Step-controlled epitaxial growth of high-quality SiC layers

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 202, Issue 1, 1997, Pages 247-262

  Kimoto, T ^a   Itoh, A ^a   Matsunami, H ^a  

^a KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0031514277     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3951(199707)202:1<247::AID-PSSB247>3.0.CO;2-Q     Document Type: Article

References (66)

1. M. BHATNAGAR and B. J. BALIGA, IEEE Trans. Electron Devices 40, 645 (1993).
2. V. J. JENNINGS, A. SOMMER, and H. CHANG, J. Electrochem. Soc. 113, 728 (1966).
3. W. VON MUENCH and I. PHAFFENEDER, Thin Solid Films 31, 39 (1976).
4. S. YOSHIDA, E. SAKUMA, H. OKUMURA, S. MISAWA, and K. ENDO, J. Appl. Phys. 62, 303 (1987).
5. N. KURODA, K. SHIBAHARA, W. S. YOO, S. NISHINO, and H. MATSUNAMI, Extended Abstracts 34th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics and Related Societies, Tokyo, 1987 (p. 135) (in Japanese).
6. N. KURODA, K. SHIBAHARA, W. S. YOO, S. NISHINO, and H. MATSUNAMI, Extended Abstracts 19th Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987 (p. 227).
7. H. S. KONG, J. T. GLASS, and R. F. DAVIS, J. Appl. Phys. 64, 2672 (1988).
8. J. A. POWELL, D. J. LARKIN, L. G. MATUS, W. J. CHOYKE, J. L. BRADSHAW, L. HENDERSON, M. YOGANATHAN, J. YANG, and P. PIROUZ, Appl. Phys. Lett. 56, 1442 (1990).
9. S. KARMANN, W. SUTTROP, A. SCHÖNER, M. SCHADT, C. HABERSTROH, F. ENGELBRECHT, R. HELBIG, and G. PENSL, J. Appl. Phys. 72, 5437 (1992).
10. O. KORDINA, A. HENRY, C. HALLIN, R. C. GLASS, A. O. KONSTANTINOV, C. HEMMINGSSON, N. T. SON, and E. JANZÉN, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339, 405 (1994).
11. A. A. BURK, JR., D. L. BARRETT, H. M. HOBGOOD, R. R. SIERGIEJ, T. T. BRAGGINS, R. C. CLARKE, G. W. ELDRIDGE, C. D. BRANDT, D. J. LARKIN, J. A. POWELL, and W. J. CHOYKE, Silicon Carbide and Related Materials, Eds. M. G. SPENCER, R. P. DEVATY, J. A. EDMOND, M. A. KHAN, R. KAPLAN, and M. M. RAHMAN, Institute of Physics, Bristol, 1994 (p. 29).
12. R. RUPP, P. LANIG, J. VOLKEL, and D. STEPHANI, J. Cryst. Growth 146, 37 (1995).
13. N. NORDELL, S. G. ANDERSSON, and A. SCHÖNER, Silicon Carbide and Related Materials, 1995, Eds. S. NAKASHIMA, H. MATSUNAMI, S. YOSHIDA, H. HARIMA, Institute of Physics, Bristol, 1996 (p. 81).
14. S. NAKASHIMA, H. MATSUNAMI, S. YOSHIDA, H. HARIMA (Eds.), Silicon Carbide and Related Materials, 1995, Institute of Physics, Bristol, 1996 (Chapter 4).
15. W. VON MUENCH and I. PFAFFENEDER, J. Electrochem. Soc. 122, 642 (1975).
16. A. SUZUKI, H. ASHIDA, N. FURUI, K. MAMENO, and H. MATSUNAMI, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 579 (1982).
17. H. MATSUNAMI, T. UEDA, and H. NISHINO, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 162, 397 (1990).
18. V. HEINE, C. CHENG, and R. J. NEEDS, J. Amer. Ceram. Soc. 74, 2030 (1991).
19. W. S. YOO and H. MATSUNAMI, Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, Eds. C. Y. YANG, M. M. RAHMAN, and G. L. HARRIS, Springer-Verlag, Berlin 1992 (p. 66).
20. A. R. VERMA and P. KRISHNA (Eds.), Polymorphism and Polytypism in Crystals, John Wiley & Sons, Inc., New York 1966.
21. A. ITOH, H. AKITA, T. KIMOTO, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 65, 1400 (1994).
22. T. KIMOTO, Doctoral Thesis, Kyoto University, 1995.
23. YU. M. TAIROV, V. F. TSVETKOV, S. K. LILOV, and G. K. SAFARALIEV, J. Cryst. Growth 36, 147 (1976).
24. J. A. POWELL, J. B. PETIT, J. H. EDGAR, I. G. JENKINS, L. G. MATUS, J. W. YANG, P. PIROUZ, W. J. GHOYKE, L. CLEMEN, and M. YOGANATHAN, Appl. Phys. Lett. 59, 333 (1991).
25. C. HALLIN, A. O. KONSTANTINOV, O. KORDINA, and E. JANZÉN, see [13] (p. 85).
26. Y. MATSUSHITA, T. NAKATA, T. UETANI, T. YAMAGUCHI, and T. NIINA, Jpn. J. Appl. Phys. 29, L343 (1990).
27. T. UEDA, H. NISHINO, and H. MATSUNAMI, J. Cryst. Growth 104, 695 (1990).
