Plasma-Aided Nanofabrication: From Plasma Sources to Nanoassembly

Plasma-Aided Nanofabrication: From Plasma Sources to Nanoassembly

Volumn , Issue , 2007, Pages 1-300

  Ostrikov, Kostya Ken ^a   Xu, Shuyan ^b  

^a UNIVERSITY OF SYDNEY   (Australia)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34247589345     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Book    
DOI: 10.1002/9783527611553     Document Type: Book

References (496)

1. Advances in Low Temperature RF Plasmas:Basis for Process Design, edited by T. Makabe (Elsevier, Amsterdam, 2002).
2. Ionized Physical Vapor Deposition, edited by J. A. Hopwood (Academic Press, San Diego, 2001).
3. Handbook of Plasma Immersion Ion Implantation and Deposition, edited by A. Anders (Wiley Canada, Montreal, 2000).
4. Dusty Plasmas: Physics, Chemistry, and Technological Impacts in Plasma Processing, edited by A. Bouchoule (Wiley, Chichester, UK, 1999).
5. F. F. Chen and J. P. Chang, Principles of Plasma Processing: A Lecture Course (Kluwer, Amsterdam, 2002).
6. Nanoparticles and Nanostructured Films:Preparation, Characterization and Applications, edited by J. H. Fendler (Wiley-VCH, Weinheim, 1998).
7. Nano-Architectured and Nanostructured Materials:Fabrication, Control and Properties, edited by Y. Champion and H.-J. Fecht (Wiley-VCH,Weinheim, 2004).
8. G. Schmid, Nanoparticles: From Theory to Application (Wiley, New York, 2004).
9. S. Reich, Carbon Nanotubes: Basic Concepts and Physical Properties (Wiley, New York, 2004).
10. Encyclopedia of Nanoscience and NanotechnologyTM, edited byH. S. Nalwa (American Scientific Publishers, New York, 2004).
11. S. V. Vladimirov, K. Ostrikov, and S. Samarian, Physics and Applications of Complex Plasmas (Imperial College Press, Singapore, London, 2005).
12. International Technology Roadmap for Semiconductors, http://www.itrs.net
13. S. Iijima, Nature (London) 354, 56 (1991).
14. F. F. Chen, Introduction to Plasma Physics and Controlled Fusion (Plenum, New York, 1984).
15. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994).
16. A. Fridman and L. A. Kennedy, Plasma Physics and Engineering (Taylor & Francis, New York, 2004).
17. D. A. Gurnett and A. Bhattacharjee, Introduction to Plasma Physics With Space and Laboratory Applications (Cambridge University Press, Cambridge, New York, 2005).
18. A. von Engel, Ionized Gases (Clarendon, Oxford, UK, 1955).
19. A. M. Howatson, An Introduction to Gas Discharges (Pergamon, Oxford, UK, 1976).
20. Y. P. Raizer, Gas Discharge Physics (Springer, Berlin, 1991).
21. I. Levchenko, K. Ostrikov, M. Keidar, and S. Xu, J. Appl. Phys. 98, 064304 (2005).
22. I. Levchenko, K. Ostrikov, M. Keidar, and S. Xu, Appl. Phys. Lett. 89, 033109 (2006).
23. E. Tam, I. Levchenko, and K. Ostrikov, J. Appl. Phys. 100, 036104 (2006).
24. I. Levchenko, K. Ostrikov, and E. Tam, Appl. Phys. Lett. 89, 223108 (2006).
25. M. C. Roco, S.Williams, and A. P. Alivisatos, Nanotechnology Research Directions:Vision for Nanotechnology Research and Development in the next Decade (Kluwer, Amsterdam, 1999). See also:US National Nanotechnology Initiative, http://www.nano.gov.
26. R. P. Feynman, There is Plenty of Room at the Bottom, Paper presented at the American Physical Society Annual Meeting, 29 December 1959. Reprinted in: Miniaturization, edited byH. D. Gilbert (Reinhold, New York, 1961). See also http://www. zyvex.com/nanotech/feynman.html.
27. E. Harvey, B. Innes, G. Smith, C. Jagadish, M. Barber, M. Lu, S. Longstaff, F. Caruso, and R. Rose, Options for a National Nanotechnology Strategy, Report of the National Nanotechnology Strategy Taskforce (Ministry of Industry, Tourism and Resources of Australia, Canberra, 2006).
28. M. J. Pitkethly, Nano Today 6, 36 (2003).
29. C. P. Poole and F. J. Owens, Introduction to Nanotechnology (Wiley, New York, 2003).
30. V. Shchukin, N. N. Ledentsov, andD. Bimberg, Epitaxy of Nanostructures (Springer, Berlin/Heidelberg, 2003).
31. P. Mulvaney, MRS Bulletin 6, 1009 (2001).
32. M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, and P. C. Eklund, Science of Fullerenes and Carbon Nanotubes (Academic Press, New York, 1996).
33. G. Seifert, Nature Mater. 3, 77 (2004).
34. A. Kasuya et al., Nature Mater. 3, 99 (2004).
35. B. Gilbert, F. Huang, H. Zhang, G. Waychunas, and J. F. Banfield, Science 305, 651 (2004).
36. K. Ostrikov, Rev. Mod. Phys. 77, 489 (2005).
37. N. M. Hwang and D. Y. Kim, Int. Mater. Rev. 49, 171 (2004).
38. N. Chaabane, A. V. Kharchenko, H. Vach, and P. Roca i Cabarrocas, New J. Phys. 3, 37.1 (2003).
39. N. Chaabane, P. Roca i Cabarrocas, H. Vach, J. Non-Cryst. Solids 338-340, 51 (2004).
40. A. Fontcuberta i Morral and P. Roca i Cabarrocas, Thin Solid Films 383, 161 (2001).
41. A. Fontcuberta i Morral, P. Rocai Cabarrocas, and C. Clerc, Phys. Rev. B 69, 125307 (2004).
42. Y. Poissant, P. Chatterjee, and P. Roca i Cabarrocas, J. Appl. Phys. 94, 7305 (2003).
43. P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, S. N. Sharma, G. Viera, E. Bertran, and J. Costa, J. Non-Cryst. Sol. 227-230, 871 (1998).
44. P. Roca i Cabarrocas, N. Chaabane, A. V. Kharchenko, and S. Tchakarov, Plasma Phys. Control. Fusion 46, B235 (2004).
45. V. Suendo, A. Kharchenko, and P. Roca i Cabarrocas, Thin Solid Films 451-452, 259 (2004).
46. G. Viera, M. Mikikian, E. Bertran, P. Roca i Cabarrocas, and L. Boufendi, J. Appl. Phys. 92, 4684 (2002).
47. S. Thompson, C. R. Perrey, C. B. Carter, T. J. Belich, J. Kakalios, and U. Kortshagen, J. Appl. Phys. 97, 034310 (2005).
48. M. Tanda, M. Kondo, and A. Matsuda, Thin Solid Films 427, 33 (2003).
49. M. Shiratani, S. Maeda, K. Koga, and Y.Watanabe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 287 (2000).
50. M. Shiratani, K. Koga, and Y.Watanabe, Thin Solid Films 427, 1 (2003).
51. L. Boufendi, W. Stoffels, and E. Stoffels, in Dusty Plasmas: Physics, Chemistry and Technological Impacts in Plasma Processing, edited by A. Bouchoule (Wiley, New York, 1999), p.181-303.
52. S. V. Vladimirov and K. Ostrikov, Phys. Repts 393, 175 (2004), and the references therein.
53. R. Ghidini, C. H. J. M. Groothuis, M. Sorokin, G. M.W. Kroesen, and W.W. Stoffels, Plasma Sources Sci. Technol. 13, 143 (2004).
54. C. Hollenstein, Plasma Phys. Control. Fusion 42, R93 (2000).
55. A. Bapat, C. R. Perrey, S.A. Campbell, C. B. Carter, and U. Kortshagen, J. Appl. Phys. 94, 1969 (2003).
56. U. V. Bhandarkar,M. T. Swihart, S. L. Girshik, and U. Kortshagen, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 2731 (2000).
57. S. M. Suh, S. L. Girshik, U. R. Kortshagen, and M. R. Zachariah, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 251 (2003).
58. A. Bapat, C. Anderson, C. R. Perrey, C. B. Carter, S. A. Campbell, and U. Kortshagen, Plasma Phys. Control. Fusion 46, B97 (2004).
