A silicon nanocrystals based memory

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 10, 1996, Pages 1377-1379

  Tiwari, Sandip ^a   Rana, Farhan ^a   Hanafi, Hussein ^a   Hartstein, Allan ^a   Crabbé, Emmanuel F ^a   Chan, Kevin ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000298224     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.116085     Document Type: Review

References (10)

1. R. G. Wheeler, K. K. Choi, A. Goel, R. Wisnieff, and D. E. Prober, Phys. Rev. Lett. 49, 1674 (1982).
2. A. C. Warren, D. A. Antoniadis, and H. L. Smith, Phys. Rev. Lett. 56, 1858 (1986).
3. P. M. Petroff, A. C. Gossard, R. A. Logan, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 41, 635 (1982).
4. T. A. Fulton and G. J. Dolan, Phys. Rev. Lett. 59, 109 (1987).
5. K. Hess, N. Holonyak, Jr., and T. A. Richard, Appl. Phys. Lett. 63, 1408 (1993).
6. S. Tiwari, G. D. Pettit, K. R. Milkove, R. Legoues, R. J. Davis, and J. M. Woodall, Appl. Phys. Lett. 64, 3536 (1994).
7. K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai, and K. Seki, IEDM Tech. Dig. 1993, 541.
8. K. R. Farmer, M. O. Andersson, and O. Engstrom, Appl. Phys. Lett. 60, 730 (1992).
9. D. J. DiMaria, K. M. DeMeyer, and D. W. Dong, IEEE Electron Device Lett. EDL-1, 179 (1980).
10. J. Bisschop, E. J. Korma, E. F. F. Botta, and J. F. Verwey, IEEE Trans. Electron Devices ED-33, 1809 (1986).