28. S. KARMANN, C. HABERSTROH, F. ENGELBRECHT, W. SUTTROP, A. SCHÖNER, M. SCHADT, R. HELBIG, G. PENSL, R. A. STEIN, and S. LEIBENZEDER, Physica 185B, 75 (1993).
29. M. D. ALLENDORF and R. J. KEE, J. Electrochem. Soc. 138, 841 (1991).
30. C. D. STINESPRING and J. C. WOHMHOUDT, J. Cryst. Growth 87, 481 (1988).
31. A. O. KONSTANTINOV, C. HALLIN, O. KORDINA, and E. JANZÉN, J. Appl. Phys. 80, 5704 (1996).
32. A. A. BURK, JR. and L. B. ROWLAND, J. Cryst. Growth 167, 586 (1996).
33. T. KIMOTO, H. NISHINO, W. S. YOO, and H. MATSUNAMI, J. Appl. Phys. 73, 726 (1993).
34. H. S. KONG, J. T. GLASS, and R. F. DAVIS, J. Mater. Res. 4, 204 (1989).
35. T. KIMOTO and H. MATSUNAMI, J. Appl. Phys. 76, 7322 (1994).
36. H. MATSUNAMI and T. KIMOTO, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339, 369 (1994).
37. B. WESSELS, H. C. GATOS, and A. F. WITT, Sillicon Carbide, 1973, Eds. R. C. MARSHALL, J. W. FAUST, JR., and C. E. RYAN, University of South Carolina Press, Columbia, 1974 (p. 25).
38. F. C. EVERSTEYN, P. J. W. SEVERIN, C. H. J. V. D. BREKEL, and H. L. PEEK, J. Electrochem. Soc. 117, 925 (1970).
39. W. K. BURTON, N. CABRERA, and F. C. FRANK, Phil. Trans. Roy. Soc. A243, 299 (1951).
40. T. KIMOTO and H. MATSUNAMI, J. Appl. Phys. 75, 850 (1994).
41. J. A. POWELL, D. J. LARKIN, and P. B. ABEL, J. Electronic Mater. 24, 295 (1995).
42. T. KIMOTO, A. ITOH, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 66, 3645 (1995).
43. S. TANAKA, R. C. KERN, R. F. DAVIS, J. F. WENDELKEN, and J. WU, Surf. Sci. 350, 247 (1996).
44. J. A. POWELL, D. J. LARKIN, P. B. ABEL, L. ZHOU, and P. PIROUZ, see [13] (p. 77).
45. C. HERRING, Phys. Rev. 82, 87 (1951).
46. W. A. TILLER, The Science of Crystallization: Microscopic Interfacial Phenomena. Chap. 2. Cambridge University Press, Cambridge 1991.
47. T. TAKAI, T. HALICIOGLU, and W. A. TILLER, Surf. Sci. 164, 341 (1985).
48. S. TYC, see [11] (p. 333).
49. S. TANAKA, R. S. KERN, and R. F. DAVIS, Appl. Phys. Lett. 65, 2851 (1994).
50. T. KIMOTO, A. ITOH, H. MATSUNAMI, and T. OKANO, J. Appl. Phys. 81, 3494 (1997).
51. V. F. TSVETKOV, S. T. ALLEN, H. S. KONG, and C. H. CARTER, JR., see [13] (p. 17).
52. L. L. CLEMEN, R. P. DEVATY, M. F. MACMILLAN, M. YOGANATHAN, W. J. CHOYKE, D. J. LARKIN, J. A. POWELL, J. A. EDMOND, and H. S. KONG, Appl. Phys. Lett. 62, 2953 (1993).
53. S. JANG, T. KIMOTO, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 65, 581 (1994).
54. T. DALIBOR, G. PENSL, T. KIMOTO, H. MATSUNAMI, S. SRIDHARA, R. P. DEVATY, and W. J. CHOYKE, presented at the 1st Enrop. Conf. Silicon Carbide and Related Materials. Crete, 1996.
55. M. M. ANIKIN, A. N. ANDREEV, A. A. LEBEDEV, S. N. PYATKO, M. G. RASTEGAEVA, N. S. SAVKINA, A. M. STREL'CHUK, A. L. SYRKIN, and V. E. CHELNOKOV, Soviet Phys. -Semicond. 25, 198 (1991).
56. T. DALIBOR, C. PEPPERMÜLLER, G. PENSL, S. SKIDHARA, R. P. DEVATY, W. J. CHOYKE, A. ITOH, T. KIMOTO, and H. MATSUNAMI, see [13] (p. 517).
57. Y. C. WANG, R. F. DAVIS, and J. A. EDMOND, J. Electronic Mater. 20, 289 (1991).
58. D. J. LARKIN, P. G. NEUDECK, J. A. POWELL, and L. G. MATUS, Appl. Phys. Lett. 65, 1659 (1994).
59. T. KIMOTO, A. ITOH, and H. MATSUNAMI, Appl. Phys. Lett. 67, 2385 (1995).
60. 85 (1995).
61. W. J. SCHAFFER, G. H. NEGLEY, K. G. IRVINE, and J. W. PALMOUR, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 339, 595 (1994).
62. M. SCHADT, G. PENSL, R. P. DEVATY, W. J. CHOYKE, R. STEIN, and D. STEPHANI, Appl. Phys. Lett. 65, 3120 (1994).
63. T. KIMOTO and H. MATSUNAMI, J. Appl. Phys. 78, 3132 (1995).
64. A. SCHÖNER, N. NORDELL, K. ROTTNER, R. HELBIG, and G. PENSL, see [13] (p. 493).
65. V. I. FISTUL, Heavily Doped Semiconductors, Plenum Press, New York 1969.
66. T. KIMOTO, A. ITOH, O. TAKEMURA, S. KOBAYASHI, and H. MATSUNAMI, Extended Abstracts 38th Electron. Mater. Conf., Santa Barbara, 1996 (p. 19).