59. Z. Shen, T. Kim, U. Kortshagen, P.Mc-Murry, and S. Campbell, J. Appl. Phys. 94, 2277 (2003).
60. L. Mangolini, E. Thimsen, and U. Kortshagen, Nano Lett. 5, 655 (2005).
61. A. S. Barnard and P. Zapol, J. Chem. Phys. 121, 4276 (2004).
62. D. M. Gruen, P. C. Redfern, D. A. Horner, P. Zapol, and L. A. Curtis, J. Phys. ChemB 103, 5459 (1999).
63. D. M. Gruen, MRS Bulletin 6, 771 (2001).
64. S. Stoykov, C. Eggs, and U. Kortshagen, J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 2160 (2001).
65. G. Gebauer and J. Winter, New J. Phys. 5, 38.1 (2003).
66. S. Hong, I. Stefanovic, J. Berndt, and J. Winter, Plasma Sources Sci. Technol. 12, 46 (2003).
67. E. Kovacevic, I. Stefanovic, J. Berndt, and J. Winter, J. Appl. Phys. 93, 2924 (2003).
68. M. C. Barnes, A. R. Gerson, S. Kumar, L. Green, and N. M. Hwang, Thin Solid Films 436, 181 (2003).
69. M. C. Barnes, A. R. Gerson, S. Kumar, and N. M. Hwang, Thin Solid Films 446, 29 (2004).
70. M. C. Barnes, S. Kumar, L. Green, N. M. Hwang, and A. R. Gerson, Surf. Coat. Technol. 190, 321 (2005).
71. D. Hash, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 93, 750 (2003).
72. M. Meyyappan, L. Delzeit, A. Cassell, and D. Hash, Plasma Sources Sci. Technol. 12, 205 (2003), and the references therein.
73. C. L. Tsai, C. W. Chao, C. L. Lee, andH. C. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 3462 (1999).
74. C. L. Tsai, C. F. Chen, and L. K.Wu,Appl. Phys. Lett. 81, 721 (2002).
75. S. Hofmann, C. Dukati, J. Robertson, and B. Kleinsorge, Appl. Phys. Lett. 83, 135 (2003).
76. K. B. K. Teo, D. B. Hash, R. G. Lacerda, N. L. Rupesinghe, M. S. Bell, S. H. Dalal, D. Bose, T. R. Govindan, B. A. Cruden, M. Chhowalla, G. A. J. Amaratunga, M. Meyyappan, and W. I. Milne, Nano Lett. 4, 921 (2004).
77. C. Bower,W. Zhu, S. Jin, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 77, 830 (2000).
78. L. Delzeit, I. McIninch, B. A. Cruden, D. Hash, B. Chen, J. Han, and M. Meyyappan, J. Appl. Phys. 91, 6027 (2002).
79. M. Chhowalla, K. B. K. Teo, C. Ducati, N. L. Rupersinghe, G. A. J. Amaratunga, A. C. Ferrari, D. Roy, J. Robertson, andW. I. Milne, J. Appl. Phys. 90, 5308 (2001).
80. V. I.Merkulov, A. V. Melechko, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, Appl. Phys. Lett. 76, 3555 (2000).
81. V. I.Merkulov, A. V. Melechko, M. A. Guillorn, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, Appl. Phys. Lett. 79, 2970 (2001).
82. A. V. Melechko, V. I. Merkulov, T. E. McKnight, M. A. Guillorn, K. L. Klein, D. H. Lowndes, and M. L. Simpson, J. Appl. Phys. 97, 041301 (2005).
83. J. F. AuBuchon, L-H.Chen, and S. Jin, J. Phys. Chem. B 109, 6044 (2005).
84. I. Levchenko and K. Ostrikov, J. Phys. D:Appl. Phys., 40, 2308 (2007).
85. M. Yan, H. T. Zhang, E. J. Widjaja, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 94, 5240 (2003).
86. J. Shieh, T. S. Ko, H. L. Chen, B. T. Dai, and T. C. Chu, Chem. Vapor Depos. 10, 265 (2004).
87. Y. J. T. Lii, Etching, in ULSI Technology, edited by C. Y. Chang and S. M. Sze (McGraw-Hill, New York, 1996), pp. 329-370.
88. G. S. Oehrlein, Plasma Processing of Electronic Materials (Springer, Berlin, 2003).
89. K. Ostrikov, Sing. J. Phys. 19, 1 (2003), and the references therein.
90. H. Sugai, T. H. Ahn, I. Ghanashev, M. Goto, M. Nagatsu, K. Nakamura, K. Suzuki, and H. Toyoda, Plasma Phys. Control. Fusion 39, A445 (1997).
91. S. Xu, K. N. Ostrikov,W. Luo, and S. Lee, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 2185 (2000).
92. K.N.Ostrikov, S. Xu, andM. Y. Yu, J. Appl. Phys. 88, 2268 (2000).
93. S. Xu, K. N. Ostrikov, Y. Li, E. L. Tsakadze, and I. R. Jones, Phys. Plasmas 8, 2549 (2001).
94. K. N. Ostrikov, S. Xu, and A. B. M. Shafiul Azam, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 251 (2002).
95. K. N. Ostrikov, I. B. Denysenko, E. L. Tsakadze, S. Xu, and R. G. Storer, J. Appl. Phys. 92, 4935 (2002).
96. K.Ostrikov, E. Tsakadze,N. Jiang, Z. Tsakadze, J. Long, R. Storer, and S. Xu, IEEE Trans. Plasma Sci. 30, 128 (2002).
97. K.Ostrikov, E. Tsakadze, S. Xu, S. V. Vladimirov, and R. Storer, Phys. Plasmas 10, 1146 (2003).
98. M. Tuszewski, Phys. Plasmas 5, 1198 (1998).
99. H. Sugai, K. Nakamura, and K. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 33, 2189 (1994).
100. K. Suzuki, K. Nakamura, H. Ohkubo, and H. Sugai, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 13 (1998).
101. M. Tuszewski, IEEE Trans. Plasma Sci. 27, 68 (1999).
102. I. El-Fayoumi and I. R. Jones, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 162 (1998).
103. I. El-Fayoumi and I. R. Jones, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 179 (1998).
104. J. Hopwood, Plasma Sources Sci. Technol. 1, 1009 (1992).
105. J. H. Keller, Plasma Sources Sci. Technol. 5, 166 (1996).
106. J. H. Keller, Plasma Phys. Control. Fusion 39, A437 (1997).
107. V. A. Godyak, R. B. Piejak, B. M. Alexandrovich, and V. I. Kolobov, Phys. Plasmas 6, 1804 (1999).
108. Y.Wu and M. A. Lieberman, Appl. Phys. Lett. 72, 777 (1998).
109. C. Chakrabarty, Ph.D. thesis, The Flinders University of South Australia (1996).
110. U. Kortshagen, N. D. Gibson, and J. E. Lawler, J. Phys. D.: Appl. Phys. 29, 1224 (1996).
111. R. B. Piejak and V. A. Godyak, Appl. Phys. Lett. 76, 2188 (2000).
112. N. A. Azarenkov and K. N. Ostrikov, Phys. Reports 308, 333 (1999).
113. T. H. Chung, H. J. Yoon, and D. C. Seo, J. Appl. Phys. 86, 3536 (1999).
114. E. Tatarova, F. M. Dias, C.M. Ferreira, and A. Ricard, J. Appl. Phys. 85, 49 (1999).
115. E. Tatarova, F. M. Dias, C.M. Ferreira, V. Guerra, J. Loureiro, E. Stoykova, I. Ghanashev, and I. Zhelyazkov, J. Phys. D: Appl. Phys. 30, 2663 (1997).
116. B.Gordiets, C.M. Ferreira, J.Nahorny, D. Pagnon, M. Touzeau, and M. Vialle, J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 1021 (1996).
117. M. J. Baldwin, G. A. Collins, M. P. Fewell, S. C.Haydon, S. Kumar, K. T. Short, and J. Tendys, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 4941 (1997).
118. J. R. Tynan, J. Appl. Phys. 86, 5356 (1999).
119. I. P. Herman, Optical Diagnostics for Thin Film Processing (Academic Press, New York, 1996).
120. CRC Handbook of Chemistry and Physics, edited by D. R. Lide, 78th edition (CRC Press, New York, 1997).
121. R.W. B. Pearse and A. G. Gaydon, The Identification of Molecular Spectra, 4th edition (Wiley, New York, 1976).
122. I.M. El-Fayoumi, I. R. Jones, andM.M. Turner, Plasma Sources Sci. Technol.. 7, 3082 (1998).
123. K. Suzuki, K. Nakamura, H. Ohkubo, and H. Sugai, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 13 (1998).
124. G. Cunge, B. Crowley, D. Vender, and M. M. Turner, Plasma Sources Sci. Technol. 8, 576 (1999).
125. M. M. Turner and M. A. Lieberman, Plasma Sources Sci. Technol. 8, 313 (1999).
126. E. L. Tsakadze, K. N. Ostrikov, Z. L. Tsakadze, N. Jiang, R. Ahmad, and S. Xu, Int. J. Mod. Phys. B 16, 1143 (2002).
