2010, 312, 645
146. Kotamraju, S.; Krishnan, B.; Melnychuk, G.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2010, 645- 647, 111
147. Burk, A.; Rowland, L. B. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 382
148. Nordell, N.; Schöner, A.; Linnarsson, M. K. J. Electron. Mater. 1997, 26, 187
149. Reznik, B.; Gerthsen, D.; Zhang, W.; Hüttinger, K. J. J. Euro. Ceram. Soc. 2003, 23, 1499
150. Henry, A.; Leone, S.; Beyer, F. C.; Pedersen, H.; Kordina, O.; Andersson, S.; Janzén, E. Physica B 2011, doi: 10.1016/j.physb.2011.09.063.
151. Aradi, B.; Deák, P.; Son, N. T.; Janzén, E.; Choyke, W. J.; Devaty, R. P. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2746
152. Pedersen, H.; Beyer, F. C.; Hassan, J.; Henry, A.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2009, 311, 1321
153. Chindanon, K.; Lin, H. D.; Melnychuk, G.; Koskha, Y. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 159
154. Fanton, M.; Snyder, D.; Weiland, B.; Cavalero, R.; Polyakov, A.; Skowronski, M.; Chung, H. J. Cryst. Growth 2006, 287, 359
155. Krishnan, B.; Kotamraju, S. P.; Melnychuk, G.; Merrett, N.; Koshka, Y. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 581
156. Krishnan, B.; Kotamraju, S. P.; Melnychuk, G.; Das, H.; Merrett, J. N.; Koshka, Y. J. Electron. Mater. 2010, 39, 34
157. Pedersen, H.; Beyer, F. C.; Henry, A.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2009, 311, 3364
158. Fanton, M. A.; Weiland, B. E.; Redwing, J. M. J. Cryst. Growth 2008, 310, 4088
159. Hemmingsson, C.; Monemar, B.; Kumagai, Y.; Koukitu, Y. In Springer Handbook of Crystal Growth; Dhanaraj, G.; Byrappa, K.; Prasad, V.; Dudley, M., Eds.; Springer-Verlag: Berlin, 2010; pp 869-872.
160. Das, H.; Krishnan, B.; Kotamrjau, S. P.; Koshka, Y. J. Electron. Mater. 2010, 39, 534
161. Krishnan, B.; Kotamrjau, S.; Venkatesh, K. G.; Thirumalai, R.; Koshka, Y. J. Cryst. Growth 2011, 321, 8
162. Patrick, L.; Choyke, W. J. Phys. Rev. B 1972, 5, 3253
163. Beyer, F. C.; Pedersen, H.; Henry, A.; Janzén, E. Mater. Sci. Forum 2009, 615- 617, 373
164. Hemmingsson, C.; Son, N. T.; Kordina, O.; Bergman, J. P.; Janzén, E.; Lindström, J.; Savage, S.; Nordell, N. J. Appl. Phys. 1997, 81, 6155
165. Dalibor, T.; Pensl, G.; Matsunami, H.; Kimoto, T.; Choyke, W. J.; Schröner, A.; Nordell, N. Phys. Status Solidi A 1997, 162, 199
166. Calcagno, L.; Izzo, G.; Litrico, G.; Foti, G.; La Via, F.; Galvagno, G.; Mauceri, M.; Leone, S. J. Appl. Phys. 2007, 102, 043523
167. Danno, K.; Hori, T.; Kimoto, T. J. Appl. Phys. 2007, 101, 053709
168. Storasta, L.; Carlsson, F. H. C.; Sridhara, S. G.; Bergman, J. P.; Henry, A.; Egilsson, T.; Hallén, A.; Janzén, E. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 46
169. Tairov, Y. M.; Tsvetkov, V. F. J. Cryst. Growth 1978, 43, 209
170. Fanton, M.; Skowronski, M.; Snyder, D.; Chung, H. J.; Nigam, S.; Weiland, B.; Huh, S. W. Mater. Sci. Forum 2004, 457- 460, 87
171. Leone, S.; Beyer, F. C.; Henry, A.; Hemmingsson, C.; Kordina, O.; Janzén, E. Cryst. Growth Des. 2010, 10, 3743
172. Chaussende, D.; Baillet, F.; Charpentier, L.; Pernot, E.; Pons, M.; Madar, R. J. Electrochem. Soc. 2003, 150, G653
173. Auvray, L.; Chaussende, D.; Baillet, F.; Charpentier, L.; Pons, M.; Madar, R. Mater. Sci. Forum 2004, 457- 460, 135
174. Nigam, S.; Chung, H. J.; Polyakov, A. Y.; Fanton, M. A.; Weiland, B. E.; Snyder, D. W.; Skowronski, M. J. Cryst. Growth 2005, 284, 112
175. Nigam, S.; Chung, H. J.; Huh, S. W.; Grim, J.; Polyakov, A. Y.; Fanton, M. A.; Weiland, B.; Snyder, D. W.; Skowronski, M. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 27