127. A. Garscadden and R. Nagpal, Plasma Sources Sci. Technol. 4, 268 (1995).
128. S.Ashida, C. Lee, andM. A. Lieberman, J. Vac. Sci. Technol. A. 13, 2498 (1995).
129. B. Gordiets, C. M. Ferreira, M. J. Pinheiro, and A. Ricard, Plasma Sources Sci. Technol. 7, 363 (1998).
130. V. Guerra, M. Pinheiro, B. Gordiets, J. Loureiro, and C. M. Ferreira, Plasma Sources Sci. Technol. 6, 220 (1997).
131. R. Nagpal and A. Garscadden, Chem. Phys. Lett. 232, 211 (1994).
132. B.Gordiets, C.M. Ferreira, V.Guerra, J. Loureiro, J. Nahorny, D. Pagnon,M. Touzeau, and M. Vialle, IEEE Trans. Plasma Sci. 23, 750 (1995).
133. V. Guerra and J. Loureiro, Plasma Sources Sci. Technol. 6, 361 (1997).
134. V. Vahedi, M. A. Lieberman, G. DiPeso, T. D. Rognlien, and D. Hewett, J. Appl. Phys. 78, 1446 (1995).
135. V. E. Golant, A. P. Zhilinskii, and I. E. Sakharov, Fundamentals of Plasma Physics (Wiley, New York, 1980).
136. R. A. Stewart, P. Vitello, D. B. Graves, E. F. Jaeger, and L. A. Berry, Plasma Sources Sci. Technol. 4, 36 (1995).
137. N. A. Azarenkov, I. B. Denysenko, A. V. Gapon, and T. W. Johnston, Phys. Plasmas 8, 1467 (2001).
138. I. B. Denysenko, A. V. Gapon, N. A. Azarenkov, K. N. Ostrikov, and M. Y. Yu, Phys. Rev. E 65, 046419 (2002).
139. H. M.Wu, B.W. Yu, A. Krishnan, M. Li, Y. Yang, J. P. Yan, andD. P. Yuan, IEEE Trans. Plasma Sci.. 25, 776 (1997).
140. I. Peres, M. Fortin, and J. Margot, Phys. Plasmas 3, 1754 (1996).
141. L. M. Biberman, V. S. Vorob'ev, and I. T. Yakubov, Kinetics of Non-Equilibrium Low-Temperature Plasma (Nauka, Moscow, 1982), in Russian.
142. Plasma Etching: An Introduction, edited by D. M. Manos and D. L. Flamm (Academic Press, New York, 1989).
143. Plasma-Surface Interactions and Processing of Materials, edited by O. Auciello et al. (Kluwer, Boston, 1990).
144. K. N. Ostrikov, S. Xu, and S. Lee, Phys. Scripta 62, 189 (2000).
145. E. L. Tsakadze, K. N. Ostrikov, S. Xu, R. G. Storer, and H. Sugai, J. Appl. Phys. 91, 1804 (2002).
146. E. L. Tsakadze, K. Ostrikov, Z. L. Tsakadze, S. V. Vladimirov, and S. Xu, Phys. Plasmas 11, 3915 (2004).
147. E. L. Tsakadze, K. Ostrikov, Z. L. Tsakadze, and S. Xu, J. Appl. Phys. 97, 013301 (2005).
148. J. Hopwood, C. R. Guarnieri, S. J. Whitehair, and J. J. Cuomo, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 152 (1993).
149. Y.Wu and M. A. Lieberman, Plasma Sources Sci. Technol. 9, 210 (2000).
150. S. S. Kim, H. Y. Chang, and C. S. Chang, Appl. Phys. Lett. 77, 492 (2000).
151. S. Xu, K.Ostrikov, and E. L. Tsakadze, An Apparatus and Method for Generating Uniform Plasmas, International Patent Application PCT/SG2004/000210 (filed July 2003).
152. J. D. Jackson, Classical Electrodynamics (Wiley, New York, 1975).
153. R. B. Piejak and V. A. Godyak, Appl. Phys. Lett. 76, 2188 (2000).
154. Z. L. Tsakadze, K. Ostrikov, E. L. Tsakadze, and S. Xu, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 440 (2005).
155. E. L. Tsakadze, K. N. Ostrikov, S. Xu, J. Long, N. Jiang, Z. L. Tsakadze,M. Y. Yu, and R. Storer, Phys. Scripta 64, 360 (2001).
156. M. Chan, S. Xu, N. Jiang, J. Long, and C. H. Diong, Int. J. Mod. Phys. B. 16, 254 (2002).
157. S. Xu, K.Ostrikov, J. Long, and S. Y. Huang, Vacuum 80, 621 (2006).
158. Y. Shiratori, H. Hiraoka, Y. Takeuchi, and M. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 82, 2485 (2003).
159. G. Gapellini, M. de Seta, C. Spinella, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 82, 1772 (2003).
160. Z. L. Tsakadze, K. Ostrikov, and S. Xu, Surf. Coat. Technol. 191/1, 49 (2005).
161. Z. L. Tsakadze, K. Ostrikov, R. Storer, and S. Xu, J. Metastable Nanocryst. Mater. 23-25, 297 (2005).
162. Z. L. Tsakadze, K. Ostrikov, J. D. Long, and S. Xu, Diam. Relat. Mater. 13, 1923 (2004).
163. L. Nilsson, O. Groening, O. Kuettel, P. Groening, and L. Schlapbach, J. Vac. Sci. Technol. 20, 326 (2002).
164. A. Ilie, A. C. Ferrari, T. Yagi, S. E. Rodil, J. Robertson, E. Barborini, and P. Milani, J. Appl. Phys. 90, 2024 (2001).
165. J. Perrin, M. Shiratani, P. Kae-Nune, H. Videlot, J. Jolly, and J. Guillion, J. Vac. Sci. Technol. 16, 278 (1998).
166. I. B. Denysenko, S. Xu, P. P. Rutkevych, J.D. Long,N. A. Azarenkov, and K. Ostrikov, J. Appl. Phys. 95, 2713 (2004).
167. K. Ostrikov, Z. Tsakadze, I. Denysenko, P. P. Rutkevych, J. D. Long, and S. Xu, Contr. Plasma Phys. 45, 514 (2005).
168. K. B. K. Teo,M. Chhowalla, G.A. J. Amaratunga, W. I. Milne, D. G. Hasko, G. Pirio, P. Legagneux, F.Wyczisk, and D. Pribat, Appl. Phys. Lett. 79, 1534 (2001).
169. D. Reznik, C.H. Olk, D. A.Neumann, and J. R. D. Copley, Phys. Rev. B. 52, 116 (1995).
170. J.W.Ager, D. K. Veirs, and G.M. Rosenblatt, Phys. Rev. B 43, 8 (1991).
171. V. Ligatchev, Phys. B 337, 333 (2003).
172. Y. J. Li, Z. Sun, S. P. Lau, G. Y. Chen, and B. K. Tay, Appl. Phys. Lett. 79, 11 (2001).
173. J.D. Long, S. Xu, S. Y.Huang, P. P. Rutkevych, M. Xu, and C. H. Diong, IEEE Trans. Plasma Sci. 33, 240 (2005).
174. K. Ostrikov, J. D. Long, P. P. Rutkevych, and S. Xu, Vacuum 80, 1126 (2006).
175. A. C. Ferrari and J. Robertson, Phys. Rev. B 64, 075414 (2001).
176. C. Thomsen and S. Reich, Phys. Rev. Lett. 85, 5214 (2000).
177. M. Ge and K. Sattler, Chem. Phys. Lett. 220, 192 (1994).
178. A. Krishnan, E. Dujardin, M. Treacy, J. Hugdahl, S. Lynum, and T. Ebbesen, Nature 388, 451 (1997).
179. M. Endo, K. Takeuchi, K. Kobori, K. Takahashi, H.W. Kronto, and A. Sarkar, Carbon 33, 873 (1995).
180. K. Sattler, Carbon 33, 915 (1995).
181. H. L. Chua and S. Xu, Ab initio Density Functional Theory Simulations of Single-Crystalline Carbon Nanotip Structures, Internal Report 2678/2005, National Institute of Education, Singapore.
182. P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. 136, B864 (1964).
183. W. Kohn and L. J. Sham, Phys. Rev. 140, A1133 (1965).
184. S. Lunqvist and N. H. March, The Theory of the Homogenous Electron Gas (Plenum, New York, 1983).
185. http://www.accelrys.com/mstudio/
186. B. Delley, J. Chem. Phys. 113, 7756 (2000).
187. R. A. Serway and R. J. Beichner, Physics for Scientists and Engineers with Modern Physics, 4th edition (Saunders, Philadelphia, PA, 1996).
188. V. P. Veedu, A. Cao, X. Li, K. Ma, C. Soldano, S. Kar, P.M. Ajayan, andM. N. Ghasemi-Nejhad, Nature Mater.. 5, 457 (2006).
189. O. A. Louchev, Y. Sato, and H. Kanda, Appl. Phys. Lett. 80, 2752 (2002).
190. M. Terrones, N. Grobert, J. Olivares, J. P. Zhang, H. Terrones, K. Kordatos, W. K. Hsu, J. P. Hare, P. D. Townsend, K. Prassides, A. K. Cheetham, H.W. Kroto, and D. R. M.Walton, Nature 388, 52 (1997).
191. M. Keidar, Y. Raitses,A. Knapp, and A. M. Waas, Carbon 44, 1022 (2006).
192. S.-H. Jeong, H.-Y. Hwang, K.-H. Lee, and Y. Jeong, Appl. Phys. Lett. 78, 2052 (2001).
193. K. Bradley, J.-C. P. Gabriel, A. Star, and G. Grüner, Appl. Phys. Lett. 83, 3821 (2003).
194. Z. Yu, C. Rutherglen, and P. J. Burke, Appl. Phys. Lett. 88, 233115 (2006).
195. J. Zhu,H. Peng, F. Rodriguez-Macias, L. J.Margrave, N. V. Khabashesku,M. A. Imam, K. Lozano, and V. E. Barrera, Adv. Funct. Mater. 14, 643 (2004).
196. L.-H. Wong, Y. Zhao, G. Chen, andA. T. Chwang, Appl. Phys. Lett.. 88, 183107 (2006).
197. E.Dujardin, V. Derycke,M. F.Goffman, R. Lefèvre, and J. P. Bourgoin, Appl. Phys. Lett. 87, 193107 (2005).
198. Y.-T. Kim, Y. Ito, K. Tadai, T. Mitani,U.-S. Kim, H.-S. Kim, B.-W. Cho, Appl. Phys. Lett. 87, 234106 (2005).
199. S. Shenogin, A. Bodapati, L. Xue, R. Ozisik, and P. Keblinski, Appl. Phys. Lett. 85, 2229 (2004).
200. P.W. Chiu, G. S.Duesberg,U.Dettlaff-Weglikowska, and S. Roth, Appl. Phys. Lett. 80, 3811 (2002).
201. E. A. Whitsitt and A. R. Barron, Nano Lett. 3, 775 (2003).
202. V. Stolojan, S. R. P. Silva,M. J.Goringe, R. L.D.Whitby,W. K.Hsu, D. R. M. Walton, and H.W. Kroto, Appl. Phys. Lett. 86, 063112 (2005).
203. B. N. Khare, M. Meyyappan, J. Kralj, P. Wilhite, M. Sisay, H. Imanaka, J. Koehne, and C. W. Baushchlicher, J. Appl. Phys. Lett. 81, 5237 (2002).
204. J. Zhao, J. P. Lu, J.Han, and C.-K. Yang, Appl. Phys. Lett. 82, 3746 (2003).
205. N. O. V. Plank, L. Jiang, and R. Cheung, Appl. Phys. Lett. 83, 2426 (2003).
206. Y. Yue, Z. Zhang, and C. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 263115 (2006).
207. E. T.Michelson, C. B. Huffman, A. G. Rinzler, R. E. Smalley, R.H.Hauge, and J. L. Margrave, Chem. Phys. Lett. 296, 188 (1998).
208. B. N. Khare, M. Meyyappan, A. M. Cassell, C. V. Nguyen, and J. Han, Nano Lett. 2, 73 (2002).
209. L. H. Chan, K. H. Hong, D. Q. Xiao,W. J. Hsieh, S. H. Lai, H. C. Shih, T. C. Lin, F. S. Shieu, K. J. Chen, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 82, 4334 (2003).
210. N. O. V. Plank, L. Jiang, and R. Cheung, Appl. Phys. Lett. 83, 2426 (2003).
211. V. Krasheninnikov, K. Nardlund, J. Keinonen, and F. Banhart, Phys. Rev. B 66, 245403 (2002).
212. P. He, D. Shi, J. Lian, L. M.Wang, R. C. Ewing, W. van Ooij, W. Z. Li, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 86, 043107 (2005).
213. D. Shi, S. X.Wang, W. vanOoij, L.M. Wang, J. Zhao, and Z. Yu, Appl. Phys. Lett. 78, 1234 (2001).
214. D. Shi, P.He, S. X. Wang,W. vanOoij, L. M.Wang, J. Zhao, and Z. Yu, J. Mater. Res. 17, 981 (2002).
215. D. Shi, J. Lian, P. He, L.M.Wang,W. van Ooij, M. Shulz, Y. J. Liu, andD. B.Mast, Appl. Phys. Lett.. 83, 5301 (2003).
216. M. Kuball, Surf. Interf. Anal. 31, 987 (2001).
217. S. C. Jain, M.Willander, J. Narayan, and R. van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
218. H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Berlin, 1999).
219. K. Jagannadham, A. K. Sharma, Q. Wei, R. Kalyanraman, and J. Narayan, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2804 (1998).
220. A. R. Goni, H. Siegle, K. Syassen, C. Thomsen, and J.-M. Wagner, Phys. Rev. B 64, 035205 (2001).
221. A. L. Alvarez, F. Calle, E. Monroy, J. L. Pau, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Munoz, F. Omnes, P. Gibart, and P. R. Hageman, J. Appl. Phys. 92, 223 (2002).
222. G. W. Auner, F. Jin, V. M. Naik, and R. Naik, J. Appl. Phys. 85, 7879 (1999).
223. A. Sarua, M. Kuball, and J. E. van Nostrand, Appl. Phys. Lett. 81, 1426 (2002).
224. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, H. Temkin, and S. Zollner, Phys. Rev. B 63, 125313 (2001).
225. H. Harris, N. Biswas, H. Temkin, S. Gangopadhyay, and M. Strathman, J. Appl. Phys. 90, 5825 (2001).
226. C. T. M. Ribeiro, F. Alvarez, and A. R. Zanatta, Appl. Phys. Lett. 81, 1005 (2002).
227. C. Men, Z. Xu, Z. An, P. K. Chu, Q. Wan, X. Xie, and C. Lin, Appl. Surf. Sci. 199, 287 (2002).
228. R. S. Naik, R. Reif, J. J. Lutsky, and C. G. Sodini, J. Electrochem. Soc. 146, 691 (1999).
229. C.-C. Cheng, Y.-C. Chen, R.-C. Horng, H.-J.Wang, W.-R. Chen, and E.-K. Lai, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3335 (1998).
230. C.-C. Cheng, Y.-C. Chen, H.-J. Wang, and W.-R. Chen, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2238 (1996).
231. R. D. Vispute, J. Narayan, H.Wu, and K. Jagannadham, J. Appl. Phys. 77, 4724 (1995).
232. B. G. Streetman and S. Banerjee, Solid State Electronic Devices (Prentice-Hall, New York, 2000).
233. F. Engelmark, G. Fucntes, I. V. Katardijev, A. Harsta, U. Smith, and S. Berg, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1609 (2000).
234. C.Mirpuri, J.D. Long, and S. Xu, RF Magnetron Sputtering Deposition of AlN Quantum Dots, Internal Report 2687/2005, National Institute of Education, Singapore.
235. M. O. Aboelfotoh, R. S. Kern, S. Tanaka, R. F. Davis, and C. I. Harris, Appl. Phys. Lett. 69, 2873 (1996).
236. F. Semond, B.Damilano, S. Vézian,N. Grandjean, M. Leroux, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 82 (1999).
237. C. J. Doss and R. Zallen, Phys. Rev. B 48, 15626 (1993).
238. S. Y. Huang, S. Y. Xu, J. D. Long, Z. Sun, X. Z.Wang, Y. W. Chen, T. Chen, C. Ni, Z. J. Zhang, L. L. Wang, X. D. Li, P. S. Guo, and W. X. Que, Physica E 31, 200 (2006).
239. M. D. Kim, S. K. Noh, S. C. Hong, and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 553 (2003).
240. G. Ortner, M. Bayer, A. Larionov, V. B. Timofeev, A. Forchel, Y. B. Lyanda-Geller, T. L. Reineche, P. Hawrylak, S. Fafard, and Z.Wasilewski, Phys. Rev. Lett. 90, 086404 (2003).
241. P. Ballet, J. B. Smathers, H. Yang, C. L. Warkman, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 77, 3406 (2000).
242. N. Y. Jin-Phillipp and F. Phillipp, J. Appl. Phys. 88, 710 (2000).
243. A. D. Andreev and E. P. O'Reilly, Appl. Phys. Lett. 79, 521 (2001).
244. E. Martinez-Guerrero, F. Chabuel, B. Daudin, J. L. Rouvière, and H.Mariette, Appl. Phys. Lett. 81, 5117 (2002).
245. J. -F. Carlin andM. Ilegems, Appl. Phys. Lett.. 83, 668 (2003).
246. S. Yamaguchi, M. Kariya, S. Nitta, H. Kato, T. Takeuchi, C.Wetzel, H. Amano, and L. Akasaki, J. Cryst. Growth 195, 309 (1998).