176. Polyakov, A. Y.; Fanton, M. A.; Skowronski, M.; Chung, H. J.; Nigam, S.; Huh, S. W. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 21
177. Chung, H. J.; Polyakov, A. Y.; Huh, S. W.; Nigam, S.; Skowronski, M.; Fanton, M. A.; Weiland, B. E.; Snyder, D. W. J. Appl. Phys. 2005, 97, 084913
178. Huh, S. W.; Chung, H. J.; Nigam, S.; Polyakov, A. Y.; Li, Q.; Skowronski, M.; Glaser, E. R.; Carlos, W. E.; Shanabrook, B. V.; Fanton, M. A.; Smirnov, N. B. J. Appl. Phys. 2006, 99, 013508
179. Fanton, M. A.; Weiland, B. E.; Snyder, D. W.; Redwing, J. M. J. Appl. Phys. 2007, 101, 014903
180. Huh, S. W.; Polyakov, A. Y.; Chung, H. J.; Nigam, S.; Skowronski, M.; Glaser, E. R.; Carlos, W. E.; Fanton, M. A.; Smirnov, N. B. Mater. Sci. Forum 2006, 527- 529, 497
181. Zvanut, M. E.; Ngetich, G.; Chung, H. J.; Polyakov, A. Y.; Skowronski, M. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2007, 19, 678
182. Danielsson, Ö.; Henry, A.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2002, 243, 170
183. Danielsson, Ö.; Forsberg, U.; Janzen, E. J. Cryst. Growth 2003, 250, 471
184. Meziere, J.; Ucar, M.; Blanquet, E.; Pons, M.; Ferret, P.; Di Cioccio, L. J. Cryst. Growth 2004, 267, 436
185. Veneroni, A.; Omarini, F.; Moscatelli, D.; Masi, M.; Leone, S.; Mauceri, M.; Pistone, G.; Abbondanza, G. J. Cryst. Growth 2005, 275, e295
186. Nishizawa, S.; Pons, M. Chem. Vapor Deposition 2006, 12, 516
187. Veneroni, A.; Masi, M. Chem. Vapor Deposition 2006, 12, 562
188. Veneroni, A.; Masi, M. Electrochem. Soc. Trans. 2007, 2, 11
189. Masi, M.; Veneroni, A.; Fiorucci, A.; La Via, F.; Foti, G.; Mauceri, M.; Leone, S.; Pistone, G.; Condorelli, G.; Abbondanza, G.; Valente, G. L.; Crippa, D. Mater. Sci. Forum 2007, 556- 557, 93
190. Veneroni, A.; Omarini, F.; Masi, M. Cryst. Res. Technol. 2005, 40, 967
191. Fiorucci, A.; Moscatelli, D.; Masi, M. Surf. Coat. Technol. 2007, 201, 8825
192. Nishizawa, S. J. Cryst. Growth 2009, 311, 871
193. Wang, R.; Ma, R. J. Cryst. Growth 2007, 308, 189
194. Wang, R.; Ma, R. J. Cryst. Growth 2008, 310, 4248
195. Wang, R.; Ma, R. J. Thermophys. Heat Transfer 2008, 22, 555
196. Wang, R.; Ma, R.; Dudley, M. Ind. Eng. Chem. Res. 2009, 48, 3860
197. Makarov, Y. N.; Talalaev, R. A.; Vorobev, A. N.; Ramm, M. S.; Bogdanov, M. V. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 51
198. Kitou, Y.; Makino, E.; Inaba, K.; Hosokawa, N.; Hiramatsu, H.; Hasegawa, J.; Onda, S.; Tsuboi, H.; Takaba, H.; Miyamoto, A. Mater. Sci. Forum 2009, 600- 603, 47
199. Valente, G.; Cavallotti, C.; Masi, M.; Carrà, C. J. Cryst. Growth 2001, 230, 247
200. Nishizawa, S. Previously unpublished data.
201. Masi, M.; Fiorucci, A.; Camarda, M.; La Magna, A.; La Via, F. Thin Solid Films 2010, 518, S6
202. Hallin, C.; Ivanov, I. G.; Egilsson, T.; Henry, A.; Kordina, O.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 1998, 183, 163
203. Matsunami, H.; Kimoto, T. Mater. Sci. Eng. R 1997, 20, 125
204. Stahlbush, R. E.; Van Mil, B. L.; Myers-Ward, R. L.; Lew, K. K.; Gaskill, D. K.; Eddy, C. R. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 041916
205. Kimoto, T.; Itoh, A.; Matsunami, H.; Okano, T. J. Appl. Phys. 1997, 81, 3494
206. Hassan, J.; Bergman, J. P.; Henry, A.; Janzén, E. J. Cryst. Growth 2008, 310, 4424
207. Kojima, K.; Okumura, H.; Kuroda, S.; Arai, K. J. Cryst. Growth 2004, 269, 367
208. Kordina, O.; Hallin, C.; Glass, R. C.; Henry, A.; Janzén, E. Inst. Phys. Conf. Ser. 1994, 137, 41
209. Burk, A. A. Talk given during International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM), 11- 16 September 2011, Cleveland, OH, USA.