247. M. J. Lukitsch, Y. V. Danylyuk, V. M. Naik, C. Huang, G. W. Auner, L. Rimai, and R. Naik, Appl. Phys. Lett. 79, 632 (2001).
248. N. Nakarona, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, J. Cryst. Growth 237, 961 (2002).
249. A. B. Preobrajenski, K. Barucki, and T. Chasse, Phys. Rev. Lett. 85, 4337 (2000).
250. H. C. Jeon, Y. S. Jeong, T.W. Kang, T.W. Kim, K. J. Chung, K. J. Chung, W. Jhe, and S. A. Song, Adv. Mater. 14, 1725 (2002).
251. O. Briot, B. Maleyre, and S. Ruffenach, Appl. Phys. Lett. 83, 2919 (2003).
252. S.Huang, Z.Dai, F.Qu, L. Zhang, and X. Zhu, Nanotechnology 13, 691 (2002).
253. T. Peng, J. Piprek, G. Qiu, J. O. Olowolafe, K. M. Unruh, C. P. Swann, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 71, 2439 (1997).
254. S. J.Weiner, P. A. Kollman,D. T.Nguyen, and D. A. Case, J. Comput. Chem. 7, 230 (1986).
255. Y. P. Guo, J. C. Zheng, A. T. S. Wee, C. H. A. Huan, K. Li, J. S. Pan, Z. C. Feng, and S. J. Chua, Chem. Phys. Lett. 339, 319 (2001).
256. S. Charpentier, A. Kassiba, J. Emery, and M. Cauchetier, J. Phys.: Condens. Matter. 11, 4887 (1999).
257. I. V. Kityk, A. Kassiba, K. Tuesu, S. Charpentier, Y. Ling, and M. Makowska-Januski, Mater. Sci. Eng. B 77, 147 (2000).
258. S. Bandyopadhyay and H. S. Nalwa, Quantum Dots and Nanowires (American Scientific Publisher, New York, 2003).
259. R. Roucka, J. Tolle,A. V.G. Chizmeshya, P. A. Crozier, C. D. Poweleit, D. J. Smith, I. S. T. Tsong, and J. Kouvetakis, Phys. Rev. Lett. 88, 206102 (2002).
260. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
261. C. M. Zetterling, Process Technology for Silicon Carbide Devices (Institute of Electrical Engineering, London, 2002).
262. D. M. Teter, MRS Bull. 23, 22 (1998).
263. L. B. Rowland, R. S. Kern, S. Tanaka, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 62, 3333 (1993).
264. S. Tanaka, R. S. Kern, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 66, 37 (1995).
265. G. S. Solomon, M. Pelton, and Y. Yamamoto. Phys. Rev. Lett. 86, 3903 (2001).
266. Y. P. Guo, J. C. Zheng, A. T. S.Wee, C. H. A. Huan, K. Li, J. S. Pan, Z. C. Feng, and S. J. Chua, Chem. Phys. Lett. 339, 319 (2001).
267. Y.Glinka, S. H. Lin, L. P. Hwang, Y. T. Chen, and N. H. Tolk, Phys. Rev. B 64, 085421 (2001).
268. A. Kassiba, M. Makowska-Janusik, J. Boucle, J. F. Bardeau, A. Bulou, andN. Herlin-Boime, Phys. Rev. B 66, 155317 (2002)
269. T. Rajagopalan, X.Wang, B. Lahlouh, C. Ramkumar, P. Dutta, and S. Gangopadhyay, J. Appl. Phys. 94, 5252 (2003).
270. S. Kerdiles, A. Berthelot, F. Gourbilleau, and R. Rizk, Appl. Phys. Lett. 76, 2373 (2000).
271. L. F. Marsal, J. Pallares, X. Correig, A. Orpella, D. Bardés, and R. Alcubilla. J. Appl. Phys. 85, 1216 (1999)
272. M. B. Yu, Rusli, S. F. Yoon, Z. M. Chen, J. Ahn, Q. Zhang, K. Chew, and J. Cui, J. Appl. Phys. 87, 8155 (2000).
273. G. Soto, E. C. Samano, R. Machorro, and L. Cota, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1311 (1998).
274. J. Chen, A. J. Steckl, andM. J. Loboda, J. Vac. Sci. Technol. B. 16, 1305 (1998).
275. K. Jagannadham, A. K. Sharma, Q. Wei, R. Kalyanraman, and J. Narayan, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2804 (1998).
276. M. O. Aboelfotoh, R. S. Kern, S. Tanaka, R. F. Davis, and C. I. Harris, Appl. Phys. Lett. 69, 2873 (1996).
277. W. Seifert, N. Carlsson, J. Johansson, M.-E. Pistol, and L. Samuelson, J. Cryst. Growth 170, 39 (1997).
278. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
279. N. Carlsson, K. Georgsson, L. Montelius, L. Samuelson,W. Seifert, and R. Wallenberg, J. Cryst. Growth 156, 23 (1995).
280. F. M. Ross, J. Tersoff, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 80, 984 (1998).
281. A. Elshabini and F. D. Barlow, Thin Film Technology Handbook (McGraw-Hill, New York, 1997).
282. V.Ng, S. Y. Huang, J.D. Long, and S. Xu, Nanofabrication of SiC Quantum Dots on Si with AlN Buffer Interlayers, Internal Report 2687/2005, National Institute of Education, Singapore.
283. F. Ren and J. C. Zolper, Wide Energy Bandgap Electronic Devices (World Scientific, River Edge, NJ, 2003).
284. H. Y. Liu, I. R. Sellers, M. Hopkinson, C. N. Harrison, D. J. Mowbray, and M. S. Skolnick, Appl. Phys. Lett. 83, 3716 (2003).
285. K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, N. Kuwano, T. Shiraishi, and K. Oki, J. Cryst. Growth 115, 628 (1991).
286. G. Burns, Solid State Physics (Academic, San Diego, 1985), Chapter 18.
287. Q. J. Cheng, S. Xu, J. D. Long, and K.Ostrikov, Appl. Phys. Lett. 90, 173112 (2007).
288. Silicon Carbide and Related Materials, Materials Science Forum, Vols. 433-436, edited by P. Bergman and E. Jantzen (Trans Tech Publications, Zurich, Switzerland, 2003).
289. F. A. Reboredo, L. Pizzagalli, and G. Galli, Nano Lett. 4, 801 (2004).
290. H. Colder, R. Rizk, M. Morales, P. Marie, J. Vicens, and I. Vickridge, J. Appl. Phys. 98, 024313 (2005).
291. Y. Sun, T. Miyasato, and J. K. Wigmore, J. Appl. Phys. 86, 3076 (1999).
292. V. Cimalla, A. A. Schmidt, T. Stauden, K. Zekentes, O. Ambacher, and J. Pezoldt, J. Vac. Sci. Technol. B 22, L20 (2004).
293. J. Y. Fan, X. L.Wu, H. X. Li,H.W. Liu,G. G. Siu, and P. K. Chu, Appl. Phys. Lett. 88, 041909 (2006).
294. A. Fissel, K. Pfennighaus, and W. Richter, Appl. Phys. Lett. 71, 2981 (1997).
295. A. Fissel, K. Pfennighaus, and W. Richter, Thin Solid Films 88, 318 (1998).
296. F. Rosei, J. Phys.: Condens. Matter 16, S1373 (2004).
297. W. K. Choi, T. Y.Ong, L. S. Tan, F. C. Loh, and K. L. Tan, J. Appl. Phys. 83, 4968 (1998).
298. T. Berlind, N. Hellgren, M. P. Johansson, and L. Hultman, Surf. Coat. Technol. 141, 145 (2001).
299. K. Yamamoto, Y. Koga, and S. Fujiwara, Diam. Relat. Mater. 10, 1921 (2001).
300. F. Liao, S. L.Girshick, W. M. Mook,W.W. Gerberich, and M. R. Zachariah, Appl. Phys. Lett. 86, 171913 (2005).
301. Z. Hu, X. Liao, H. Diao, G. Kong, X. Zeng, and Y. Xu, J. Cryst. Growth 7, 264 (2004).
302. W. Yu, W. Lu, L.Han, and G. Fu, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 3304 (2004).
303. S. Y.Huang, J.D. Long, M. Xu, and S. Xu, Reactive Plasma Assembly of Large Area Amorphous SiO2 Nanowires, unpublished.
304. D. D. D. Ma, C. S. Lee, F. C. K. Au, S. Y. Tong, and S. T. Lee, Science 299, 1874 (2003).
305. D. Zhang, A. Alkhateeb, H. Han, H. Mahmood, and D. N. Mcllroy, Nano Lett. 3, 983 (2003).
306. J.-F. Lin, J. P. Bird, Z.He, P. A. Bennett, and D. J. Smith, Appl. Phys. Lett. 85, 281 (2004).
307. Y. J. Chang, B.H. Kang, G. T. Kim, S. J. Park, and J. S. Ha, Appl. Phys. Lett. 84, 5314 (2004).
308. Z.W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L.Wang, Science 291, 1947 (2001).
309. I. Solomon, Appl. Surf. Sci. 184, 3 (2001).
310. H.-F. Zhang, C.-M.Wang, E. C. Buck, and L.-S. Wang, Nano Lett. 3, 577 (2003).
311. K.-H. Lee,H. S. Yang, K. H. Baik, J. Bang, R. R. Vanfleet, and W. Sigmund, Chem. Phys. Lett. 383, 380 (2004).
312. D. J. Zhang and R. Q. Zhang, Chem. Phys. Lett. 394, 437 (2004).
313. D. N. Mcllroy, D. Zhang, and Y. Kranov, Appl. Phys. Lett. 79, 1540 (2001).
314. M. Xu, S. Xu, S. Y.Huang, J.W. Chai, V. M. Ng, J.D. Long, and P. Yang, Physica E 35, 81 (2006).
315. Silicon Based Microphotonics: from Basic to Applications, edited by O. Bisi, S.U. Campisano, L. Pavesi, and F. Priolo (IOS Press, Amsterdam, 1999).
316. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1045 (1990).
317. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yanazaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 56, 2397 (1990).
318. T. S. Iwayama, S. Nakao, and K. Saitoh, Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
319. K. D. Hirschman, L. Tsybeskov, S. P. Duttagupta and P. M. Fauchet, Nature 384, 338 (1996).
320. S. Hayashi and K. Yamamoto, J. Lumin. 70, 352 (1996).
321. L. Pavesi, L. D. Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, and J. P. Prolo, Nature 408, 440 (2000).
322. M. Zacharias and P. Streitenberger, Phys. Rev. B 62, 8391 (2000).
323. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, and J. Blasing, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002).
324. L. S. Liao, X. M. Bao, Z. F. Yang, andN. B. Min, Appl. Phys. Lett.. 66, 2382 (1995).
325. M. Molinari, H. Rinnert, and M. Vergnat, Appl. Phys. Lett. 77, 3499 (2000).
326. M. Molinari, H. Rinnert, and M. Vergnat, Appl. Phys. Lett. 79, 2172 (2001).
327. L. C. Chen, C. K. Chen, S. L.Wei,D.M. Bhusari, K. H. Chen, Y. F. Chen, Y. C. Jong, and Y. S. Huang, Appl. Phys. Lett. 72, 2463 (1998).
328. H. Ueda, O. Kitakami, Y. Shimada, Y. Goto, and M. Yamamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 6173 (1994).
329. V. M. Ng, M. Xu, S. Y. Huang, J. D. Long, and S. Xu, Thin Solid Films 506, 283 (2006).
330. A. R.Wilkinson and R. G. Elliman, Appl. Phys. Lett. 83, 5512 (2003).
331. G. G. Qin and Y. J. Li, Phys. Rev. B 68, 085309 (2003).
332. S. Y.Huang, J.D. Long, M. Xu, and S. Xu, Self-assembled Si quantum dots on amorphous AlN films synthesized by RF magnetron sputtering, (unpublished).
333. A. T. Tike, F. C. Simmel, R.H. Bick, H. Lorenz, and J. P. Kotthaus, Progr. Quant. Electron. 25, 97 (2001).
334. S. Tiwari, F. Rhana, H. Hanafi, A. Harstein, E. F. Crabbe, and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
335. H. Akazawa, Appl. Phys. Lett. 82, 1464 (2003).
336. M. Fukuda, K. Nakagawa, S. Miyazaki, and M. Hirose, Appl. Phys. Lett. 70, 2291 (1997).
337. A. B. Preobrajenski, K. Baruchi, and B. Chasse, Phys. Rev. Lett. 85, 4337 (2000).
338. S. Y. Huang, S. Xu, J. D. Long, Z. Sun, and T. Chen, Plasma reactive synthesis single layer ordered SiC quantum dots with selfassembled growth mode, (unpublished).
339. B. Yang, F. Liu, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 92, 025502 (2004).
340. S. Guha, A. Madhukar, and K. C. Rajkumar, Appl. Phys. Lett. 57, 2110 (1990).
341. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
342. Y.W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 65, 1020 (1990).
343. C. Teichert, J. C. Bean, andM.G. Lagally, Appl. Phys. A. 67, 675 (1998).
344. T. Kitajima, B. Liu, and S. R. Leone,Appl. Phys. Lett. 80, 497 (2002).
345. L. Vescan, K. Grimm, and C. Dieker, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1549 (1998).
346. G. S. Solomon, Appl. Phys. Lett. 84, 2073 (2004).
347. F. Poster, A. Bhattacharya, S. Weeke, and W. Richter, J. Cryst. Growth 248, 317 (2003).
348. C. L. Zhang, Z. G. Wang, F. A. Zhao, B. Xu, and P. Jin, J. Crystal Growth 265, 64 (2004).
349. J. Liang,H. Chik,A. Yin, and J. Xu, J. Appl. Phys. 91, 2544 (2002).
350. R. Noetzel and K. H. Plong, J. Cryst. Growth 227-228, 8 (2001).
351. H. J. Kim, Y. J. Park, Y. M. Park, E. K. Kim, and T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 78, 3253 (2001).
352. R. Leon, S. Chaparro, S. R. Johnson, C. Navarro, X. Jin, Y. H. Zhang, J. Siegert, S. Marcinkevicius, X. Z. Liao, and J. Zou, J. Appl. Phys. 91, 5826 (2002).
353. K. Zhang, Ch. Heyn, and W. Hansen, Appl. Phys. Lett. 76, 2229 (2000).
354. S. Huang, Z. Dai, F. Qu, L. Zhang, and X. Zhu, Nanotechnology 13, 691 (2002).
355. B. J. Spencer and J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 79, 4858 (1997).
356. M. Xu, S. YHuang, V.Ng, S. Xu, and J. D. Long, SiCAlN nanorods synthesized by plasma-assisted RF magnetron sputtering deposition, (unpublished).
357. V. Ng, M. Xu, S. Y Huang, S. Xu, and J. D. Long, Transition of SiCN nanorods to nanowires: control by the plasma process parameters, (unpublished).
358. S. Xu, J. D. Long, L. Sim, C. H. Diong, and K. Ostrikov, Plasma Proc. Polym. 2, 373 (2005).
359. B. D. Ratner, Biomaterials Science: An Introduction to Materials in Medicine (Academic Press, San Diego, 1996).
360. D. F.Williams, The Williams Dictionary of Biomaterials (Liverpool University Press, Liverpool, UK, 1999).
361. R. Z. Le Geros and J. P. Le Geros, Calcium Phosphate Bioceramics: Past, Present and Future, in Bioceramics, edited by B. Ben-Nissan, D. Sher, and W.Walsh, Intern. Soc. for Ceramics in Medicine (Trans Tech Publications, Sydney, 2003), vol. 15, pp. 3-10.
362. L. Sun, C. C. Berndt, K. A. Gross, and A. Kucuk, J. Biomed. Mater. Res.: Appl. Biomater. 58, 570 (2001).
363. K. Yamagishi, K. Onuma, T. Suzuki, F. Okada, J. Tagami, M. Otsuki, and P. Senawangse, Nature 433, 819 (2005).
364. K. A. Gross, C. C. Berndt, and H. Herman, J. Biomed. Mater. Res. 39, 407 (1998).
365. American Society for Testing and Materials (ASTM), Standard Specification for Composition of Hydroxyapatite for Surgical Implants, F1185-03, ASTM, 2003. See also http://www.astm.org
366. Y. C. Tsui, C. Doyle, and T.W. Clyne, Biomaterials 19, 2031 (1998).
367. C. P. Klein, P. Patsa, J. G. C. Wolke, J. Blieck-Hogervorst, and K. Groot, J. Biomed. Mater. Res. 28, 909 (1994).
368. C. C. Berndt, G. N. Haddad, A. J. D. Farmer, and K. A. Gross, Mater Forum 14, 161 (1990).
369. K. De Groot, R. Geesink, C. P. Klein, and P. Serekian, J. Biomed. Mater. Res. 21, 1375 (1987).
370. J. H. C. Lin, M. L. Liu, and C. P. Ju, J. Mater. Sci.: Mater. Med. 5, 279 (1994).
371. F. Brossa, A. Cigada, R. Chiesa, L. Paraccini, and C. Consonni, Biomed. Mater. Eng. 3, 127 (1993).
372. C. M. Cotell, Appl. Surf. Sci. 69, 140 (1993).
373. L. Cleries, E. Martinez, J. M. Fernandez-Prads, G. Sardin, J. Esteve, and J. L. Morenza, Biomaterials 21, 967 (2000).
374. J. L. Ong and L. C. Lucas, Biomaterials 15, 337 (1994).
375. P.Ducheyne, W. V. Raemdonck, J. C. Heughebaert, and M. Heughebaert, Biomaterials 6, 97 (1986).
376. W. V. Raemdonck, P. Ducheyne, and P. D. Meester, J. Amer. Ceram. Soc. 63, 381 (1984).
377. W. R. Lacefield, Ann. Rep. N.Y. Acad. Sci. 523, 72 (1988).
378. T. T. Li, J. H. Lee, T. Kobayashi, and H. Aoki, J. Mater. Sci.: Mater. Med. 7, 97 (1996).
379. G. L. Darimont, B. Gilbert, and R. Cloots, Mater. Lett. 58, 71 (2003).
380. M. J. Filliagi, N. A. Coombs, and R. M. Pillar, J. Biomed. Mater. Res. 25, 1211 (1991).
381. S. Xu, J. D. Long, K.N.Ostrikov, J. H. Lu, and C. H. Diong, IEEE Trans. Plasma Sci. 30, 118 (2002).
382. S. Mohammadi, M. Esposito, J. Hall, L. Emanuelsson, A. Krozer, and P. Thomsen, Int. J. Oral Maxillofac. Implants 19, 498 (2004).
383. B. Feddes, A. M. Vredenberg, J. G. C. Wolke, and J. A. Jansen, Surf. Coat. Technol. 185, 346 (2004).
384. K.Ozeki,A. Mishima, T. Yuhta, Y. Fukui, and H. Aoki, Biomed. Mater. Eng. 13, 451 (2003).
385. A. Boyd, M. Akay, and B. J. Meenan, Surf. Interf. Anal. 35, 188 (2003).
386. J. L. Ong, K. Bessho, and D. L. Carnes, Int. J. Oral Maxillofac. Implants 27, 581 (2002).
387. K.Ozeki, T. Yuhta, Y. Fukui,H.Aoki, and I. Nishimura, J. Mater. Sci.: Mater. Medicine 13, 253 (2002).
388. J. D. Long, S. Xu, J. W. Cai, N. Jiang, J. H. Lu, K. N. Ostrikov, and C. H.Diong, Mater. Sci. Eng. C: Biomimetic Supramol. Syst. 20, 175 (2002).
389. S. Xu, J. D. Long, K. N. Ostrikov, and H. Y. Foo, Key Eng. Mater. 240, 307 (2003).
390. J. D. Long, S. Xu, H. Y. Foo, and C. H. Diong, Key Eng. Mater. 240, 303 (2003).
391. I. S. Lee,H. E. Kim, and S. Y. Kim, Surf. Coat. Technol. 131, 181 (2000).
392. J.D. Long, K.Ostrikov, S. Xu, and V. Ligatchev, Proc. Mater. Res. Soc. Symp. 740, I12.17.1 (2003), (Materials Research Society, Boston, 2003).
393. K. Hayashi, T. Inadome, H. Tsumura, Y. Nakashima, and Y. Sugioka, Biomaterials 15, 1187 (1994).
394. E. J. Evans, Biomaterials 12, 574 (1991).
395. B. D. Cullity, Elements of X-ray Diffraction, 3rd edition (Prentice-Hall, New York, 2001).
396. Y. Yang, K.-H. Kim, and J. L. Ong, Biomaterials 26, 327 (2005).
397. J. L. Ong and L. C. Lukas, Biomaterials 15, 337 (1994).
398. K. van Dijk, H. G. Schaeken, J. G. C. Wolke, and J. A. Jansen, Biomaterials 17, 405 (1996).
399. Y. Yang, K.-H. Kim, C. M. Agrawal, and J. L. Ong, Biomaterials 24, 5131 (2003).
400. Y. Yang, K.-H. Kim, C. M. Agrawal, and J. L. Ong, J. Dent. Res. 82, 833 (2003).
401. J. E. G. Hulshoff, T. Hayakawa, K. van Dijk, A. F. M. Leidekkers-Govers, J. P. C. M. van der Waerden, and J. A. Jansen, J. Biomed. Mater. Res. 36, 75 (1997).
402. F. C. Chang, M. Levy, R. Huie, M. Kane, P. Buckley, T. Z. Kattamis, and G. R. Lakshminarayan, Surf. Coat. Technol. 49, 87 (1991).
403. J. D. Long, Triadic Bioactive CaPTi Thin Films Synthesized by Concurrent Sputtering Deposition, Ph.D. Thesis, Nanyang Technological University, Singapore, 2003.
404. T. Kokubo, S. Ito, and T. Yamamuro, et al., J. Biomed Mater Res. 24, 331 (1990).
405. H. Zreiqat, C. R. Howlett, A. Zannettino, C. Evans, P. Knabe, G. Schulze-Tanzil, and M. Shakibaei, Key Eng. Mater. 240-242, 707 (2003).
406. H. M. Kim, H. F. Miyaji, T. Kokubo, and T. J. Nakamura, J. Biomed. Mater. Res. 32, 409 (1996).
407. S. Y. Huang, S. Xu, J. Long, Z. Sun, X. Z. Wang, Y. W. Chen, T. Chen, C. Ni, Z. J. Zhang, L. L. Wang, X. D. Li, P. S. Guo, and W. X. Que, Surf. Rev. Lett. 13, 123 (2006).
408. S. S. Iyer and Y. H. Xie, Science 260, 280 (1993).
409. S. Schmitt-Rink, C. M. Varma, and A. F. J. Levi, Phys. Rev. Lett. 66, 2782 (1991).
410. N. Q. Vinh, H. Przybylinska, Z. F. Krasil'nik, and T. Gregorkiewicz, Phys. Rev. Lett. 90, 06601 (2003).
411. R. M. Fujili, M. Yoshida, Y. Kanzawa, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Appl. Phys. Lett. 71, 1198 (1997).
412. J. S.Ha, C.H. Bae, S. H. Nam, S. M. Park, Y. R. Jang, and K. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 82, 3436 (2003).
413. K. Rerbal, F. Jomard, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, and I. Solomon, Appl. Phys. Lett. 83, 45 (2003).
414. M. Iwami, Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A 466, 406 (2001).
415. M.G. Park,W. S. Choi, B.Hong, Y. T. Kim, andD. H. Yoon, J. Vac. Sci. Technol. A20, 861 (2002).
416. S.Dogan,A. Teke, D. Huang, C. B. Roberts, J. Parish, B. Ganguly M. Smith, R. E. Myers, and S. E. Saddow, Appl. Phys. Lett. 82, 3107 (2003).
417. G. Pasold, F. Albrecht, J. Grillenberger, U. Grossner, C. Hülsen,W.Withuhn, and R. Sielemann, J. Appl. Phys. 93, 2289 (2003).
418. I. V. Kityk, A. Kassiba, K. Tuesu, S. Charpentier, Y. Ling, and M. Makowska-Januski, Mater. Sci. Eng. B 77, 147 (2000).
419. Y. C. Ee, Z. Chen, S. B. Law, and S. Xu, Thin Solid Films 504, 218 (2006).
420. C. Marcadal, M. Eizenberg, and L. A. Yoon, J. Eletrochem. Soc. 149, C52 (2002).
421. J. S. Reid, X. Sun, E. Kolawa, and M.-A. Nicolet, IEEE Electron. Device Lett. 15, 298 (1994).
422. E. L. Tsakadze, K. N. Ostrikov, Z. L. Tsakadze, N. Jiang, R. Ahmad, and S. Xu, Int. J. Mod. Phys. B 16, 1143 (2002).
423. T. Fujii, J. Muraki, S. Arulmozhiraja, and M. Kareev, J. Appl. Phys. 88, 5592 (2000).
424. K. M Yu, M. Cohen, E. E. Haller,W. L, Hansen, A. Y. Liu, and I. C.Wu, Phys. Rev. B 49, 5034 (1994).
425. Z.Wu, Y. Yu, and X. Liu, Appl. Phys. Lett. 68, 1291 (1996).
426. N. Jiang, S. Xu, K. N. Ostrikov, J. Chai, Y. Li, K. M. Ling, and S. Lee, Thin Solid Films 357, 55 (2001).
427. N. Jiang, Carbon Nitride and Its Modifications Synthesized by Means of RF Plasmas, PhD thesis, Nanyang Technological University, Singapore, 2002.
428. S. Bhattacharyya, A. Granier, and G. Turban, J. Appl. Phys. 86, 4668 (1999).
429. C.Mirpuri, S. Xu, J.D. Long, and K.Ostrikov, J. Appl. Phys.101, 024312 (2007).
430. R. D. Vispute, J. Narayan, H.Wu, and K. Jagannadham, J. Appl. Phys. 77, 4724 (1995).
431. V. Ligatchev, Rusli, and Z. Pan, Appl. Phys. Lett. 87, 242903 (2005).
432. H. Morkoc, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, New York, 1999).
433. N. Laidani, L. Vanzetti, M. Anderle, A. Basillais, C. Boulmer-Leborgne, and J. Perriere, Surf. Coat. Technol. 122, 242 (1999).
434. J. F. Moulder,W.F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, (Physical Electronics, Minneapolis, 1995)
435. M. Kuball, Surf. Interf. Anal. 31, 987 (2001).
436. N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Solids (Clarendon, Oxford, 1979).
437. S. P. Lim, J. D. Long, S. Xu, and K. Ostrikov, J. Phys. D.: Appl. Phys. 40, 1085 (2007).
438. W. R. Roach, Appl. Phys. Lett. 19, 453 (1971).
439. C. G. Granqvist, Thin Solid Films 193, 730 (1994).
440. C. R. Aita, Y.-L. Liu, M. L. Kao, and S. D. Hansen, J. Appl. Phys. 60, 749 (1986).
441. M. Mozetic, U. Cvelbar, M. K. Sunkara, and S. Vaddiraju, Adv. Mater. 17, 2138 (2005).
442. K. West and B. Zachau, Solid State Ion. 76, 1068 (1995).
443. R. Ramirez, B. Casal, L. Utera, and E. Ruiz-Hitzky, J. Phys. Chem. 94, 8965 (1990).
444. S. F. Cogan, N. M. Nguyen, S. J. Perrotti, and R. D. Rauh, J. Appl. Phys. 66, 1333 (1989).
445. X. J.Wang, H. D. Li, Y. J. Fei, X.Wang, Y. Y. Xiong, Y. X. Nie, and K. A. Feng, Appl. Surf. Sci. 177, 8 (2001).
446. G. S. Nadkarni and V. Shirodkar, Thin Solid Films 105, 115 (1983).
447. J. Cui, D. Da, and W. Jiang, Appl. Surf. Sci. 133, 225 (1998).
448. H.-T. Yuan, K.-C. Feng, X.-J. Wang, C. Li, C. J.He, and Y.-X. Nie, J. Chinese Phys. 13, 82 (2004).
449. F. Guinneton, L. Sauques, J.-C. Valmalette, F. Cros, and J. R. Gavarri, Thin Solid Films 446, 287 (2004).
450. S.-H. Lee, C.H. Cheong,M. J. Seong, P. Liu, C. E. Tracy, A. Mascarenhas, J. R. Pitts, and S. K. Deb, Solid State Ion. 165, 111 (2003).
451. T. D. Manning and I. P. Parkin, J. Mater. Chem. 14, 2554 (2004).
452. H. S. Choi, J. S. Ahn, J. H. Jung, T. W. Noh, andD. H. Kim, Phys. Rev. B. 54, 7 (1996).
453. Y. Muraoka and Z. Hiroi, Appl. Phys. Lett. 80, 4 (2002).
454. L. J.Wang and F. C. N.Hong,Micropor. Mesopor. Mater. 77, 167 (2005).
455. H. C. Foley, Micropor. Mesopor. Mater. 4, 407 (1995).
456. Y. Yin and R. E. Collins, Carbon 31, 1333 (1993).
457. H. Matsuyama, T. Shiraishi, and M. Teramoto, J.Appl. Polym. Sci. 54, 1665 (1994).
458. M. Yamamoto, J. Sakata, and M. Hirai, J. Appl. Polym. Sci. 29, 2981 (1984).
459. J. Sakata, M. Yamamoto, and M. Hirai, J. Appl. Polym. Sci. 31, 1999 (1986).
460. Z. Sun, S. Xu, and K. N. Ostrikov, Diam. Relat. Mater. 11, 92 (2002).
461. F. Huber, J. Springer, and M. Muhler, J. Appl. Polym. Sci. 63, 1517 (1997).
462. S. Roualdes, A. van der Lee, R. Berjoan, J. Sanchez, and J. Durand, AICHE J. 45, 1566 (1999).
463. M. L. Steen, W. C. Flory,N. E. Capps, and E. R. Fisher, Chem. Mater. 13, 2749 (2001).
464. E. Piskin, J. Biomater. Sci.-Polymer Edition 4, 45 (1992).
465. Q. T. Le, C. M.Whelan,H. Struyf,H. Bender, T. Conrad, S. H. Brongersma, W. Boullart, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex, Electrochem. Solid State Lett. 7, F49 (2004).
466. T. Abell and K. Maex, Microelectron. Eng. 76, 16 (2004).
467. V. Rouessac, P. Ferreira, and J. Durand, Separation Purification Technol. 32, 37 (2003).
468. J. Weichart and J. Muller, Surf. Coat. Technol. 59, 342 (1993).
469. K. Beltsios, G. Charalambopoulou, G. Romanos, and N. Kanellopoulos, J. Porous Mater. 6, 25 (1999).
470. L. Lin and J. T. Guthrie, J. Membrane Sci. 173, 73 (2000).
471. S. Veprek, S. Mukherjee, P. Karvankova, H.-D. Mannling, J. L. He, K. Moto, J. Prochazka, and A. S. Argon, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 532 (2003).
472. S. Veprek, H.-D. Mannling, M. Jilek, and P. Holubar, Mater. Sci. Eng. A: Struct. Mater. Prop. Microstruct. Process. 366, 202 (2004).
473. Y. J. T. Lii, in ULSI Technology, edited by C. Y. Chang and S. M. Sze (McGraw-Hill, New York), pp. 329-370.
474. Q. Yang,W. Chen, C. Xiao, R. Sammynaiken, and A. Hirose, Carbon 43, 748 (2005).
475. M. J. Kim, J. S. Lee, S. K. Kim, G. Y. Yeom, J. B. Yoo, and C. Y. Park, Thin Solid Films 475, 41 (2005).
476. H.W.Huang, C. C. Kao, T. H.Hsueh, C. C. Yu, C. F. Lin, J. T. Chu, H. C. Kuo, and S. C. Wang, Mater. Sci. Eng. B, Solid-State Mater. Adv. Technol. 113, 125 (2004).
477. K.A. Lister, B.G. Casey, P. S.Dobson, S. Thoms, D. S. Macintyre, C. D.W.Wilkinson, and J. M. R.Weaver, Microelectron. Eng. 73-74, 319 (2004).
478. L. Menon, K. B. Ram, S. Patibandla, D. Aurongzeb, M. Holtz, J. Yun, V. Kuryatkov, and K. Zhu, J. Electrochem. Soc. 151, C492 (2004).
479. X. F. Hua, C. Stolz, G. S. Oehrlein, P. Lazzeri, N. Coghe, M. Anderle, C. K. Inoki, M. Anderle, T. S. Kuan, and P. Jiang, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 151 (2005).
480. W. J. Cho, O. Rodriguez, R. Saxena, M. Ojha, R. A. Chanta, J. L. Plawsky, and W. N. Gill, J. Electrochem. Soc. 152, F26 (2005).
481. T. Kimura, Micropor. Mesopor. Mater. 77, 97 (2005).
482. G. N. Panin, Y. S. Park, T. W. Kang, T. W. Kim, K. L.Wang, and M. Bao, J. Appl. Phys. 97, 043527 (2005).
483. J. M. Lee, S. H. Oh, C.W. Lee, H. Ko, S. Park, K. S. Kim, andM.H. Park, Thin Solid Films. 475, 189 (2005).
484. C. Arnault and X. Devaux, J. Mater. Sci. Technol. 20, 63 (2004).
485. K. S. Cho, N. M. Park, T. Y. Kim, K. H. Kim, G. Y. Sung, and J. H. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 071909 (2005).
486. Z.W. Pei,A. Y. K. Su, H. L. Hwang, and H. L. Hsiao, Appl. Phys. Lett. 86, 063503 (2005).
487. M. Lin, K. P. Loh, C. Boothroyd, and A. Y. Du, Appl. Phys. Lett. 85, 5388 (2004).
488. S. P. Song,M. A. Crimp, V. M. Ayres, C. J. Collard, J. P. Holloway, and M. L. Brake, J. Nanosc. Nanotechnol. 4, 817 (2004).
489. J. L.H. Chau, M. K.Hsu, C. C. Hsieh, and C. C. Kao, Mater. Lett. 59, 905 (2005).
490. Y. S. Kwon, J. S. Kim, P. P. Choi, J.H. Song, and D. Dudina, J. Industr. Engn. Chem. 11, 103 (2005).
491. K. H. Jeong, S. G. Park, and S.W. Rhee, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 2799 (2004).
492. R. F. Service, Science 314, 45 (2006).
493. H. Kanzow and A. Ding, Phys. Rev. B 60, 11180 (1999).
494. A. N. Obraztsov, I. Pavlovsky, A. P. Volkov, E. D. Obraztsova, A. L. Chuvilin, and V. L. Kuznetsov, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1059 (2000).
495. S. H. Tsai, F. K. Chiang, T. G. Tsai, F. S. Shieu, and H. C. Shih, Thin Solid Films 366, 11 (2000).
496. Lee Y. J., Mater. Lett. 59, 615 (2005).